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Karine Isoird
Maître de Conférences Université Paul Sabatier / LAAS-CNRS
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Libre accès
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Documents
Affiliations actuelles
Identifiants chercheurs
- karine-isoird
- 0000-0002-2878-6952
- IdRef : 069501416
Présentation
Karine ISOIRD (ORCID : 0000-0002-2878-6952) est née à Sète (France) en 1973. Son doctorat obtenu en 2001 à l'INSA-LYON, portait sur la caractérisation électrique et OBIC des composnats de puissance SiC haute température et haute tension.
Depuis 2003, elle est maître de conférences (MCF) à l'Université Paul Sabatier de Toulouse (Toulouse III) et a intégré l'équipe ISGE (Intégration des Systèmes pour la Gestion de l'Energie) au sein du laboratoire LAAS, équipe dont elle est responsable depuis 2021. Elle a rejoint le LAAS sur le thème des nouvelles structures MOS en silicium. Depuis 2006, ses recherches se sont étendues et concentrées sur les dispositifs semiconducteurs à large bande interdite (GaN, SiC et diamant) et principalement sur le diamant au travers de plusieurs projets ANR DIAMOOND, MOVeToDiam et LAPIN113 et FUI DIAMONIX, DIAMONIX2 sur le développement de la filière Diamant pour les composants de puissance. Elle a coordonné le projet ANR MOVeToDiam (2017 - 2022). Ces projets nationaux ont l’avantage de fédérer tous les acteurs français de la filière technologique diamant, du matériau au packaging, en passant par le composant. Elle a participé à la supervision de plusieurs 8 thèses de doctorat dont 2 sont en cours. Elle est co-auteur de plus de 32 publications dans des revues scientifiques, 38 dans des conférences internationales et 23 dans des conférences nationales. Expert membre de l'OMNT de 2012 à 2018 (Observatoire des micro et nanotechnologies), sur le thème des matériaux à large bande interdite.
Elle enseigne au sein du département EEA (Électronique, Énergie Électrique et Automatique) de la Faculté des Science et Ingénierie (FSI) de l'Université Toulouse III.3 dans les domaines suiavnts :
• L’électronique numérique au niveau L1 et L3
• L’électronique au sens pratique, c’est à dire l’utilisation des appareils de mesures et la mise en œuvre des concepts pour réaliser des systèmes. Ces enseignements sont réalisés en L1, L2 et L3
• La physique des semiconducteurs et des composants, thématiques en lien avec son activité de recherche, enseignements dispensés en Master 1 et 2
Domaines de recherche
Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Compétences
Simulation, Fabrication et Caractérisation de composant de puissance à semiconducteur grand gap
Publications
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Epitaxie localisée de P-GaN par EJM pour la fabrication de HEMTs AlGaN/GaN normally-offSymposium de génie électrique SGE 2023, Université de Lille, Jul 2023, Lille, France
Communication dans un congrès
hal-04127127v1
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Vertical pin diodes on large freestanding (100) diamond film2023 EUROPEAN MATERIALS RESEARCH SOCIETY Spring Meeting, EUROPEAN MATERIALS RESEARCH SOCIETY, May 2023, Strasbourg, France
Communication dans un congrès
hal-04219862v1
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Développement de la gravure plasma O2 pour la réalisation de composants de puissance diamantSysmpsoium de Génie électrique SGE 2023, Université de Lille, Jul 2023, LILLE, France
Communication dans un congrès
hal-04127068v1
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Caractérisation par spectroscopie micro-Raman de diodes GaN SchottkyConférence Internationale Matériaux, Oct 2022, Lille, France
Communication dans un congrès
hal-03844887v1
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Toward an Innovative Monolithic Integration of Vertical and Lateral GaN DevicesConférence Euro-méditerranéenne Matériaux, Composants et Systèmes EMCM-DS, Oct 2022, Fes, Morocco
Communication dans un congrès
hal-03946187v1
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Design Optimization of a New Nanostructured P-GaN Gate for Normally-off GaN HEMTs29th International Conference on Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES 2022), Jun 2022, Wroclaw, Poland. ⟨10.23919/MIXDES55591.2022.9838389⟩
Communication dans un congrès
hal-03697713v1
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Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs based on selective area regrowth of a P-GaN gate in nanostructured patternsEMRS-2022 Fall Meeting European Materials Research Society, Sep 2022, Varsovie, Poland
Communication dans un congrès
hal-03697766v1
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Multiphysics Characterizations of Vertical GaN Schottky Diodes2022 Compound Semiconductor Week (CSW), Jun 2022, Ann Arbor, United States. pp.1-2, ⟨10.1109/CSW55288.2022.9930447⟩
Communication dans un congrès
hal-03844585v1
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Toward an Innovative Monolithic Integration of Vertical and Lateral GaN DevicesConférence Euro-méditerranéenne Organisé par Matériaux, Composants et Systèmes (EMCMDS), Nov 2022, Fez, Morocco
Communication dans un congrès
hal-04303675v1
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Locally Ion Implantation and Annealing Effects in DiamondE-MRS 2022 Fall Meeting., Sep 2022, Warsaw, Poland
Communication dans un congrès
hal-03766749v1
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Développement de briques technologiques pour la fabrication de composants MOS diamant : contacts ohmiques et capacités MIS sur diamant de type PSYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2020), Jul 2021, Nantes, France
Communication dans un congrès
hal-02918490v2
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Développement technologique d'un HEMT normally- off avec une grille à barrière P-GaNSYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2020), Jul 2021, Nantes, France
Communication dans un congrès
hal-02918372v2
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Fabrication and characterization of Si3N4-MIS structures on p-type diamond31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2021, On line, Spain
Communication dans un congrès
hal-03445543v1
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Recessed and P-GaN regrowth gate development for normally-off AlGaN/GaN HEMTs28 International Conference MIXED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, Jun 2020, Wroclow, Poland
Communication dans un congrès
hal-02922723v1
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Ohmic contacts study of P + N diodes on (111) and (100) diamond13th IEEE International Conference on Power Electronics and Drive Systems (PEDS 2019), Jul 2019, Toulouse, France
Communication dans un congrès
hal-02324743v1
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Développement technologique d'un HEMT normally-off avec une grille à barrière P-GaNJournées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique (JNRDM), Jun 2019, Montpellier, France
Communication dans un congrès
hal-02278808v1
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Développement de briques technologiques pour la réalisation de composants de puissance sur diamantConférence des Jeunes Chercheurs en Génie Electrique (JCGE 2019), Jun 2019, Oléron, France
Communication dans un congrès
hal-02324807v1
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Optimisation des techniques de microfabrication sur diamantJournées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique (JNRDM 2019), Jun 2019, Montpellier, France. pp.691 - 697
Communication dans un congrès
halshs-02329822v1
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Première démonstration expérimentale d’un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterréeSymposium de Génie Electrique (SGE 2018), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. pp.3 - 5
Communication dans un congrès
hal-02981903v2
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Diodes Schottky diamant fonctionnant à 200°CSymposium de Génie Electrique, G2Elab, Jun 2016, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-01245628v2
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An improved junction termination design using deep trenches for superjunction power devicesInternational Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES 2015), Jun 2015, Torùn, Poland. ⟨10.1109/MIXDES.2015.7208583⟩
Communication dans un congrès
hal-01191234v1
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Durcissement des IGBT planar contre le déclenchement de " Single-Event Burnout "Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès
hal-01065194v1
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Optimisation de la diode à Superjonction à tranchées profondes pour des applications à 600VSymposium de Génie Electrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès
hal-01102974v1
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Analysis study of sensitive volume and triggering criteria of SEB in super-junction MOSFETsInternational Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Aug 2012, Pragues, Czech Republic. 6 p
Communication dans un congrès
hal-01005688v1
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