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Karine Isoird

Maître de Conférences Université Paul Sabatier / LAAS-CNRS
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Karine ISOIRD (ORCID : 0000-0002-2878-6952) est née à Sète (France) en 1973. Son doctorat obtenu en 2001 à l'INSA-LYON, portait sur la caractérisation électrique et OBIC des composnats de puissance SiC haute température et haute tension. Depuis 2003, elle est maître de conférences (MCF) à l'Université Paul Sabatier de Toulouse (Toulouse III) et a intégré l'équipe ISGE (Intégration des Systèmes pour la Gestion de l'Energie) au sein du laboratoire LAAS, équipe dont elle est responsable depuis 2021. Elle a rejoint le LAAS sur le thème des nouvelles structures MOS en silicium. Depuis 2006, ses recherches se sont étendues et concentrées sur les dispositifs semiconducteurs à large bande interdite (GaN, SiC et diamant) et principalement sur le diamant au travers de plusieurs projets ANR DIAMOOND, MOVeToDiam et LAPIN113 et FUI DIAMONIX, DIAMONIX2 sur le développement de la filière Diamant pour les composants de puissance. Elle a coordonné le projet ANR MOVeToDiam (2017 - 2022). Ces projets nationaux ont l’avantage de fédérer tous les acteurs français de la filière technologique diamant, du matériau au packaging, en passant par le composant. Elle a participé à la supervision de plusieurs 8 thèses de doctorat dont 2 sont en cours. Elle est co-auteur de plus de 32 publications dans des revues scientifiques, 38 dans des conférences internationales et 23 dans des conférences nationales. Expert membre de l'OMNT de 2012 à 2018 (Observatoire des micro et nanotechnologies), sur le thème des matériaux à large bande interdite. Elle enseigne au sein du département EEA (Électronique, Énergie Électrique et Automatique) de la Faculté des Science et Ingénierie (FSI) de l'Université Toulouse III.3 dans les domaines suiavnts : • L’électronique numérique au niveau L1 et L3 • L’électronique au sens pratique, c’est à dire l’utilisation des appareils de mesures et la mise en œuvre des concepts pour réaliser des systèmes. Ces enseignements sont réalisés en L1, L2 et L3 • La physique des semiconducteurs et des composants, thématiques en lien avec son activité de recherche, enseignements dispensés en Master 1 et 2

Domaines de recherche

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Compétences

Simulation, Fabrication et Caractérisation de composant de puissance à semiconducteur grand gap

Publications

"josiane-tasselli"

Micro-Raman characterization of homo-epitaxial n doped GaN layers for vertical device applications

Atse Julien Eric N’dohi , Camille Sonneville , Luong Viet Phung , Thi Huong Ngo , Philippe de Mierry
AIP Advances, 2022, 12 (2), pp.025126. ⟨10.1063/5.0082860⟩
Article dans une revue hal-03582833v1
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Comprehensive characterization of vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diodes

P. Vigneshwara Raja , Christophe Raynaud , Camille Sonneville , Atse Julien Eric N’dohi , Hervé Morel
Microelectronics Journal, 2022, 128, pp.105575. ⟨10.1016/j.mejo.2022.105575⟩
Article dans une revue hal-03826217v1
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Diamond Schottky diodes operating at 473 K

Richard Monflier , Karine Isoird , Alain Cazarré , Josiane Tasselli , Alexandra Servel
EPE Journal - European Power Electronics and Drives, 2017, 27 (3), pp.118-124. ⟨10.1080/09398368.2017.1388625⟩
Article dans une revue hal-01618095v1
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Design optimisation of the deep trench termination for superjunction power devices

Sylvain Noblecourt , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Patrick Austin , Josiane Tasselli
International Journal of Microelectronics and Computer Science, 2015, 6 (4), pp.117-123
Article dans une revue hal-01955656v1

Design and realisation of deep trench superjunction diode dor 600 V applications

Sylvain Noblecourt , Josiane Tasselli , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Patrick Austin
European Journal of Electrical Engineering, 2015, ⟨10.3166/EJEE.17.345-361⟩
Article dans une revue hal-01280199v1
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Optimisation de la diode à Superjonction à tranchées profondes pour des applications à 600V

Sylvain Noblecourt , Josiane Tasselli , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Patrick Austin
European Journal of Electrical Engineering, 2014, 17 (5-6), pp.345-361. ⟨10.3166/ejee.17.345-361⟩
Article dans une revue hal-01955633v1
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Analysis Study of Sensitive Volume and Triggering Criteria of SEB in Super-Junction MOSFETs

Moustafa Zerarka , Patrick Austin , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Houssam Arbess
IET Circuits, Devices & Systems, 2014, 8 (3), pp.197-204
Article dans une revue hal-01005966v1
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Epitaxie localisée de P-GaN par EJM pour la fabrication de HEMTs AlGaN/GaN normally-off

Daniel Rouly , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Yvon Cordier , Aimeric Courville
Symposium de génie électrique SGE 2023, Université de Lille, Jul 2023, Lille, France
Communication dans un congrès hal-04127127v1

Vertical pin diodes on large freestanding (100) diamond film

M.A. Pinault-Thaury , Mohamed Bouras , Rémi Gillet , Ingrid Stenger , François Jomard
2023 EUROPEAN MATERIALS RESEARCH SOCIETY Spring Meeting, EUROPEAN MATERIALS RESEARCH SOCIETY, May 2023, Strasbourg, France
Communication dans un congrès hal-04219862v1
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Développement de la gravure plasma O2 pour la réalisation de composants de puissance diamant

Raid Gourad , Ralph Makhoul , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Alain Cazarré
Sysmpsoium de Génie électrique SGE 2023, Université de Lille, Jul 2023, LILLE, France
Communication dans un congrès hal-04127068v1
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Caractérisation par spectroscopie micro-Raman de diodes GaN Schottky

Camille Sonneville , Atse Julien Eric N’dohi , S Saidi , T H Ngo , P. de Mierry
Conférence Internationale Matériaux, Oct 2022, Lille, France
Communication dans un congrès hal-03844887v1
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Toward an Innovative Monolithic Integration of Vertical and Lateral GaN Devices

Zahraa Zaidan , Nedal Al Taradeh , Christophe Rodriguez , Abdelatif Jaouad , Ali Soltani
Conférence Euro-méditerranéenne Matériaux, Composants et Systèmes EMCM-DS, Oct 2022, Fes, Morocco
Communication dans un congrès hal-03946187v1
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Design Optimization of a New Nanostructured P-GaN Gate for Normally-off GaN HEMTs

Daniel Rouly , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Chaymaa Haloui , Karine Isoird
29th International Conference on Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES 2022), Jun 2022, Wroclaw, Poland. ⟨10.23919/MIXDES55591.2022.9838389⟩
Communication dans un congrès hal-03697713v1

Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs based on selective area regrowth of a P-GaN gate in nanostructured patterns

Daniel Rouly , Patrick Austin , Josiane Tasselli , Frédéric Morancho , Karine Isoird
EMRS-2022 Fall Meeting European Materials Research Society, Sep 2022, Varsovie, Poland
Communication dans un congrès hal-03697766v1
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Multiphysics Characterizations of Vertical GaN Schottky Diodes

Atse Julien Eric N’dohi , Camille Sonneville , Soufiane Saidi , Thi Huong Ngo , P. de Mierry
2022 Compound Semiconductor Week (CSW), Jun 2022, Ann Arbor, United States. pp.1-2, ⟨10.1109/CSW55288.2022.9930447⟩
Communication dans un congrès hal-03844585v1
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Toward an Innovative Monolithic Integration of Vertical and Lateral GaN Devices

Zahraa Zaidan , Nedal Al Taradeh , Christophe Rodriguez , Abdelatif Jaouad , Ali Soltani
Conférence Euro-méditerranéenne Organisé par Matériaux, Composants et Systèmes (EMCMDS), Nov 2022, Fez, Morocco
Communication dans un congrès hal-04303675v1

Locally Ion Implantation and Annealing Effects in Diamond

Karine Isoird , Josiane Tasselli , Yohann Spiegel , Raid. Gourad , Fuccio Cristiano
E-MRS 2022 Fall Meeting., Sep 2022, Warsaw, Poland
Communication dans un congrès hal-03766749v1
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Développement de briques technologiques pour la fabrication de composants MOS diamant : contacts ohmiques et capacités MIS sur diamant de type P

Lya Fontaine , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Emmanuel Scheid
SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2020), Jul 2021, Nantes, France
Communication dans un congrès hal-02918490v2
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Développement technologique d'un HEMT normally- off avec une grille à barrière P-GaN

Chaymaa Haloui , Gaëtan Toulon , Josiane Tasselli , Yvon Cordier , Éric Frayssinet
SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2020), Jul 2021, Nantes, France
Communication dans un congrès hal-02918372v2
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Fabrication and characterization of Si3N4-MIS structures on p-type diamond

Lya Fontaine , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Emmanuel Scheid , Patrick Austin
31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2021, On line, Spain
Communication dans un congrès hal-03445543v1
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Recessed and P-GaN regrowth gate development for normally-off AlGaN/GaN HEMTs

Chaymaa Haloui , Toulon Gaëtan , Josiane Tasselli , Yvon Cordier , Éric Frayssinet
28 International Conference MIXED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, Jun 2020, Wroclow, Poland
Communication dans un congrès hal-02922723v1
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Ohmic contacts study of P + N diodes on (111) and (100) diamond

Lya Fontaine , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Alain Cazarré
13th IEEE International Conference on Power Electronics and Drive Systems (PEDS 2019), Jul 2019, Toulouse, France
Communication dans un congrès hal-02324743v1
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Développement technologique d'un HEMT normally-off avec une grille à barrière P-GaN

Chaymaa Haloui , Josiane Tasselli , Karine Isoird , David Trémouilles , Patrick Austin
Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique (JNRDM), Jun 2019, Montpellier, France
Communication dans un congrès hal-02278808v1
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Développement de briques technologiques pour la réalisation de composants de puissance sur diamant

Lya Fontaine , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Alain Cazarré , Patrick Austin
Conférence des Jeunes Chercheurs en Génie Electrique (JCGE 2019), Jun 2019, Oléron, France
Communication dans un congrès hal-02324807v1
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Optimisation des techniques de microfabrication sur diamant

Lya Fontaine , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Alain Cazarré , Patrick Austin
Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique (JNRDM 2019), Jun 2019, Montpellier, France. pp.691 - 697
Communication dans un congrès halshs-02329822v1
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Première démonstration expérimentale d’un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterrée

Audrey Chapelle , Éric Frayssinet , Yvon Cordier , Yohann Spiegel , Leïla Benmosfeta
Symposium de Génie Electrique (SGE 2018), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. pp.3 - 5
Communication dans un congrès hal-02981903v2
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Diodes Schottky diamant fonctionnant à 200°C

Richard Monflier , Karine Isoird , Alain Cazarré , Josiane Tasselli , Alexandra Servel
Symposium de Génie Electrique, G2Elab, Jun 2016, Grenoble, France
Communication dans un congrès hal-01245628v2
Image document

An improved junction termination design using deep trenches for superjunction power devices

Sylvain Noblecourt , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Patrick Austin , Josiane Tasselli
International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES 2015), Jun 2015, Torùn, Poland. ⟨10.1109/MIXDES.2015.7208583⟩
Communication dans un congrès hal-01191234v1
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Durcissement des IGBT planar contre le déclenchement de " Single-Event Burnout "

Moustafa Zerarka , Patrick Austin , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Josiane Tasselli
Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès hal-01065194v1
Image document

Optimisation de la diode à Superjonction à tranchées profondes pour des applications à 600V

Sylvain Noblecourt , Josiane Tasselli , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Patrick Austin
Symposium de Génie Electrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès hal-01102974v1
Image document

Analysis study of sensitive volume and triggering criteria of SEB in super-junction MOSFETs

Moustafa Zerarka , Patrick Austin , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Houssam Arbess
International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Aug 2012, Pragues, Czech Republic. 6 p
Communication dans un congrès hal-01005688v1
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Locally Ion Implantation and Annealing Effects in Diamond

M.A. Pinault-Thaury , Mohamed Bouras , Raid Gourad , Karine Isoird , Fuccio Cristiano
3rd MOMENTOM INTERNATIONAL CONGRESS, Mar 2023, Gif-sur-yvette, France. 2023
Poster de conférence hal-04271407v1
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Design and Fabrication of AlGaN/GaN normally-off HEMTs

Daniel Rouly , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Karine Isoird , Frédéric Morancho
10th IRP NextPV International workshop, Jan 2023, Toulouse, France
Poster de conférence hal-03934236v1
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Realization and characterization of vertical PIN diode on 100 diamond

Florent Sevely , Josiane Tasselli , Karine Isoird , Luong Viêt Phung , Camille Sonneville
33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2023, Palma, Spain. , 2023
Poster de conférence hal-04193251v1

Locally Ion Implantation and Annealing Effects in Diamond

Mohamed Bouras , Raid Gourad , Karine Isoird , Fuccio Cristiano , Josiane Tasselli
Hasselt Diamond Workshop 2023 - SBDD XXVII, Mar 2023, Hässelt, Belgium
Poster de conférence hal-04396208v1

Locally Ion Implantation and Annealing Effects in Diamond

Mohamed Bouras , Raid Gourad , Karine Isoird , Fuccio Cristiano , Josiane Tasselli
Hasselt Diamond Workshop 2023 - SBDD XXVII, Mar 2023, Hässelt, Belgium
Poster de conférence hal-04269992v1
Image document

Conception et réalisation technologique de structures HEMTs AlGaN/GaN normally-off à grille P-GaN

Daniel Rouly , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Karine Isoird , Frédéric Morancho
JEP 2022: Journées des Electroniques de Puissance, Mar 2022, Grenoble, France
Poster de conférence hal-03621863v1

Ohmic contacts by phosphorous ion implantation on (111) N-type CVD Diamond

Josiane Tasselli , Lya Fontaine , Karine Isoird , Patrick Austin
31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2021, ONLINE, Spain. , 2021
Poster de conférence hal-03445509v1

Study of Ti/Pt/Au ohmic contacts on P-type boron doped (100) diamond with linear and circular TLM structures

Josiane Tasselli , Lya Fontaine , Karine Isoird , Emmanuel Scheid , Patrick Austin
31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2021, ONLINE, Spain. 2021
Poster de conférence hal-03445531v1