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pascal dherbecourt
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Documents
Présentation
**Pascal Dherbécourt**,
**Professeur des universités**
**Section CNU 63 (*Génie électrique, électronique, photonique et systèmes)***
- **Adresse professionnelle :**
- **Groupe de Physique des Matériaux - UMR CNRS 6634**
- Avenue de l’Université BP 76801 Saint Etienne du Rouvray Cedex
- Tel : 02 32 95 51 57 - Email : <pascal.dherbecourt@univ-rouen.fr>
**Université de Rouen - IUT – Département Génie Electrique et Informatique Industrielle**
- 76821 Mont Saint Aignan Cedex Tel : 02 35 14 63 54
**Septembre 2014 : Habilitation à Diriger des Recherches**
Soutenue le 4 septembre 2014 au GPM Université de Rouen Normandie : **« Performances et fiabilité des systèmes: Des télécommunications optiques aux composants électroniques de puissance »**
**Juin 2002 : Doctorat en physique** à l’université de Rouen.
Thèse soutenue le 21 juin 2002, portant sur **« *l’étude et réalisation d’un générateur d’onde optique modulée en amplitude à très haute fréquence »*.** Application à la caractérisation spectrale des sources lasers et des photorécepteurs rapides type PIN pour les systèmes de télécommunications sur fibres optiques à très haut débit.
**Distinction honorifique :** Chevalier dans l’Ordre des Palmes Académiques promotion juillet 2009.
Publications
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Short-circuit robustness test and in depth microstructural analysis study of SiC MOSFETMicroelectronics Reliability, 2017, 76-77, pp.527 - 531. ⟨10.1016/j.microrel.2017.07.002⟩
Article dans une revue
hal-01766126v1
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Gate Oxide Degradation of SiC MOSFET under Short-Circuit Aging TestsMicroelectronics Reliability, 2016, 64, pp.415-418. ⟨10.1016/j.microrel.2016.07.132⟩
Article dans une revue
hal-01954256v1
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Etude de la Robustesse et des Mécanismes de défaillance d’un transistor MOSFET en SiC sous contraintes électriques et thermiquesTélécom & JFMMA, 2015, Meknès, Maroc
Communication dans un congrès
hal-02407378v1
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Robustness Study of SiC MOSFET Under Harsh Electrical and Thermal ConstraintsCENICS, 2014, Lisbonne, Portugal
Communication dans un congrès
hal-01700474v1
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