ABDOULWAHAB ADAINE

Identifiants chercheurs

IdHAL :

abdoulwahab-adaine

ORCID :

0000-0003-0824-0685

IdRef :

229968899

ResearcherID :

C-7685-2017

Présentation

Publications

Article dans une revue (3)

Effects of structural defects and polarization charges in InGaN-based double-junction solar cell Abdoulwahab Adaine,Sidi Ould Saad Hamady,Nicolas Fressengeas Superlattices and Microstructures, 2017, 107, pp.267-277. ⟨10.1016/j.spmi.2017.04.025⟩ Article dans une revue hal-01513102v1
Numerical simulation of InGaN Schottky solar cell Sidi Ould Saad Hamady,Abdoulwahab Adaine,Nicolas Fressengeas Materials Science in Semiconductor Processing, 2016, 41, pp.219-225. ⟨10.1016/j.mssp.2015.09.001⟩ Article dans une revue hal-02430932v1
Simulation study of a new InGaN p-layer free Schottky based solar cell Abdoulwahab Adaine,Sidi Ould Saad Hamady,Nicolas Fressengeas Superlattices and Microstructures, 2016, 96, pp.121-133. ⟨10.1016/j.spmi.2016.05.020⟩ Article dans une revue hal-01318037v1

Communication dans un congrès (5)

Cellules solaires en couches minces semi-conductrices en nitrure d’indium et de gallium (InGaN) : potentiel, limites et perspectives Sidi Ould Saad Hamady,Adaine Abdoulwahab,Nicolas Fressengeas Workshop Matériaux pour l’Optique & Photonique, Oct 2017, Nancy, France Communication dans un congrès hal-01620576v1
Modeling and optimization of InGaN based double-junction solar cell Adaine Abdoulwahab,Sidi Ould Saad Hamady,Nicolas Fressengeas Compound Semiconductor Week, May 2017, Berlin, Germany Communication dans un congrès hal-03248435v1
New Optimized InGaN Metal-IN Solar Cell Abdoulwahab Adaine,Sidi Ould Saad Hamady,Nicolas Fressengeas China France Second Workshop on Advanced Materials, Université de Lorraine, Aug 2016, Metz, France Communication dans un congrès hal-01358346v1
Comparative study of of PN, PIN and new Schottky based InGaN thin films solar cells Abdoulwahab Adaine,Sidi Ould Saad Hamady,Nicolas Fressengeas Nanotech France 2016, SETCOR, Jun 2016, Paris, France Communication dans un congrès hal-01326148v1
Simulation et Optimisation d’une cellule solaire Schottky à base d’InGaN Abdoulwahab Adaine,Nicolas Fressengeas,Sidi Ould Saad Hamady 22ème Colloque de Recherche Inter Écoles Centrales et CentraleSupélec (CRIEC 2016), Jun 2016, Châtenay-Malabry, Gif-sur-Yvette, France Communication dans un congrès hal-01338308v1

Poster de conférence (5)

Influence of defect and polarization on efficiency of InGaN-based double-junction solar cell Adaine Abdoulwahab,Sidi Ould Saad Hamady,Nicolas Fressengeas Compound Semiconductor Week 2017 , May 2017, Berlin, Germany. Poster de conférence hal-01523515v1
Effect of Interface Properties on the Electrical Characteristics of InGaN-based Multijunction Solar Cell Adaine Abdoulwahab,Sidi Ould Saad Hamady,Nicolas Fressengeas ICNS 12 - 12th International Conference on Nitride Semiconductors, Jul 2017, Strasbourg, France Poster de conférence hal-01579140v1
Des panneaux Solaires Haut Rendement Abdoulwahab Adaine Les Doctoriales de Lorraine 2016, Apr 2016, Saint-Dié-des-Vosges, France Poster de conférence hal-01338318v1
Multivariate numerical optimization of an InGaN-based hetero junction solar cell Adaine Abdoulwahab,Sidi Ould Saad Hamady,Nicolas Fressengeas The Euro-TMCS II: Theory, Modelling and Computational Methods for Semiconductors, Dec 2016, Cork, Ireland. 2016 Poster de conférence hal-01425924v1
Simulation et Optimisation d’une cellule solaire Schottky à base d’InGaN Abdoulwahab Adaine,Sidi Ould Saad Hamady,Nicolas Fressengeas Séminaire de l’école doctorale EMMA, Apr 2016, Nancy, France Poster de conférence hal-01338242v1

Pré-publication, Document de travail (1)

InGaN Metal-IN Solar Cell: optimized efficiency and fabrication tolerance Abdoulwahab Adaine,Sidi Ould Saad Hamady,Nicolas Fressengeas 2017 Pré-publication, Document de travail hal-01523416v1