Arouna DARGA
5
Documents
Présentation
Publications
- 5
- 3
- 2
- 2
- 2
- 2
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 4
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
- 1
|
Interface Properties of GaP/Si Heterojunction Fabricated by PE-ALDphysica status solidi (a), 2019, 216 (10), pp.1800617. ⟨10.1002/pssa.201800617⟩
Article dans une revue
hal-01943257v1
|
Interface properties of GaP/Si heterojunction fabricated by PE-ALDEMRS Spring Meeting 2018, Jun 2018, Strasbourg, France
Communication dans un congrès
hal-01801489v1
|
|
Electronic transport properties of Cu2ZnSn(S,Se)4 thin films obtained from Lift-off processE-MRS Spring Meeting 2014, European Materials Research Society, May 2014, Lille, France
Communication dans un congrès
hal-01099377v1
|
|
Caractérisation d’absorbeurs en CZTS par spectroscopie RamanPoster de conférence hal-01418229v1 |
Raman microspectroscopy of Cu2ZnSnS4 (CZTS): study of inhomogeneityPoster de conférence hal-01239392v1 |