
Audrey Valentin
Présentation
Depuis 2011 : Maîtresse de conférences, Laboratoire des Sciences des Procédés et des Matériaux (LSPM), Université Sorbonne Paris Nord (ex Université Paris 13).
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Caractérisation électrique des couches de diamant monocristallin.
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Etude de structures graphite/diamant obtenues par implantation ionique.
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Simulation de la croissance du diamant et du graphène par méthode Monte-Carlo cinétique et par modélisation géométrique.
2009 à 2011 : Post-doc, CEA-DAM.
Etude de l’effet de la prise en compte de l’ionisation à basse énergie sur la simulation de la trace des ions lourds dans les composants électroniques.
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Modélisation de l'interaction particule-matière pour les particules de basse énergie.
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Implémentation du modèle dans l'outil de simulation Geant4.
2008 à 2009 : ATER, Institut d’Electronique Fondamentale (IEF), Université Paris Sud 11.
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Modélisation physique du courant à travers 2 boîtes quantiques en couplage faible.
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Modélisation physique du courant à travers des transistors à 1 électron.
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Etude de la structure électronique et de la dispersion des phonons dans les nanorubans de graphène.
2005 à 2008 : Thèse de doctorat, Institut d’Electronique Fondamentale (IEF), Université Paris Sud 11.
Modélisation de l’effet tunnel à un électron dans les dispositifs à nanocristaux semiconducteurs : effet tunnel à un électron assisté par phonon.
Publications
Publications
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Stratégies de croissance pour l'élargissement de substrats de diamant CVD fortement dopé au bore orienté (113)CNRIUT 2025 Bayonne - Pays Basque, IUT de Bayonne Pays Basque, Mar 2025, Bayonne, France
Communication dans un congrès
hal-05093385
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Hot ion implantation for creating dense NV ensemble near the diamond surfaceSBDD XXVIII, Feb 2024, Hasselt, Belgium
Communication dans un congrès
hal-04722921
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Hot N2+-He+ co-implantation for NV doped layer creation near diamond surfacesInternational Conference on Diamond and Carbon Materials 2024 (ICDCM 2024), Sep 2024, Dresden, Germany
Communication dans un congrès
hal-04722922
v1
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Optimization of the growth parameters for increasing functional area of (113)-oriented thick boron doped diamond8th French-Japanese Workshop on diamond power devices, Jun 2024, Agay, France
Communication dans un congrès
hal-04722915
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Stabilization of shallow negatively charged nitrogen vacancySBDD XXVII, Mar 2023, Hasselt, Belgium
Communication dans un congrès
hal-04722898
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Multi-scale simulation of monocrystalline diamond growth on microstructured substratesICDCM 31, Sep 2021, En ligne, France
Communication dans un congrès
hal-03578230
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Graphitic layers formed on single crystal diamond for ohmic contact optimizationFrench-Japanese workshop on diamond power devices, Jan 2019, Aussois, France
Communication dans un congrès
hal-03578171
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Polarization effect on Time-of-Flight measurements performed on CVD diamond monocrystalsSBDD XX, Feb 2015, Hasselt, Belgium
Communication dans un congrès
hal-03578201
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Sequential Transport in a Two-Dot Device2009 13th International Workshop on Computational Electronics (IWCE 2009), May 2009, Beijing, France. pp.1-4, ⟨10.1109/IWCE.2009.5091148⟩
Communication dans un congrès
hal-03440075
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Electron/phonon interaction in silicon quantum dots2008 9th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), Mar 2008, Udine, Italy. pp.57-60, ⟨10.1109/ULIS.2008.4527140⟩
Communication dans un congrès
hal-03440071
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Modélisation de l'effet tunnel à un électron dans les dispositifs à nanocristaux semiconducteurs : effet tunnel à un électron assisté par phononMicro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paris Sud - Paris XI, 2008. Français. ⟨NNT : ⟩
Thèse
tel-00350414
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