Audrey Valentin
Présentation
Depuis 2011 : Maîtresse de conférences, Laboratoire des Sciences des Procédés et des Matériaux (LSPM), Université Sorbonne Paris Nord (ex Université Paris 13). Caractérisation électrique des couches de diamant monocristallin. Etude de structures graphite/diamant obtenues par implantation ionique. Simulation de la croissance du diamant et du graphène par méthode Monte-Carlo cinétique et par modélisation géométrique. 2009 à 2011 : Post-doc, CEA-DAM. Modélisation de l'interaction particule-matière pour les particules de basse énergie. Implémentation du modèle dans l'outil de simulation Geant4. 2008 à 2009 : ATER, Institut d’Electronique Fondamentale (IEF), Université Paris Sud 11. Modélisation physique du courant à travers 2 boîtes quantiques en couplage faible. Modélisation physique du courant à travers des transistors à 1 électron. Etude de la structure électronique et de la dispersion des phonons dans les nanorubans de graphène. 2005 à 2008 : Thèse de doctorat, Institut d’Electronique Fondamentale (IEF), Université Paris Sud 11.
Etude de l’effet de la prise en compte de l’ionisation à basse énergie sur la simulation de la trace des ions lourds dans les composants électroniques.
Modélisation de l’effet tunnel à un électron dans les dispositifs à nanocristaux semiconducteurs : effet tunnel à un électron assisté par phonon.
Publications
Publications
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Stratégies de croissance pour l'élargissement de substrats de diamant CVD fortement dopé au bore orienté (113)CNRIUT 2025 Bayonne - Pays Basque, IUT de Bayonne Pays Basque, Mar 2025, Bayonne, France |
Experimental and modeling study of single-crystal diamond CVD growth on etch pits35th International Conference on Diamond and Carbon Materials, Elsevier, Aug 2025, Glasgow, United Kingdom |
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Hot N2+-He+ co-implantation for NV doped layer creation near diamond surfacesInternational Conference on Diamond and Carbon Materials 2024 (ICDCM 2024), Sep 2024, Dresden, Germany |
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Hot ion implantation for creating dense NV ensemble near the diamond surfaceSBDD XXVIII, Feb 2024, Hasselt, Belgium |
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Optimization of the growth parameters for increasing functional area of (113)-oriented thick boron doped diamond8th French-Japanese Workshop on diamond power devices, Jun 2024, Agay, France |
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Stabilization of shallow negatively charged nitrogen vacancySBDD XXVII, Mar 2023, Hasselt, Belgium |
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Multi-scale simulation of monocrystalline diamond growth on microstructured substratesICDCM 31, Sep 2021, En ligne, France |
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Graphitic layers formed on single crystal diamond for ohmic contact optimizationFrench-Japanese workshop on diamond power devices, Jan 2019, Aussois, France |
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Polarization effect on Time-of-Flight measurements performed on CVD diamond monocrystalsSBDD XX, Feb 2015, Hasselt, Belgium |
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Sequential Transport in a Two-Dot Device2009 13th International Workshop on Computational Electronics (IWCE 2009), May 2009, Beijing, France. pp.1-4, ⟨10.1109/IWCE.2009.5091148⟩ |
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Electron/phonon interaction in silicon quantum dots2008 9th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), Mar 2008, Udine, Italy. pp.57-60, ⟨10.1109/ULIS.2008.4527140⟩ |
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Modélisation de l'effet tunnel à un électron dans les dispositifs à nanocristaux semiconducteurs : effet tunnel à un électron assisté par phononMicro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paris Sud - Paris XI, 2008. Français. ⟨NNT : ⟩ |