Bilal BEYDOUN Professeur - Enseignant/chercheurResponsable des recherches : fiabilités des systèmes électroniques

Publications

Article dans une revue (20)

TCAD-Based Analysis on the Impact of AlN Interlayer in Normally-off AlGaN/GaN MISHEMTs with Buried p-Region Saleem Hamady,Bilal Beydoun,Frédéric Morancho Electronics, 2025, 14 (2), pp.313. ⟨10.3390/electronics14020313⟩ Article dans une revue hal-04887718v1
Localized buried P-doped region for E-mode GaN MISHEMTs Saleem Hamady,Frédéric Morancho,Bilal Beydoun Journal of Computational Electronics, 2022, 22, pp.190-198. ⟨10.1007/s10825-022-01990-x⟩ Article dans une revue hal-04014012v1
A solution for channel electron migration in normally-off MIS-HEMT with buried fluorine ions Saleem Hamady,Bilal Beydoun,Frederic Morancho ICM '11 International Conference on Microelectronics, 2017, pp.1-4. ⟨10.1109/ICM.2017.8268868⟩ Article dans une revue hal-04106678v1
Robust Timing Synchronization Preamble for MIMO-OFDM Systems Using Mapped CAZAC Sequences Ali Rachini,Fabienne Nouvel,Bilal Beydoun International Journal On Advances in Networks and Services, 2015, 2015 vol 8 nr 1&2, 8 (1&2), pp.12-22 Article dans une revue hal-01153222v1
Enhancement mode HEMT using fluorine implantation below the channel Saleem Hamady,Frédéric Morancho,Bilal Beydoun,Patrick Austin,Mathieu Gavelle European Physical Journal: Applied Physics, 2015, 70 (3), pp.30102. ⟨10.1051/epjap/2015150062⟩ Article dans une revue istex hal-01955606v1
A Novel Timing Synchronization Method for MIMO-OFDM Systems Ali Rachini,Bilal Beydoun International Journal On Advances in Telecommunications, 2014, 7 (1&2), pp.22-33 Article dans une revue hal-01151655v1
Optimization and Implementation of Acoustic Echo Canceller Based on LMS Algorithm Using FPGA Ali Beydoun,Yahya Sharafeddine,Hamzé Haidar Alaeddine,Ali Rachini,Fadi Khalilet al. International Journal on Communications Antenna and Propagation, 2014, 4 (6), pp.234-243. ⟨10.15866/irecap.v4i6.4792⟩ Article dans une revue hal-05324610v1
A new concept of enhanced-mode GaN HEMT using fluorine implantation in the GaN layer Saleem Hamady,Frederic Morancho,Bilal Beydoun,Patrick Austin,Mathieu Gavelle European conference on Power electronics and applications, 2013, pp.1-6. ⟨10.1109/EPE.2013.6631904⟩ Article dans une revue hal-04106650v1
Characterization and simulation of SiGe HBT degradation induced by electromagnetic field stress A. Alaeddine,M. Kadi,K. Daoud,B. Beydoun,D. Blavette IEEE international symposium on the physical and failure analysis of integrated circuits, 2010, pp.751-755. ⟨10.1109/IPFA.2009.5232729⟩ Article dans une revue hal-04106715v1
Characteristics degradation of the SiGe HBT under electromagnetic field stress A. Alaeddine,M. Kadi,K. Daoud,B. Beydoun Microelectronics Reliability, 2010, 50 (12), pp.1961-1966. ⟨10.1016/j.microrel.2010.07.002⟩ Article dans une revue istex hal-04106699v1
Structural and Electronic properties of Zn1-xMgxSySe1-y alloys F. El Haj Hassan,A. Bleybel,A. Hijazi,A. Alaeddine,B. Beydounet al. Materials Letters, 2007, 61 (4-5), pp.1178-1182. ⟨10.1016/j.matlet.2006.06.079⟩ Article dans une revue istex hal-05324699v1
Bias temperature instability from gate charge characteristics investigations in N-Channel Power MOSFET Saleem Hamady,Frédéric Morancho,Bilal Beydoun,Patrick Austin,Mathieu Gavelle Microelectronics Journal, 2007, 38 (6-7), pp.727-734. ⟨10.1016/j.mejo.2007.04.015⟩ Article dans une revue istex hal-04106633v1
Bias temperature instability from gate charge characteristics investigations in N-Channel Power MOSFET M. Alwan,B. Beydoun,K. Ketata,M. Zoaeter Microelectronics Journal, 2007, 38 (6-7), pp.727-734. ⟨10.1016/j.mejo.2007.04.015⟩ Article dans une revue istex hal-04106696v1
Gate charge behaviors in N-channel power VDMOSFETs during HEF and PBT stresses M. Alwan,B. Beydoun,K. Ketata,M. Zoaeter Microelectronics Reliability, 2007, 47 (9-11), pp.1406-1410. ⟨10.1016/j.microrel.2007.07.096⟩ Article dans une revue istex hal-04106734v1
Two-dimensional simulation of the thermal stress effect on static and dynamic VDMOS characteristics M. Alwan,B. Beydoun,K. Ketata,M. Zoaeter Materials Science and Engineering: B, 2005, 124-125, pp.335-340. ⟨10.1016/j.mseb.2005.08.092⟩ Article dans une revue istex hal-05324723v1
2D analysis of functional stress degradations on power VDMOS transistor B. Beydoun,M. Zoaeter,A. Alaeddine,I. Rachidi,F. Bahsounet al. Microelectronics International, 2004, 21 (2), pp.16-22. ⟨10.1108/13565360410531971⟩ Article dans une revue istex hal-05324730v1
Analysis and Simulation of Functional Stress Degradation on VDMOS Power Transistors M. Zoaeter,B. Beydoun,M. Hajjar,M. Debs,J-P Charles Active and Passive Electronic Components, 2002, 25 (3), pp.215-223. ⟨10.1080/08827510213500⟩ Article dans une revue hal-04106688v1
Méthodologie d'approche pour la conception des transistors VDMOS de puissance B. Beydoun,Henri Tranduc,F. Oms,A. Peyre Lavigne,P. Rossel Journal de Physique III, 1994, 4 (10), pp.1939-1955. ⟨10.1051/jp3:1994249⟩ Article dans une revue istex jpa-00249234v1
Evaluation des performances du transistor MOS de puissance sur carbure de silicium. Compromis résistance passante, tenue en tension et vitesse de commutation B. Beydoun,P. Rossel,Henri Tranduc,G. Charitat Journal de Physique III, 1994, 4 (8), pp.1383-1396. ⟨10.1051/jp3:1994207⟩ Article dans une revue istex jpa-00249191v1
Méthodologie d'approche pour la conception des transistors VDMOS de puissance B. Beydoun,H. Tranduc,F. Oms,A. Peyre Lavigne,Pierre Rossel Journal de Physique III, 1994, 4 (10), pp.1939-1955. ⟨10.1051/jp3:1994249⟩ Article dans une revue istex hal-05324785v1

Communication dans un congrès (7)

A solution for channel electron migration in normally-off MIS-HEMT with buried fluorine ions Frédéric Morancho,Saleem Hamady,Bilal Beydoun 29th International Conference on Microelectronics (ICM 2017), Dec 2017, Beirut, Lebanon. ⟨10.1109/ICM.2017.8268868⟩ Communication dans un congrès hal-01710524v1
HEMT with fluorine implanted below the AlGaN/GaN interface for normally-off operation Saleem Hamady,Frédéric Morancho,Bilal Beydoun,Patrick Austin,Mathieu Gavelle 20th LAAS International Science Conference Advanced Research for Better Tomorrow, Mar 2014, Hadath, Lebanon Communication dans un congrès hal-00994826v1
P-doped region below the AlGaN/GaN interface for normally-off HEMT Saleem Hamady,Frédéric Morancho,Bilal Beydoun,Patrick Austin,Mathieu Gavelle 16th Conference on Power Electronics and Applications, EPE’14-ECCE Europe, Aug 2014, Lappeenranta, Finland. pp.1 - 8, ⟨10.1109/EPE.2014.6910769⟩ Communication dans un congrès hal-01108922v1
Hybrid normally-off AlGaN/GaN HEMT using GIT technique with a p-region below the channel Saleem Hamady,Frédéric Morancho,Bilal Beydoun,Patrick Austin,Mathieu Gavelle CSW 2014, May 2014, Montpellier, France Communication dans un congrès hal-01054235v1
Normally-Off AlGaN/GaN HEMT using fluorine implantation below the channel Saleem Hamady,Frédéric Morancho,Bilal Beydoun,Patrick Austin,Mathieu Gavelle Symposium en Génie Electrique 2014 (SGE 2014), Jul 2014, Cachan, France Communication dans un congrès hal-01955720v1
Un interrupteur GaN HEMT normally-off grâce à des ions fluor implantés sous l'interface AlGaN/GaN Saleem Hamady,Frédéric Morancho,Bilal Beydoun,Patrick Austin,Mathieu Gavelle Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France Communication dans un congrès hal-01065392v1
Scalable normally-off MIS-HEMT using Fluorine implantation below the channel Saleem Hamady,Frédéric Morancho,Bilal Beydoun,Patrick Austin,Mathieu Gavelle SPEEDAM 2014, Jun 2014, Ischia, Italy Communication dans un congrès hal-01054228v1

Thèse (2)

New concepts for normally-off power Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) Saleem Hamady Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Universite Toulouse III Paul Sabatier, 2014. English. ⟨NNT : ⟩ Thèse tel-01132563v1
Simulation et conception des transistors M.O.S de puissance B. Beydoun Electronique. Unversité Paul Sabatier de Toulouse, 1994. Français. ⟨NNT : 1994TOU30163⟩ Thèse tel-05314584v1

HDR (1)

Caractérisation et Simulation des Transistors MOS sous Stress Electrique et Thermique B. Beydoun Sciences de l'ingénieur [physics]. Université Paul Sabatier (Toulouse 3), 2007 HDR tel-04620434v1