Camille Sonneville Camille Sonneville : Maitre de conférence à l'INSA de Lyon

Identifiants chercheurs

IdHAL :

camille-sonneville

ORCID :

0000-0001-8094-5618

IdRef :

18591439X

Présentation

INSA Lyon - Laboratoire ampère

Laboratoire ampère UMR5005 Campus de la Doua 69621 Villeurbanne cedex

camille.sonneville@insa-lyon.fr

Thèmes de recherches :

De manière générale Camille Sonneville travaille sur la caractérisation spectroscopique et optiques des matériaux sous contraintes sévères : tension, température et pression...

Après une thèse sur la caractérisation par spectroscopie vibrationnelle (Raman et Brillouin) des verres d'oxydes, elle a effectué un post-doctoral à l'université de Montréal suivi d'un ATER à l'ENS Paris Saclay où elle a pu poursuivre ses travaux de recherches sur la caractérisation spectroscopique des matériaux, en particulier des composés de lanthanides, composés de terre rare, des verre, perovskite et polymères...

Elle a intégrée l'INSA de Lyon en 2017 en tant qu'ATER et a rejoint le laboratoire Ampère en 2018 en tant que maitre de conférence où elle fait partie du département énergie électrique. Ses travaux au laboratoire Ampère concernent principalement la

caractérisation physique

par méthodes optiques et electro-optique des

composants de puissance à grand gap

(SiC, GaN et diamant).

Enseignement :

Camille Sonneville est titulaire de l'agrégation de physique option physique depuis 2009.

Elle a enseigné en préparation à l'agrégation de physique de l'ENS Cachan, en classe préparatoire (PCSI) au lycée Janson de sailly (Paris) et en PC au lycée des Chartreux (Lyon), ainsi qu'à l'IUT Lyon 1.

Depuis 2017, elle enseigne la physique en Formation Initiale au Métier de l'Ingénieur (FIMI) de l'INSA de Lyon. En particulier l'optique géométrique et ondulatoire, l'électrocinétique, l'électromagnetisme et les outils mathématiques pour les sciences de l'ingénieur.

Publications

Article dans une revue (34)

Stress and doping analysis of low n-doped GaN layers on various substrates by micro-Raman mapping Ndembi Ignoumba-Ignoumba,Camille Sonneville,Thomas Kaltsounis,Vishwajeet Maurya,Hala El Rammouzet al. Applied Physics Letters, 2026, 128 (12), ⟨10.1063/5.0325369⟩ Article dans une revue hal-05577908v1
Electrical Characterization of HV (10 Kv) Power 4H-SiC Bipolar Junction Transistor Pierre Brosselard,Brenda Fosso-Sob,Dominique Planson,Pascal Bevilacqua,Camille Sonnevilleet al. Key Engineering Materials, 2025, 1021, pp.1-6. ⟨10.4028/p-T0Vjdb⟩ Article dans une revue hal-05293324v1
Matching Physical and Electrical Measurements (OBIC) to Simulation (FEM) on High Voltage Bipolar Diodes Dominique Planson,Camille Sonneville,Pascal Bevilacqua,Pierre Brosselard,Mihai Lazaret al. Key Engineering Materials, 2025, 1023, pp.1-6. ⟨10.4028/p-0v5tyE⟩ Article dans une revue hal-05293312v1
Physical and electrical characterizations of low n-doped MOCVD GaN-on-sapphire layers for power electronics applications Ndembi Ignoumba-Ignoumba,Camille Sonneville,Adrien Bidaud,Pierre Brosselard,Eric Frayssinetet al. Power Electronic Devices and Components, 2025, 11, pp.100100. ⟨10.1016/j.pedc.2025.100100⟩ Article dans une revue hal-05099383v1
New insights in vertical GaN-on-GaN Schottky diode by Raman, cathodoluminescence and electrical characterizations Vishwajeet Maurya,Daniel Alquier,Maroun Dagher,Camille Sonneville,Dominique Plansonet al. Materials Science in Semiconductor Processing, 2025, 198, pp.109681. ⟨10.1016/j.mssp.2025.109681⟩ Article dans une revue hal-05099324v1
A Novel Isolation Approach for GaN-Based Power Integrated Devices Zahraa Zaidan,Nedal Al Taradeh,Mohammed Benjelloun,Christophe Rodriguez,Ali Soltaniet al. Micromachines, 2024, 15 (10), pp.1223. ⟨10.3390/mi15101223⟩ Article dans une revue hal-04850893v1
Design and Characterization of an Optical 4H-SiC Bipolar Junction Transistor Pierre Brosselard,Dominique Planson,Dominique Tournier,Pascal Bevilacqua,Camille Sonnevilleet al. Solid State Phenomena, 2024, 360, pp.127-131. ⟨10.4028/p-sj87Lx⟩ Article dans une revue hal-04677726v1
Visualization of P+ JTE embedded rings used for peripheral protection of high voltage Schottky diodes by the Optical Beam Induced Current (OBIC) technique Dominique Planson,Dominique Tournier,Pascal Bevilacqua,Camille Sonneville,Pierre Brosselardet al. Solid State Phenomena, 2024, 360, pp.119-125. ⟨10.4028/p-d65YuN⟩ Article dans une revue hal-04677706v1
Advanced characterization of SiC devices by optical beam induced current (OBIC): Experimental and simulation results Dominique Planson,Dominique Tournier,Camille Sonneville,Pascal Bevilacqua,Luong Viet Phunget al. Materials Science in Semiconductor Processing, 2024, 178, pp.108444. ⟨10.1016/j.mssp.2024.108444⟩ Article dans une revue hal-04664143v1
Electrical characteristics and trap signatures for Schottky barrier diodes on 4H-SiC, GaN-on-GaN, AlGaN/GaN epitaxial substrates Shikha Kumari,Rashmi Singh,Shivam Kumar,N. V. L. Narasimha Murty,Dominique Plansonet al. Semiconductor Science and Technology, 2024, 39 (6), pp.065016. ⟨10.1088/1361-6641/ad4a65⟩ Article dans une revue hal-04574648v2
Design, Fabrication and Characterization of 10 kV 4H-SiC BJT for the Phototransistor Target Ali Ammar,Mihai Lazar,Bertrand Vergne,Sigo Scharnholz,Luong Viêt Phunget al. Romanian Journal of Information Science and Technology, 2023, 26 (2), pp.193-204. ⟨10.59277/ROMJIST.2023.2.06⟩ Article dans une revue hal-04276812v1
Electrical Behavior of Vertical Pt/Au Schottky Diodes on GaN Homoepitaxy Maroun Dagher,Camille Sonneville,Georges Bremond,Dominique Planson,Eric Frayssinetet al. Physica Status Solidi A (applications and materials science), 2023, ⟨10.1002/pssa.202200841⟩ Article dans une revue (article de synthèse) hal-04111725v1
Micro-Raman Spectroscopy Study of Vertical GaN Schottky Diode Atse Julien Eric N’dohi,Camille Sonneville,Soufiane Saidi,Thi Huong Ngo,Philippe de Mierryet al. Crystals, 2023, 13 (5), pp.713. ⟨10.3390/cryst13050713⟩ Article dans une revue hal-04099071v1
Influence of Fluorine implantation on the physical and electrical characteristics of GaN-on-GaN vertical Schottky diode. Vishwajeet Maurya,Julien Buckley,Daniel Alquier,Helge Haas,Mohamed-Reda Irektiet al. Microelectronic Engineering, 2023, 274, pp.111975. ⟨10.1016/j.mee.2023.111975⟩ Article dans une revue hal-04092722v1
Deep Level Transient Fourier Spectroscopy (DLTFS) and Isothermal Transient Spectroscopy (ITS) in vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diodes P. Vigneshwara Raja,Christophe Raynaud,Camille Sonneville,Hervé Morel,Luong Viet Phunget al. Micro and Nanostructures, 2022, 172, pp.207433. ⟨10.1016/j.micrna.2022.207433⟩ Article dans une revue hal-04032160v1
Micro-Raman characterization of homo-epitaxial n doped GaN layers for vertical device applications Atse Julien Eric N’dohi,Camille Sonneville,Luong Viet Phung,Thi Huong Ngo,Philippe de Mierryet al. AIP Advances, 2022, 12 (2), pp.025126. ⟨10.1063/5.0082860⟩ Article dans une revue hal-03582833v1
Design and Methodology of Silicon Carbide High Voltage Termination Extension for Small Area BJTs Ali Ammar,Luong Viêt Phung,Dominique Planson,Hervé Morel,Camille Sonneville Materials Science Forum, 2022, 1062, pp.613-618. ⟨10.4028/p-vms03o⟩ Article dans une revue hal-03703994v1
Comprehensive characterization of vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diodes P. Vigneshwara Raja,Christophe Raynaud,Camille Sonneville,Atse Julien Eric N’dohi,Hervé Morelet al. Microelectronics Journal, 2022, 128, pp.105575. ⟨10.1016/j.mejo.2022.105575⟩ Article dans une revue hal-03826217v1
Enhanced Resonant Raman Scattering of GaN Functional Layers Using Al Thin Films - A Versatile Tool for Multilayer Structure Analysis Alina Muravitskaya,Anna Rumyantseva,Atse Julien Eric N’dohi,Camille Sonneville,Dominique Plansonet al. Materials Science Forum, 2022, 1062, pp.293-297. ⟨10.4028/p-5p0qg2⟩ Article dans une revue hal-03702821v1
4H-SiC PiN diode protected by narrow field rings investigated by the micro-OBIC method Dominique Planson,Camille Sonneville,Pascal Bevilacqua,Luong Viêt V Phung,Besar Asllaniet al. Materials Science Forum, 2022, 1062, pp.341-345. ⟨10.4028/p-2ch22f⟩ Article dans une revue hal-03689424v1
Characterization of m-GaN and a-GaN Crystallographic Planes after Being Chemically Etched in TMAH Solution Nedal Al Taradeh,Eric Frayssinet,Christophe Rodriguez,Frédéric Morancho,Camille Sonnevilleet al. Energies, 2021, 14 (14), pp.4241. ⟨10.3390/en14144241⟩ Article dans une revue hal-03452669v1
Interest of using a micro-meter spatial resolution to study SiC semi-conductor devices by Optical Beam Induced Current (OBIC) Camille Sonneville,Dominique Planson,Luong Viêt Phung,Pascal Bevilacqua,Besar Asllani Materials Science Forum, 2020, 1004, pp.290. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.290⟩ Article dans une revue hal-02925178v1
Structure—longitudinal sound velocity relationships in glassy anorthite (CaAl2Si2O8) up to 20 GPa: An in situ Raman and Brillouin spectroscopy study Benjamin J.A. Moulton,Grant Henderson,Christine Martinet,Valérie Martinez,Camille Sonnevilleet al. Geochimica et Cosmochimica Acta, 2019, 261, pp.132-144. ⟨10.1016/j.gca.2019.06.047⟩ Article dans une revue istex hal-02181588v1
Analytical fitting of temperature-dependent spin-flip transitions in absorption spectra of Cr3+-doped silicate glasses Joe Harris,Camille Sonneville,Olivier Villain,Georges Calas,Christian Reber Chemical Physics Letters, 2019, 2, pp.100003. ⟨10.1016/j.cpletx.2018.100003⟩ Article dans une revue hal-02135558v1
The structure of haplobasaltic glasses investigated using X-ray absorption near edge structure (XANES) spectroscopy at the Si, Al, Mg, and O K -edges and Ca, Si, and Al L 2,3 -edges Benjamin J.A. Moulton,Grant Henderson,Camille Sonneville,Cedrick O'Shaughnessy,Lucia Zuinet al. Chemical Geology, 2016, 420, pp.213-230. ⟨10.1016/j.chemgeo.2015.11.016⟩ Article dans une revue hal-02135605v1
Nano-Nonanuclear Mixed-Lanthanide Clusters [Eu9–xTbx] Featuring Tunable Dual Luminescence Properties Djamila Guettas,Cristina M. Balogh,Camille Sonneville,Ylane Malicet,Florian Lepoivreet al. European Journal of Inorganic Chemistry, 2016, 2016 (24), pp.3932-3938. ⟨10.1002/ejic.201600412⟩ Article dans une revue istex hal-01355833v1
In situ structural changes of amorphous diopside (CaMgSi2O6) up to 20GPa: A Raman and O K-edge X-ray Raman spectroscopic study Benjamin J.A. Moulton,Grant Henderson,Hiroshi Fukui,Nozomu Hiraoka,Dominique de Lignyet al. Geochimica et Cosmochimica Acta, 2016, 178, pp.41-61. ⟨10.1016/j.gca.2016.01.020⟩ Article dans une revue hal-02135596v1
Pressure-independent Brillouin Fiber Optic Sensors for temperature measurements C. Sonneville,S. Degioanni,C. Martinet,D. de Ligny,V. Martinezet al. Journal of Non-Crystalline Solids, 2014, 401, pp.36-39. ⟨10.1016/j.jnoncrysol.2014.01.029⟩ Article dans une revue hal-02135585v1
In situ Brillouin study of sodium alumino silicate glasses under pressure C. Sonneville,D. de Ligny,A. Mermet,B. Champagnon,C. Martinetet al. The Journal of Chemical Physics, 2013, 139 (7), pp.074501. ⟨10.1063/1.4818335⟩ Article dans une revue hal-02108413v1
Permanent densification of compressed silica glass: a Raman-density calibration curve T Deschamps,A Kassir-Bodon,C Sonneville,J. Margueritat,C. Martinetet al. Journal of Physics: Condensed Matter, 2013, 25 (2), pp.025402. ⟨10.1088/0953-8984/25/2/025402⟩ Article dans une revue hal-02108399v1
Polyamorphic transitions in silica glass Camille Sonneville,Thierry Deschamps,Christine Martinet,Dominique de Ligny,Alain Mermetet al. Journal of Non-Crystalline Solids, 2013, 382, pp.133-136. ⟨10.1016/j.jnoncrysol.2012.12.002⟩ Article dans une revue istex hal-02135544v1
Progressive transformations of silica glass upon densification C. Sonneville,A. Mermet,B. Champagnon,C. Martinet,J. Margueritatet al. The Journal of Chemical Physics, 2012, 137 (12), pp.124505. ⟨10.1063/1.4754601⟩ Article dans une revue hal-02108422v1
Hysteretically reversible phase transition in a molecular glass Bora Kalkan,Camille Sonneville,C. Martinet,Bernard Champagnon,B. Aitkenet al. The Journal of Chemical Physics, 2012, 137 (22), pp.224503. ⟨10.1063/1.4769794⟩ Article dans une revue hal-04548884v1
Laser-induced structural changes in pure GeO2 glasses Lena Bressel,Dominique de Ligny,Camille Sonneville,Valérie Martinez-Andrieux,Saulius Juodkazis Journal of Non-Crystalline Solids, 2011, 357 (14), pp.2637-2640. ⟨10.1016/j.jnoncrysol.2011.03.014⟩ Article dans une revue istex hal-02135589v1

Communication dans un congrès (27)

Physical and electrical characterization of wide band gap for power electronic application Camille Sonneville,Enora Vuillermet,Ndembi Ignoumba-Ignoumba,Maroun Dagher,Nhan Tranet al. Société Française de Physique, Jun 2025, Troyes, France Communication dans un congrès hal-05097944v1
Raman and photoluminescence characterization of β-Ga2O3 for power electronic application Enora Vuillermet,Camille Sonneville,Changzi Lu,Pierre Brosselard,Jean-Marie Bluetet al. WORKSHOP ON GALLIUM OXIDE AND RELATED MATERIALS, Sep 2025, Grenoble, France Communication dans un congrès hal-05317962v1
Stress and doping analysis of low n-doped GaN layers grown on GaN, silicon and sapphire substrates by micro-Raman 2. Physics and characterization Ndembi Ignoumba-Ignoumba,Camille Sonneville,Adrien Bidaud,Mohammed El Amrani,Thibaud Guilleminet al. ICNS-15 - the 15th International Conference on Nitride Semiconductors, Jul 2025, Malmö, Sweden Communication dans un congrès hal-05097968v1
Probing Fermi Energy and Temperature-Dependent Shifts in Doped Homo-Epitaxial GaN Layers Using Micro-Raman Spectroscopy Aomar Ezza,Denis Machon,Ali Soltani,Camille Sonneville,Andreas Ruedigeret al. ICNS-15 - the 15th International Conference on Nitride Semiconductors, Jul 2025, Malmö, Sweden Communication dans un congrès hal-05348023v1
Mesures µ-OBIC sur diode bipolaire Diamant : une première ! Dominique Planson,Camille Sonneville,Gabrielle Moulin,Karine Isoird,Florent Sevelyet al. Symposium de Génie Electrique (SGE 2025), Jul 2025, Toulouse, France Communication dans un congrès hal-05146836v1
Peripheral defects related to processing technique in GaN-on-GaN vertical devices M Dagher,G Brémond,Camille Sonneville,Dominique Planson,H Haaset al. Workshop on Nitride Semiconductors IWN 2024, Nov 2024, O'ahu (Honolulu), United States Communication dans un congrès hal-04855750v1
Electrical characterization of HV (10 kV) Power 4H-SiC Bipolar Junction Transistor Pierre Brosselard,Brenda Fosso-Sob,Dominique Planson,Pascal Bevilacqua,Camille Sonnevilleet al. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Sep 2024, Raleigh (North Carolina), United States. pp.126-128 Communication dans un congrès hal-04677764v1
Carrier density analysis in stressed n-doped GaN layers on sapphire Ndembi Ignoumba-Ignoumba,Camille Sonneville,Éric Frayssinet,Adrien Bidaud,Florian Bartoliet al. GaN Marathon, Jun 2024, Vérone, Italy Communication dans un congrès hal-04639487v1
Impact of Substrate Quality on Vertical GaN-on-GaN Schottky and PiN Devices M Dagher,Camille Sonneville,Dominique Planson,V Maurya,J Buckleyet al. e-MRS Fall Meeting, Sep 2024, Varsovie (Warsaw), Poland Communication dans un congrès hal-04855745v1
Matching physical and electrical measurements (OBIC) to simulation (FEM) on high voltage bipolar diodes Dominique Planson,Camille Sonneville,Pascal Bevilacqua,Pierre Brosselard,Mihai Lazaret al. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Sep 2024, Raleigh (North Carolina), United States. pp.591-592 Communication dans un congrès hal-04680725v1
Vertical pin diodes on large freestanding (100) diamond film M.A. Pinault-Thaury,Mohamed Bouras,Rémi Gillet,Ingrid Stenger,François Jomardet al. 2023 EUROPEAN MATERIALS RESEARCH SOCIETY Spring Meeting, EUROPEAN MATERIALS RESEARCH SOCIETY, May 2023, Strasbourg, France Communication dans un congrès hal-04219862v1
Visualization of P$^+$ JTE embedded rings used for peripheral protection of high voltage Schottky diodes by the Optical Beam Induced Current (OBIC) technique Dominique Planson,D. Tournier,Pascal Bevilacqua,Camille Sonneville,Pierre Brosselardet al. ICSCRM 2023 - International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2023, Sorrente, Italy Communication dans un congrès hal-04218429v1
Design and Characterization of an Optical 4H-SiC Bipolar Junction Transistor Pierre Brosselard,Dominique Planson,D. Tournier,Pascal Bevilacqua,Camille Sonnevilleet al. ICSCRM 2023 - International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2023, Sorrente, Italy Communication dans un congrès hal-04222211v1
Emerging trends in OBIC characterization technique for Wide Bandgap semiconductor devices Dominique Planson,Camille Sonneville,Pascal Bevilacqua,Dominique Tournier International Semiconductor Conference (CAS-2023), IMT Bucharest, Oct 2023, Sinaia, Romania. pp.3-10, ⟨10.1109/CAS59036.2023.10303647⟩ Communication dans un congrès hal-04238355v1
Micro-Raman characterization of vertical GaN Schottky and PN diodes Camille Sonneville,Vishwajeet Maurya,Maroun Dagher,Adam Mohamed Kaywah,Eric Frayssinetet al. 46th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe and 17th Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies (WOCSDICE-EXMATEC 2023), May 2023, Palerme, Italy Communication dans un congrès hal-04170420v1
Toward an Innovative Monolithic Integration of Vertical and Lateral GaN Devices Zahraa Zaidan,Nedal Al Taradeh,Christophe Rodriguez,Abdelatif Jaouad,Ali Soltaniet al. Conférence Euro-méditerranéenne Matériaux, Composants et Systèmes EMCM-DS, Oct 2022, Fes, Morocco Communication dans un congrès hal-03946187v1
Multiphysics Characterizations of Vertical GaN Schottky Diodes Atse Julien Eric N’dohi,Camille Sonneville,Soufiane Saidi,Thi Huong Ngo,P. de Mierryet al. 2022 Compound Semiconductor Week (CSW), Jun 2022, Ann Arbor, United States. pp.1-2, ⟨10.1109/CSW55288.2022.9930447⟩ Communication dans un congrès hal-03844585v1
Caractérisation par spectroscopie micro-Raman de diodes GaN Schottky Camille Sonneville,Atse Julien Eric N’dohi,S Saidi,T H Ngo,P. de Mierryet al. Conférence Internationale Matériaux, Oct 2022, Lille, France Communication dans un congrès hal-03844887v1
Influence of Fluorine implantation on the electrical characteristics of GaN-on-GaN vertical Schottky and P-N diodes Vishwajeet Maurya,Julien Buckley,Helge Haas,Mohamed Reda Irekti,Matthew Charleset al. E-MRS 2022, Sep 2022, Varsovie, Poland Communication dans un congrès cea-03968026v1
Optimized Junction Termination Extension and Ring System for 11 kV 4H-SiC BJT Ali Ammar,Mihai Lazar,Bertrand Vergne,Sigo Scharnholz,Luong Viêt Phunget al. 2022 International Semiconductor Conference (CAS 2022), Oct 2022, Poiana Brasov, Romania. pp.191-194, ⟨10.1109/CAS56377.2022.9934390⟩ Communication dans un congrès hal-03856578v1
Electrical behavior of vertical Schottky diodes on GaN homoepitaxy M Dagher,Camille Sonneville,Georges Bremond,Dominique Planson,Yvon Cordieret al. IWN 2022 - International Workshop on Nitride Semiconductors, Oct 2022, Berlin, Germany Communication dans un congrès hal-03854620v1
Enhanced Resonant Raman scattering of GaN functional layers using Al thin films -a versatile tool for multilayer structure analysis Alina Muravitskaya,Anna Rumyantseva,Atse Julien Eric N’dohi,Camille Sonneville,Dominique Plansonet al. ECSCRM2020-2021, Oct 2021, Tours, France Communication dans un congrès hal-03410757v1
MULTIPHYSICS CHARACTERIZATIONS OF VERTICAL GaN SCHOTTKY DIODES Atse Julien Eric N’dohi,Camille Sonneville,Soufiane Saidi,Thi Huong Ngo,P. de Mierryet al. POWER 2021 (IMAPS), Nov 2021, Tours, France Communication dans un congrès hal-03676940v1
Homo epitaxial n-doped GaN layers investigation using Raman Spectroscopy for Vertical device applications Atse Julien Eric N’dohi,Camille Sonneville,Thi Huong Ngo,P. de Mierry,Éric Frayssinetet al. EXMATEC / WOCSDICE 2021 : 15th Expert Evaluation and Control of Compounds of Semiconductor Materials and Technologies, Jun 2021, Bristol, United Kingdom Communication dans un congrès hal-03676503v1
4H-SiC PiN diode protected by narrow field rings investigated by the micro-OBIC method Dominique Planson,C Sonneville,Pascal Bevilacqua,L V Phung,B Asllaniet al. ECSCRM 2020-2021, Oct 2021, Tours, France Communication dans un congrès hal-03410274v1
Effects of the laser beam size on the Optical Beam Induced Current (OBIC) for the study of Wide Band Gap (WBG) Semi-Conductor Devices Camille Sonneville,Dominique Planson,Luong Viêt Phung,Besar Asllani,Pascal Bevilacqua Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits 2019 (WOCSDICE 2019), Jun 2019, Cabourg, France Communication dans un congrès hal-02164000v1
Interest of using a micro-meter spatial resolution to study SiC semi-conductor devices by Optical Beam Induced Current (OBIC) Camille Sonneville,Dominique Planson,Luong Viêt Phung,Pascal Bevilacqua,Besar Asllani International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019, Sep 2019, Kyoto, Japan. pp.Mo-P-23 Communication dans un congrès hal-02428502v1

Poster de conférence (5)

Characterization of β-Ga2O3 and device fabrication Enora Vuillermet,Changzi Lu,Camille Sonneville,Pierre Brosselard,Jean-Marie Bluetet al. Société Française de Physique, Jun 2025, Troyes, France Poster de conférence hal-05099267v1
Diode PIN verticale sur diamant (100) autosupporté à base de couches i et n dopées phosphore Florent Sevely,Rachel Grosset-Darracq,Karine Isoird,Josiane Tasselli,Mohamed Bouraset al. Symposium de Génie Électrique SGE 2025, Jul 2025, TOULOUSE, France. 2025 Poster de conférence hal-05153567v1
Carrier density analysis in stressed n-doped GaN on sapphire layers Ndembi Ignoumba-Ignoumba,Camille Sonneville,Éric Frayssinet,Adrien Bidaud,Florian Bartoliet al. GaN Marathon 2024, Jun 2024, Verona, Italy. 2024 Poster de conférence hal-05054677v1
Realization and characterization of vertical PIN diode on 100 diamond Florent Sevely,Josiane Tasselli,Karine Isoird,Luong Viêt Phung,Camille Sonnevilleet al. 33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2023, Palma, Spain. , 2023 Poster de conférence hal-04193251v1
Study of surface oxides modifications on nitinol electrodes during electroporation protocols and possible consequences Théo Le Berre,Pauline Bregigeon,Marie Frénéa-Robin,Andrei Sabac,Camille Sonnevilleet al. 4th World Congress on Electroporation, Oct 2022, Copenhagen, Denmark Poster de conférence hal-04083827v1

Thèse (1)

Étude des propriétés élastiques des verres d’oxydes sous haute pression : implications structurales Camille Sonneville Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]. Université Claude Bernard - Lyon I; University of Toronto, 2013. Français. ⟨NNT : 2013LYO10114⟩ Thèse tel-01161730v1