Charles Renard

Présentation

Curriculum Vitae

Charles Renard

3 Chemin des Patissiaux, 78114 Magny les Hameaux

Née le 07 mars 1977 à Villeneuve-Saint-Georges (94)

Nationalité Français

Marié, 2 enfants

Titres universitaires

2019

2005

2001

2000

- Habilitation à diriger des recherches,

Sujet : Intégration de semiconducteurs III-V et IV-IV sur silicium à l’échelle nanométrique, Université Paris-Sud 11

- Doctorat en Sciences des Matériaux, spécialité couches minces

Sujet de thèse : « Hétérostructures antimoniures/arséniures pour les applications optoélectronique dans le moyen infrarouge », Université Paris VII-Denis Diderot.

- DEA Sciences des Matériaux, spécialité couches minces

Université Paris VII-Denis Diderot

- Maîtrise de Physique, spécialité physique de l’état cristallin et des composants Université Paris VII-Denis Diderot

**Parcours**Depuis Juin 2016

Octobre 2012

2008 - 2012

Jan 08 - juin 08

Sept 06 –Déc 07

Jan 06 – Sept 06

Mars 02 - Déc 05

Oct 01- Jan 02

- Chargé de Recherche CNRS classe normale au C2N (UMR 9001)

Responsable de l’opération SEEDs du département Matériaux du C2N

- Chargé de Recherche CNRS 1ère classe à l’IEF (UMR 8622)

Responsable de l’opération HETERNA (département nanoélectronique de l’IEF)

- Chargé de Recherche CNRS 2ème classe, affecté à l’Institut d’Electronique Fondamentale (UMR 8622) dans l’opération HETERNA

En charge de l’intégration hétérogène des matériaux Ge, et III-V sur silicium

- Post-doctorat à IMEC vzw, Epitaxial Group, Leuven, Belgique

Programme Explore Ge/III-V : En charge de l’intégration par MBE des matériaux GaAs et GaInAs sur GeOI, et de la passivation de surface de III-V avec un oxyde high-K, pour les dispositifs CMOS sub-15nm

- Post-doctorat au CNRS (Institut d’Electronique Fondamentale), Equipe SiGeC et Nanostructures, Orsay, France

En charge de l’élaboration par UHV-CVD et de l’étude de nanostructures avancées pour le MOSFET Ultime

- Publications d’articles scientifiques

- Doctorat à ALCATEL-THALES III-V Lab, Hétérostructures pour Applications Optroniques, Palaiseau, France.

Responsable de l’élaboration par MBE et de la caractérisation des composants antimoniures/arséniures pour les applications optroniques dans le moyen infrarouge

- Vacataire d’enseignement, Université Paris VII

Chargé de TD de cristallographie (pour les étudiants en maîtrise de physique)

**Fonction actuelle**

Responsable de l’opération SEEDs (Selective Engineering Epitaxy for Disruptive Devices) du département Matériaux du C2N (l’équipe a compté au maximum 8 personnes dont moi, 4 permanents et 4 non-permanents).

· Thèmes de recherche

Elaboration et caractérisation d'hétérostructures innovantes (matériaux III-V et IV-IV) à l'échelle nanométrique pour intégration monolithique sur silicium

Compréhension des propriétés physico-chimiques par l'analyse structurale des nanostructures et la connaissance des mécanismes de croissance

Etude corrélative des propriétés structurales et électriques de matériaux fonctionnels Ge/Si et GaAs/Si pour des applications électroniques, optiques et de conversion d'énergie (photovoltaïque, thermoélectricité…)

Etude du dopage de nanostructures

Techniques de croissances de matériaux en couches minces et maintenance des équipements:

- Dépôt chimique en phase gazeuse sous ultravide (UHV-CVD), épitaxie par jets moléculaires et chimiques (MBE et CBE), Ablation laser pulsé (PLD),

- Réalisation de pseudo-substrats de Ge et GaAs sur SiO2, de structures MOS et de nanofils Si et Ge par UHV-CVD

- Réalisation de lasers à cascade quantique et de détecteurs (fenêtre atmosphérique 3-5µm), et de structure MOSFET III-V par épitaxie par jets moléculaires (MBE)

- Dépôt d’oxyde (Al2O3, Gd2O3, Ga2O3, HfO2…), et de métaux de grille (TaN, TiN…)

- Développement et maintenance des bâtis CBE, MBE et UHV-CVD

Caractérisation et Analyse :

Caractérisation chimique et structurale des surfaces et des couches minces (RHEED, TEM, MEB, HRXRD, EDX, AFM, XPS, AES), caractérisation électrique (effet Hall), caractérisation optique (photoluminescence, ellipsométrie, Raman)

Salle Blanche :

Procédés standards utilisés dans la filière MOS/CMOS, gravure humide et sèche, dépôts (PECVD, pulvérisation cathodique,…), lithographie électronique et optique, oxydation, ...

Simulation et optimisation

- Simulation de profils de diffraction de rayons X en mode haute résolution (logiciel commercial X’Pert Epitaxy)

- Optimisation d’analyse des données par programmation (ORIGIN, EXCEL, C-C++)

Utilisation de matériels de physique complexes et encadrement :

- Responsable de l’entretien et du développement du cluster-tool CBE IV-IV et III-V de l’équipe HETERNA

- Encadrement des doctorants et post-doctorants pour les manipulations complexes

Veille documentaire, communication et publication :

- Veille technologique et suivi scientifique en optoélectronique, électronique et physique des matériaux

- Rédaction de projets scientifiques pour différents contrats (ANR, projet Européen, projet RTRA, RBUCE-UP, LABEX...)

- Rédaction de rapports et présentation orale des résultats auprès des intervenants (industriels et universitaires) des différents contrats (Projets Européens, ANR, ...)

- Rédaction d’articles de recherche dans plusieurs revues scientifiques et dépôt de brevet

- Participation à des conférences internationales, présentation d’exposés

- Enseignement de la physique à différents publics (de l’école primaire à l’Université)

- Écriture d’articles de vulgarisation scientifique pour le site Internet de l’association ‘La main à la pâte’ (rubrique Astronomie et espace )

Loisirs :

Voyage à vélo, jardinage, bricolage, pratiquant d’Aikibudo

Autres :

Conseiller municipal de la commune de Magny-Les-Hameaux

Activités d'enseignement

Depuis 2013 : Participation à l’enseignement de micro-nano-technologies : introduction aux procédés «salle blanche» (http://www.adum.fr/psaclay/formations.pl?mat=192928). En charge du cours sur les contaminations de surfaces, cours à l’attention des doctorants et des demandeurs extérieurs (autres labos, industriels, …)

Oct 01- Jan 02 : Vacataire d’enseignement, Université Paris VII, Chargé de TD de cristallographie (pour les étudiants en maîtrise de physique)

Activités liées à l'administration

2010-2016 : Membre élu à la commission paritaire de l’IEF

2012-2016 : Membre nommé du conseil de département nanoélectronique de l’IEF

Depuis 2016 : Membre nommé du conseil de département Matériaux du C2N

Depuis 2017 : Membre élu (représentant AB) du Comité Local d'Hygiène, de Sécurité et des Conditions de Travail (CLHSCT) du C2N.

Activités liées à la recherche

- Expertises de projets pour l’ANR

- Participation à plusieurs jurys de thèse en tant qu’examinateur

- Referee régulier pour Journal of Crystal Growth et Progress in Photovoltaic

Administration liée à la recherche

Depuis 2017 - Membres du comité de pilotage de la plateforme de spectroscopies du GeePs

Depuis 2016 : responsable de l’équipe SEEDs (http://www.c2n.universite-paris-saclay.fr/fr/recherche/departement-materiaux/heterna/) du département Matériaux du C2N

Depuis 2012 : Contact local du GDR PULSE à l’IEF puis au C2N

2012 - 2016 : responsable de l’équipe HETERNA du département Nanoélectronique de l’IEF.

2009-2012 : Participation au réseau RTB « axe micro et nanoélectronique », en tant qu’experts RENATECH chargés de l'élaboration de la stratégie RTB

2008 - Participation à la rédaction (en tant que coordinateur/animateur IEF) du document de rapprochement IEF/LPN (axe matériaux) pour la création du C2N (Centre de Nanoscience et Nanotechnologie)

Programmes de recherche réalisés de 2002 à 2019:

Sujet : Alcatel Thales III-V lab : Réalisation d’hétérostructures antimoniures/arséniures pour les applications optoélectroniques dans le moyen infrarouge (2002-2005, Doctorat)

Ce projet consistait en l’élaboration par MBE et la caractérisation de lasers à cascade quantique (QCL) et de détecteurs antimoniures/arséniures pour le moyen infrarouge (fenêtre 3-5µm et 8-12µm). Ce projet a donné lieu à une première mondiale avec la réalisation d’un QCL à base d’antimoniure émettant à 4,5µm.

Sujet : PULLing the limits of NANOcmos electronics (Financement Projet Européen PULLNANO, IST-026828, 2006-2009)

Partenaires : IEF(Orsay), IMEC (Leuven), STMicroelectronics (Crolles), CEMES (toulouse), 38 partenaires au total.

Rôle : épitaxie latérale de Ge sur SiO2 pour intégration sur silicium

Le challenge de ce projet était la réalisation de GeOI local intégré sur Si avec le moins de défauts possible. En effet, la différence de paramètre de maille de 4% entre les deux matériaux rend impossible l’épitaxie de Ge en pleine plaque sur Si sans la création de nombreuses dislocations. L’idée maitresse du projet était basée sur l’hétéro-épitaxie latérale (ELO en anglais) de Ge sur un oxyde de silicium présentant des ouvertures de dimension nanométrique. Cette technique permettant aux matériaux épitaxiés de relaxer leurs paramètres de maille sans émission de dislocations. Lors de ce projet nous avons fait la démonstration de la réduction importante des défauts lors de la croissance ELO de Ge sur SiO2.

Sujet : Croissance / dopage de nanofils GeMn pour des applications sprintroniques (projet ANR blanc Mag2wires, financement 2007-2011)

Partenaires : IEF/UPSUD/CNRS, IS2M/CNRS/Université Mulhouse, CINAM/CNRS/Univer-sité Aix-Marseille.

Rôle : étude structurale, compréhension des mécanismes de croissance, développement de méthodes de dopage adaptées à la configuration des nanostructures

Le but de ce projet était de synthétiser des nanofils de Ge dopé Mn, par croissance VLS, pour des applications spintroniques. Ce projet nous a également permis de développer la croissance et l’étude des nanofils de Si et Ge.

Au cours de ce projet j’ai pu réaliser des études très intéressantes sur le facettage des nanofils de Si ou la cinétique de croissance dans les nanofils de Ge. J’ai également travaillé sur la synthèse d'hétérostructures Si/Ge dans les nanofils pour lesquelles nous avons étudié les déformations élastiques à l'interface.

En ce qui concerne plus particulièrement le projet Mag2wires sur la synthèse de nanofils GeMn, les nombreux tests effectués ont montré que le mode de croissance VLS avec le précurseur sélectionné (Tricarbonyl (methylcyclopentadienyl) manganese ou TCMn) ne permet pas d'incorporer le Mn dans les nanofils de Ge.

Sujet : Réalisation d’empilement de boîtes quantique de Ge pour application photovoltaïque (Projet SolarCell ) Funding source: US government (NSF) Collaborators in the project or Partenaires: IEF (ORSAY), Dr. Hani Tawancy, KFUPM (King Fahd University of Petroleum and Minerals), Dr. Osama Aboelfotoh North Carolina State University (NCSU) pour le dessin des structures, et Denis Mencaraglia LGEP (Orsay) pour les mesures d’efficacité des cellules.

Rôle : Réalisation par épitaxie des structures à boîtes quantique de Ge et procédés technologiques

Sujet : Cellules solaires multispectrales sur silicium cristallin (Programme de recherche MULTISOLSI ANR Progelec 2012-2016)

Partenaires : LGEP/SUPELEC/CNRS/UPSUD, CEMES/CNRS, IEF/UPSUD/CNRS

Rôle : Responsable scientifique pour l’IEF, intégration hétérogène de GaInAs sur Si

Le but de ce projet était de réaliser des cellules solaires multijonctions en intégrant les matériaux de la famille du GaInAs sur Si. Le challenge de ce projet est l’intégration hétérogène de GaInAs sur Si. En effet, la différence de paramètre de maille entre ces deux matériaux (supérieure à 4%) rend impossible leur épitaxie en pleine plaque sans la création de nombreuses dislocations. L’idée maitresse est basée sur l’hétéro-épitaxie latérale de GaInAs sur un oxyde ultra-mince de silicium présentant des ouvertures de dimension nanométrique. Cette technique permet aux matériaux épitaxiés de relaxer leurs paramètres de maille sans émission de dislocations.

Lors de ce projet nous avons fait la démonstration que l’épitaxie latérale (ELO) de GaAs sur une couche mince de SiO2 à partir de germe de nucléation nanométrique de Si conduit à la formation de µ-cristaux de GaAs de haute qualité sans émission de dislocations, ni de domaines d'antiphase. Les analyses en μ-Raman et en μ-PL, ont confirmé la bonne qualité des cristaux de GaAs ainsi réalisés. Nous avons également montré par imagerie EBIC et par des mesures au résiscope que le GaAs et le Si étaient connectés électriquement à travers la fine couche d’oxyde de silicium.

Ainsi, par rapport à d'autres méthodes hétéro-épitaxiales typiques de croissance de matériaux III-V sur silicium, cette méthode ELO est très prometteuse du point de vue de son application potentielle pour l'intégration monolithique III-V sur silicium, et, dans un deuxième temps, pour le développement d'un démonstrateur de cellule tandem GaAs/Si.

Sujet : EQUIPEX TEMPOS/ NANOMAX : observation in situ en temps réel à l'échelle atomique de la croissance de nanofils semiconducteurs.

Partenaires principaux : LPICM, IEF, LPN, LPS

Rôle : participation à la définition du cahier des charges du microscope et développement instrumental pour la croissance MO(CVD) de nanofils de Si, Ge, et GaAs et des systèmes hybrides GaAs/Ge et GaAs/Si. Cet equipement est opérationel depuis février 2019 en configuration MO(CVD) et je participe maintenant aux croissances in-situ.

Sujet : Générateurs thermoélectriques à base de nanofils Ge polyphasés (projet Nanoharvesting, financement LABEX/ nanodesign 2014-2016)

Partenaires : IEF, SOLEIL, LGEP,

Rôle : croissance et dopage in-situ des nanofils par CBE

Sujet : Ge/GaAs COre-Shell Integrated Nanostructures for tandem solar cELL application

Projet COSINELL, financement CNANO Dim Nano-K pour 12 mois de post-doctorat (2016-2017)

Organismes : C2N, GeePs

Rôle : Porteur du projet, encadrement du post-doctorant sur le sujet.

Sujet : Propriétés de la phase hexagonale 2H du Ge et Si (projet HEXSIGE, financement ANR 2018-2021)

Partenaires : C2N, SOLEIL, LOMA, INSA-Lyon

Rôle : croissance de nanofils de Ge par CBE, et étude de la phase hexagonale du Ge par reprise d’épitaxie sur des nanofils de GaAs wurzite.

Le projet HEXSIGE a pour objectif principal de fournir un aperçu exhaustif des propriétés de base des phases hexagonales 2H (du type lonsdaleite) du germanium et du silicium dans les nanofils pour ouvrir des perspectives à de nouvelles applications. Nous avons développé une méthode originale pour réaliser une transformation de phase dans des nanofils de Ge et Si (NF) sous contrainte externe. Les NF orientés &lt;111&gt; avec une structure 3C cubique diamant subissent une transformation de phase vers la phase hexagonale-2H (lonsdaleite). Il en résulte une hétérostructure stable 3C/2H le long des NF. Cette hétérostructure 3C/2H peut présenter des propriétés remarquables (bande interdite, réponse optique, excitons, processus de diffusion, conductivités thermique et électrique) et ouvrir de nouvelles opportunités en matière d'ingénierie de bande. Combinés aux calculs de la mécanique quantique, nous allons déployer diverses caractérisations électriques, optiques et thermiques pour obtenir les connaissances fondamentales les plus complètes des hétérostructures Ge-2H, Si-2H et 3C/2H en corrélation avec les propriétés structurelles (orientation des nanofils, diamètre et longueur, taille et densité des domaines 2H).Recemment, nous nous sommes également interessés dans ce projet à la synthèse épitaxiale de la phase hexagonale du Ge par reprise d’épitaxie sur des nanofils de GaAs wurzite.

Sujet : High throughput metrology for nanowire energy harvesting devices (European Project EMPIR, contract reference : 19ENG05, starting date : June 2020)

Partenaires : C2N, SOLEIL, LOMA, INSA-Lyon

Rôle : Croissance de nanofils de Si, Ge cubiques et hexagonaux par CBE, pour la métrologie.

La récupération d'énergie (RE) à partir de sources renouvelables (solaire, chaleur et mouvement) est considérée, avec le passage des dispositifs à l’échelle micro, comme une solution de premier plan aux problèmes énergétiques mondiaux. Les systèmes (RE) à base de nanofils (NWs) ont réalisé des progrès encourageants, mais en raison de leurs dimensions nanométriques et de la grande taille des dispositifs (m2), ils posent des défis pour les tests et la caractérisation. Les propriétés moyennes des dispositifs RE peuvent être mesurées, mais il manque un lien quantitatif et une corrélation entre les performances des NWs uniques et celles du dispositif global. Le projet EMPIR propose de développer une métrologie fiable et à haut débit pour le contrôle de la qualité des systèmes RE à base de NWs.

Publications

Article dans une revue (17)

Phase controlled epitaxy of wurtzite ZnS thin films by metal organic chemical vapor deposition Hassan Melhem,Geraldine Hallais,Gaelle Amiri,Gilles Patriarche,Nathaniel Findlinget al. Thin Solid Films, 2025, 812, pp.140609. ⟨10.1016/j.tsf.2025.140609⟩ Article dans une revue hal-04923778v1
Analysis of the Photoluminescence Bandgap Temperature Dependence to Investigate the Doping of Micrometric Size GaAs Crystals Grown on Silicon for Tandem Solar Cells Applications Denis Mencaraglia,Alexandre Jaffré,Guillaume Chau,J Alvarez,James Patrick Connollyet al. Physica Status Solidi A (applications and materials science), 2024, ⟨10.1002/pssa.202400609⟩ Article dans une revue hal-04934869v1
Growth‐Related Formation Mechanism of I3‐Type Basal Stacking Fault in Epitaxially Grown Hexagonal Ge‐2H Laetitia Vincent,Elham Fadaly,Charles Renard,Wouter Peeters,Marco Vettoriet al. Advanced Materials Interfaces, 2022, 9 (16), pp.2102340. ⟨10.1002/admi.202102340⟩ Article dans une revue hal-03775620v1
In‐Situ Transmission Electron Microscopy Observation of Germanium Growth on Freestanding Graphene: Unfolding Mechanism of 3D Crystal Growth During Van der Waals Epitaxy Thierno Mamoudou Diallo,Mohammad Reza Aziziyan,Roxana Arvinte,Jean-Christophe Harmand,Gilles Patriarcheet al. Small, 2021, 18 (5), pp.2101890. ⟨10.1002/smll.202101890⟩ Article dans une revue hal-03679655v1
Atypical reversed pressure-induced phase transformation in Ge nanowires Doriane Djomani,Francesco Capitani,Jean Blaise Brubach,Eugenio Calandrini,Charles Renardet al. Nanotechnology, 2020, 31 (23), pp.235711. ⟨10.1088/1361-6528/ab7b06⟩ Article dans une revue hal-03004890v1
Effect of the Annealing Gas and RF Power Sputtering in the Electrical, Structural and Optical Properties of ITO Thin Films O. Boussoum,M. Belkaïd,Charles Renard,G. Halais,F. Farhati Journal of Nano and Electronic Physics, 2019, 11 (2), pp.02010-1-02010-7. ⟨10.21272/jnep.11(2).02010⟩ Article dans une revue hal-02322601v1
Effect of Environment on Activation and Sorption of Getter Alloys and Multilayers for Hybrid Wafer-level Vacuum Packaging Alain Bosseboeuf,Sylvain Lemettre,Ming Wu,Johan Moulin,Philippe Costeet al. Sensors and Materials, 2019, 31 (9), pp.2825. ⟨10.18494/SAM.2019.2312⟩ Article dans une revue hal-03029390v1
Effect of Environment on Activation and Sorption of Getter Alloys and Multilayers for Hybrid Wafer-level Vacuum Packaging Alain Bosseboeuf,Sylvain Lemettre,Ming Wu,Johan Moulin,Philippe Costeet al. Sensors and Materials, 2019, 31 (9), pp.2825. ⟨10.18494/SAM.2019.2312⟩ Article dans une revue hal-02322620v1
Morphology of GaAs crystals heterogeneously integrated on nominal (001) Si by epitaxial lateral overgrowth on tunnel oxide via Ge nano-seeding Marie Coste,Timothée Molière,Nikolay Cherkashin,Géraldine Hallais,Laetitia Vincentet al. Thin Solid Films, 2018, 647, pp.13-18. ⟨10.1016/j.tsf.2017.12.015⟩ Article dans une revue hal-02322919v1
Shear-driven phase transformation in silicon nanowires L. Vincent,D Djomani,M Fakfakh,Charles Renard,B. Belieret al. Nanotechnology, 2018, 29 (12), pp.125601. ⟨10.1088/1361-6528/aaa738⟩ Article dans une revue hal-02322687v1
Crystalline, Phononic, and Electronic Properties of Heterostructured Polytypic Ge Nanowires by Raman Spectroscopy Claudia Fasolato,Marta de Luca,Doriane Djomani,Laetitia Vincent,Charles Renardet al. Nano Letters, 2018, 18 (11), pp.7075-7084. ⟨10.1021/acs.nanolett.8b03073⟩ Article dans une revue hal-02322670v1
GaAs microcrystals selectively grown on silicon: Intrinsic carbon doping during chemical beam epitaxy with trimethylgallium Timothée Molière,Alexandre Jaffré,José Alvarez,Denis Mencaraglia,James P. Connollyet al. Journal of Applied Physics, 2017, 121 (3), pp.035704. ⟨10.1063/1.4974538⟩ Article dans une revue hal-01444245v1
High current density GaAs/Si rectifying heterojunction by defect free Epitaxial Lateral overgrowth on Tunnel Oxide from nano-seed Charles Renard,Timothée Molière,Nikolay Cherkashin,José Alvarez,Laetitia Vincentet al. Scientific Reports, 2016, 6, pp.25328. ⟨10.1038/srep25328⟩ Article dans une revue hal-01316731v1
Designing III-V multijunction solar cells on silicon James P. Connolly,Denis Mencaraglia,Charles Renard,Daniel Bouchier Progress in Photovoltaics, 2014, 22 (7), pp.810-820. ⟨10.1002/pip.2463⟩ Article dans une revue hal-01099347v1
Growth of high quality micrometer scale GaAs/Si crystals from (001) Si nano-areas in SiO&lt;inf&gt;2&lt;/inf&gt; Charles Renard,Nikolay Cherkashin,Alexandre Jaffré,Timothée Molière,Géraldine Hallaiset al. Journal of Crystal Growth, 2014, 401, pp.554-558. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2014.01.065⟩ Article dans une revue istex hal-01721160v1
Novel heterostructured Ge nanowires based on polytype transformation Laetitia Vincent,Gilles Patriarche,Géraldine Hallais,Charles Renard,Cyrille Gardèset al. Nano Letters, 2014, 14, pp.4828-4836. ⟨10.1021/nl502049a⟩ Article dans une revue hal-01058064v1
Dislocation and antiphase domain free microscale GaAs crystals grown on SiO2 from (001) Si nano-areas Charles Renard,Nikolay Cherkashin,Alexandre Jaffré,Laetitia Vincent,A. Michelet al. Applied Physics Letters, 2013, 102 (19), pp.191915 - 191915-4. ⟨10.1063/1.4807386⟩ Article dans une revue hal-00931275v1

Communication dans un congrès (16)

Time Resolved Emission Spectroscopy of Si-doped MBE grown GaAsPBi Alexandre Jaffré,David Alamarguy,Keiki Fukumoto,Karim Ouaras,James P. Connollyet al. PVSEC-36, Chulalongkorn University, Nov 2025, Bangkok, Thailand Communication dans un congrès hal-05387765v1
In-situ Electric-Field-Assisted Growth of GaAs Nanowires Qiang Yu,Khalil Hassebi,Khakimjon Saidov,Ivan Erofeev,Charles Renardet al. Microscopy & Microanalysis 2025 Conference, M&M, Jul 2025, Salt Lake City, UT, United States. pp.1788-1789, ⟨10.1093/mam/ozaf048.908⟩ Communication dans un congrès hal-05269374v1
Growth and Characterization of hexagonal GaAs thin film on ZnS-4H Corentin Chatelet,Hassan Melhem,Hafssa Ameziane,Geraldine Hallais,Julien Chasteet al. Hexagonal SiGe and Related Materials, Oct 2025, Paris, France Communication dans un congrès hal-05600960v1
Vers la localisation bas coût d’hétéroépitaxie de GaAs sur Si L. Dentz,F. Hamouda,G. Hallais,L. Vincent,E. Herthet al. Workshop OSEPI sur l’épitaxie des oxydes et des semi-conducteurs, May 2024, Fréjus (France), France Communication dans un congrès hal-04790682v1
From nanosphere lithography to localised heteroepitaxy of GaAs on Si L. Dentz,F. Hamouda,G. Hallais,L. Vincent,E. Herthet al. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology GADEST 2024, Sep 2024, Bad Schandau, Germany Communication dans un congrès hal-04790713v1
Epitaxy of hexagonal Ge-2H : growth regimes and related I3 defects Laetitia Vincent,Charles Renard,J. Fraunié,T Dursap,Laurent Traverset al. FAME : First International Workshop on Fundamentals and Advances of MOVPE processes, Jul 2023, Cork, Ireland Communication dans un congrès hal-04261830v1
Beyond the CMOS sensors: the DoTPiX pixel concept and technology for the International Linear Collider A Nicolas T. Fourches,Geraldine Hallais,Charles Renard International Workshop on Future Linear Colliders, Mar 2021, Online, Switzerland Communication dans un congrès hal-03238333v1
Building blocks development for defect-free growth of GaAs on silicon for tandem solar cells Denis Mencaraglia,Charles Renard,Nikolay Cherkashin,G. Hallais,Alexandre Jaffréet al. 36th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, WIP, Sep 2019, Marseille, France. pp.757, ⟨10.4229/EUPVSEC20192019-3BV.2.49⟩ Communication dans un congrès hal-02343896v1
Contactless Investigation of the p-Type Doping Concentration Level of Single Micrometric Size GaAs Crystals Grown on Silicon for Multijunction Solar Cells Alexandre Jaffré,José Alvarez,Hung-Ling Chen,Hajer Makhloufi,Charles Renardet al. 35th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EU-PVSEC), EU PVSEC, Sep 2018, Bruxelles, Belgium. pp.660 - 664, ⟨10.4229/35thEUPVSEC20182018-2AV.3.17⟩ Communication dans un congrès hal-01936835v1
Structural, optoelectronic and electrical properties of GaAs microcrystals grown from (001) Si nano-areas José Alvarez,Alexandre Jaffré,Charles Renard,N. Cherkasin,Timothée Molièreet al. Erice School 2013 - Nano-Structures For Optics And Photonics, Jul 2013, Erice, Italy. pp.485-486, ⟨10.1007/978-94-017-9133-5_37⟩ Communication dans un congrès hal-00931323v1
Route toward III-V multispectral solar cells on silicon Timothée Molière,Charles Renard,Alexandre Jaffré,Laetitia Vincent,Daniel Bouchieret al. E-MRS Spring Meeting 2014, European Materials Research Society, May 2014, Lille, France Communication dans un congrès hal-01099576v1
Designing III-V Multijunction Solar Cells on Silicon J. Connolly,Denis Mencaraglia,Charles Renard,Daniel Bouchier EUPVSEC 2013, Sep 2013, Paris, France. pp.219-228 Communication dans un congrès hal-00931339v1
Intégration de microcristaux de GaAs sur Si(100) sans domaines d'antiphase ni dislocation Timothée Molière,N. Cherkasin,Charles Renard,A. Michel,G. Hallaiset al. JNPV 2013, Dec 2013, Dourdan, France Communication dans un congrès hal-00931329v1
III-V multispectral solar cells on silicon Charles Renard,Timothée Molière,Alexandre Jaffré,Laetitia Vincent,Patrick Boucheret al. E-MRS Spring Meeting 2013, May 2013, Strasbourg, France Communication dans un congrès hal-00931316v1
Caractérisations optiques et électriques de cristaux GaAs intégrés sur Si pour la réalisation de cellules solaires multispectrales III-V sur Silicium Alexandre Jaffré,José Alvarez,Timothée Molière,Denis Mencaraglia,J. Connollyet al. JNPV 2013, Dec 2013, Dourdan, France Communication dans un congrès hal-00931328v1
Growth route toward III-V multispectral solar cells on silicon Charles Renard,N. Cherkasin,Alexandre Jaffré,Timothée Molière,Laetitia Vincentet al. EUPVSEC 2013, Sep 2013, Paris, France. pp.344-348 Communication dans un congrès hal-00931338v1

Poster de conférence (4)

Modelling textured GaAs nanocrystals on silicon for III-V/Si tandem solar cells James P. Connolly,Jean-Paul Kleider,Alexandre Jaffré,Denis Mencaraglia,Laurie Dentzet al. Journées nationales du Photovoltaïque (JNPV) 2024, Dec 2024, Dourdan (91), France Poster de conférence hal-05296198v1
Building blocks development for defect-free growth of GaAs on silicon for tandem solar cells Denis Mencaraglia,Charles Renard,J.P. Connolly,Nikolay Cherkashin,G. Hallaiset al. JNPV 2019, Dec 2019, Dourdan, France Poster de conférence hal-02344131v1
Analyse par photoluminescence du dopage résiduel dans un cristal unique de GaAs de taille micrométrique épitaxié sur silicium pour la réalisation de multijonctions Alexandre Jaffré,J Alvarez,Hung-Ling Chen,Hajer Makhloufi,Charles Renardet al. Journées Nationales du Photovoltaïque 2018 (JNPV 2018), Dec 2018, Dourdan, France Poster de conférence hal-01942352v1
Micro-photoluminescence investigation of the doping level in single GaAs crystals epitaxially grown on silicon for multijunction solar cells Alexandre Jaffré,José Alvarez,Denis Mencaraglia,James Patrick Connolly,Timothée Molièreet al. European Materials Research Society, May 2017, Strasbourg, France Poster de conférence hal-01629676v1

Brevet (1)

Multilayer photoreceptor device, layers of which have different lattice parameters Denis Mencaraglia,Daniel Bouchier,Charles Renard,James P. Connolly,Timothée Molière États-Unis, N° de brevet: US20190115488. 2019 Brevet hal-04558166v1

Pré-publication, Document de travail (2)

Electric-field-assisted phase switching for crystal phase quantum dot fabrication in GaAs nanowires Qiang Yu,Khakimjon Saidov,Ivan Erofeev,Khalil Hassebi,Chen Weiet al. 2025 Pré-publication, Document de travail (preprint/prepublication) hal-05284473v1
Implanted buried strained germanium rich layers in silicon: ab-initio investigations and phonons properties Nicolas T. Fourches,G. Hallais,Charles Renard,E Imbernon,François Jomardet al. 2021 Pré-publication, Document de travail hal-03374137v2

Thèse (1)

Hétérostructures Antimoniures/Arséniures pour les applications optoélectroniques dans le moyen infrarouge Charles Renard Matière Condensée [cond-mat]. Université Paris-Diderot - Paris VII, 2005. Français. ⟨NNT : ⟩ Thèse tel-00124336v3