David Trémouilles

Identifiants chercheurs

IdHAL :

david-tremouilles

ORCID :

0000-0001-8446-9129

IdRef :

085211850

Publications

Communication dans un congrès (35)

Méthodologie innovante pour la caractérisation dynamique, reproductible et sans parasite de composants p-GaN HEMTs ; mise en évidence d'effets exclusivement dynamiques Ludovic Roche,David Trémouilles,Emmanuel Marcault,Corinne Alonso SGE 2025 - Sixième Symposium de Génie Électrique, Jul 2025, Toulouse, France Communication dans un congrès hal-05329865v1
Experimental Investigation and Behavioral Modeling of the Ron vs. Gate Overshoots Relationship in Schottky p-GaN HEMTs Ludovic Roche,David Trémouilles,Emmanuel Marcault,Corinne Alonso 2025 IEEE 12th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), Nov 2025, Fayetteville, AR, United States. pp.1-6, ⟨10.1109/WiPDA63755.2025.11303413⟩ Communication dans un congrès hal-05329882v1
Mécanismes physiques de HEMT GaN révelés par l'instabilité de la tension de seuil Harold Razafimanjaka,David Trémouilles,Maroun Alam,Valeria Rustichelli,Laurence Allirandet al. Symposium de Génie Électrique, Jul 2025, Toulouse, France Communication dans un congrès hal-05289322v1
Static vs. Dynamic Characterization of p-GaN HEMTs: Discrepancies in Electrical Characteristics and their Dependence on Bias History Ludovic Roche,David Trémouilles,Emmanuel Marcault,Corinne Alonso The 26th European Conference on Power Electronics and Applications, GDR SEEDS France & EPE Association, Mar 2025, Paris, France. ⟨10.34746/epe2025-0309⟩ Communication dans un congrès hal-05079887v1
Analysis of Failure Mechanisms Occuring at Breakdown Voltage in power p-GaN HEMT Lucien Ghizzo,David Trémouilles,Gérald Guibaud,Christophe de Nardi,Vanessa Chazalet al. 31st edition of the IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA 2024), Jul 2024, Singapore (SG), Singapore Communication dans un congrès hal-04687318v1
Low-Voltage Schottky p-GaN HEMT Properties under Extreme Repetitive Short-Circuit Operation Conditions : 2DEG Pinch-off, Stability, Aging, Robustness and Failure-Modes Analysis [Abstract] Frédéric Richardeau,Lucien Ghizzo,David Trémouilles,Sébastien Vinnac 35th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis - ESREF 2024, Sep 2024, Parma, Italy Communication dans un congrès hal-04713127v1
Dynamic RDS-on degradation analysis on power GaN HEMT by means of TCAD simulations and experimental measurement Gaëtan Toulon,Cristina Miccoli,David Trémouilles,Frédéric Morancho,Maria-Eloisa Castagnaet al. WOCSDICE - EXMATEC 2023 6th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe 17th Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies, May 2023, Palerme, Italy Communication dans un congrès hal-04128305v1
Backside Fault Localization and Defect Physical Analysis of Degraded Power HEMT p-GaN Transistors Stressed in DC and AC Switching Modes L. Ghizzo,G. Guibaud,C. de Nardi,F. Jamin,V. Chazalet al. 49th International Symposium for Testing and Failure Analysis ISTFA 2023), Nov 2023, Phoenix, United States. pp.491-499, ⟨10.31399/asm.cp.istfa2023p0491⟩ Communication dans un congrès hal-04307540v1
Méthode de préconditionnement du HEMT GaN pour une mesure reproductible de Vth Lucien Ghizzo,David Trémouilles,Frédéric Richardeau SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2023), Jul 2023, Lille, France. https://sge2023.sciencesconf.org/resource/page/id/35 Communication dans un congrès hal-04157673v1
Over-Voltage and Cross-Conduction Hard Switching Stress on Schottky Gate-Type p-GaN HEMT in Half-Bridge Operation Experimental and Physical Approaches [ESREF'23] Lucien Ghizzo,David Trémouilles,Frédéric Richardeau,Sébastien Vinnac,François Jaminet al. 34th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Oct 2023, Toulouse, France. ⟨10.1016/j.microrel.2023.115172⟩ Communication dans un congrès hal-04252379v1
Study of GaN HEMTs Robustness to Application-Like, Software-Controlled Overshoots Emulating Different Gate Routings in Original 50 Ohms Environment Ludovic Roche,David Trémouilles,Emmanuel Marcault,Corinne Alonso Workshop on Wide Bandgap Power Devices & Applications (WiPDA) 2023, Dec 2023, Charlotte (North Carolina), United States. ⟨10.1109/WiPDA58524.2023.10382216⟩ Communication dans un congrès hal-04239100v1
Transmission Line Approach for the PCB Gate Interconnection Design in GaN-Based High-Frequency Power Converters Alonso Gutierrez Galeano,Emmanuel Marcault,Corinne Alonso,David Trémouilles PCIM Europe digital days 2021; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, May 2021, on line, France Communication dans un congrès hal-03370453v1
Experimental Comparison of Discrete Cascode GaN-GaN and Single e-GaN in High-Frequency Power Converter A Gutierrez,E Marcault,Corinne Alonso,David Trémouilles PCIM Europe digital days 2020; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, Jul 2020, Nuremberg (Virtual), Germany Communication dans un congrès hal-02998007v1
Performance Analysis of RL Damper in GaN-Based High-Frequency Boost Converter A Gutierrez,E Marcault,Corinne Alonso,David Trémouilles 22nd European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'20 ECCE Europe), Sep 2020, Lyon (virtuel), France. ⟨10.23919/EPE20ECCEEurope43536.2020.9215645⟩ Communication dans un congrès hal-02987332v1
Développement technologique d'un HEMT normally-off avec une grille à barrière P-GaN Chaymaa Haloui,Josiane Tasselli,Karine Isoird,David Trémouilles,Patrick Austinet al. Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique (JNRDM), Jun 2019, Montpellier, France Communication dans un congrès hal-02278808v1
Première démonstration expérimentale d’un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterrée Audrey Chapelle,Éric Frayssinet,Yvon Cordier,Yohann Spiegel,Leïla Benmosfetaet al. Symposium de Génie Electrique (SGE 2018), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. pp.3 - 5 Communication dans un congrès hal-02981903v2
Variation de la résistance de contact métal/semi-conducteur dans une structure HEMT GaN sous illumination UV Dany Hachem,David Trémouilles,Frédéric Morancho,Gaëtan Toulon Symposium de Génie Electrique (SGE 2018), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. 4p Communication dans un congrès hal-02981923v2
Investigation on damaged planar-oxide of 1200V SiC Power Mosfets in non-destructive short-circuit operation François Boige,Frédéric Richardeau,D. Trémouilles,S. Lefebvre,G. Guibaud 28th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2017), Sept. 25-28, 2017, Bordeaux (FRANCE), 2017, Bordeaux, France Communication dans un congrès hal-03937651v1
Mesure de résistance dynamique de HEMT en GaN à l'échelle de la centaine de nanosecondes Emmanuel Marcault,David Trémouilles,Karine Isoird,Gaëtan Toulon,Frédéric Moranchoet al. Symposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France Communication dans un congrès hal-01361669v1
Robustesse de MESFET SiC face aux décharges électrostatiques Tanguy Phulpin,David Trémouilles,Karine Isoird,Patrick Austin,M Vellvehiet al. SGE Symposium de Génie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France Communication dans un congrès hal-01310299v1
Fiabilité de MESFET SiC face aux décharges électrostatiques Tanguy Phulpin,Karine Isoird,David Trémouilles,Patrick Austin,Javier Leonet al. Symposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France Communication dans un congrès hal-01361658v1
Dynamic of power-GaN-HEMT electrical parameters: Why DC characterization might be misleading Emmanuel Marcault,David Trémouilles,Karine Isoird,Frédéric Morancho,Mathieu Gavelle 18th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'2016), Sep 2016, Karlsruhe, Germany. ⟨10.1109/EPE.2016.7695492⟩ Communication dans un congrès hal-01556254v1
An Electrostatic-Discharge-Protection Solution for Silicon-Carbide MESFET Tanguy Phulpin,David Trémouilles,Karine Isoird,Dominique Tournier,Philippe Godignonet al. EOS/ESD Symposium, Sep 2015, Reno, United States Communication dans un congrès hal-01178266v1
Analyse du mécanisme d'un défaut ESD sur un MESFET en SiC Tanguy Phulpin,David Trémouilles,Karine Isoird,Dominique Tournier,Philippe Godignonet al. Journées Nationales du Réseau de Doctorants en Microélectronique, Jun 2015, Bordeaux, France Communication dans un congrès hal-01339803v1
Tackling the challenges of System level ESD: from efficient ICs ESD protection to system level predictive modeling Marise Bafleur,Fabrice Caignet,Nicolas Nolhier,David Trémouilles Taiwan ESD and Reliability Conference, Nov 2013, Hsinchu, Taiwan Communication dans un congrès hal-00957728v1
Transient-TLP (T-TLP): a simple method for accurate ESD protection transient behavior measurement David Trémouilles,Antoine Delmas,Nicolas Mauran,Nicolas Nolhier,Houssam Arbesset al. EOS/ESD Symposium, Sep 2013, LAS VEGAS, United States. pp.258-267 Communication dans un congrès hal-01056511v1
High-temperature operation MOS-IGBT power clamp for improved ESD protection in smart power technology Houssam Arbess,David Trémouilles,Marise Bafleur Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD 2011), Sep 2011, ANAHEIM, United States. pp.1B.2-1B.8 Communication dans un congrès hal-00722642v1
Behavioral-Modeling Methodology to Predict Electrostatic-Discharge Susceptibility Failures at System Level : an IBIS Improvement Nicolas Monnereau,Fabrice Caignet,Nicolas Nolhier,David Trémouilles,Marise Bafleur Int. Symposium on Electromagnetic Compatibility (EMC Europe 2011), Sep 2011, YORK, United Kingdom. pp.457-463 Communication dans un congrès hal-00722643v1
Life Cycle Assessment on a 765 kV Venezuelan Transmission System Wenlu Wang,David Trémouilles,Abderrahmane Beroual,Jean-Luc Bessède iREED, Mar 2011, Lille, France. pp.CD Communication dans un congrès hal-00765489v1
Advanced ESD power clamp design for SOI FinFET CMOS technology Steven Thijs,David Trémouilles,Dimitri Linten,Natarajan Mahadeva Iyer,Alessio Griffoniet al. International Conference on IC Design and Technology (ICICDT 2010), Jun 2010, Grenoble, France. pp.43-46, ⟨10.1109/ICICDT.2010.5510299⟩ Communication dans un congrès hal-00677458v1
Accurate Transient Behavior Measurement of High- Voltage ESD Protections Based on a Very Fast Transmission-Line Pulse System Antoine Delmas,Nicolas Nolhier,David Trémouilles,Marise Bafleur,Nicolas Mauranet al. 31st Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium, 2009. EOS/ESD Symposium, Aug 2009, ANAHEIM, United States. pp.165-172 Communication dans un congrès hal-00445676v1
Pushing away the silicon limits of ESD protection structures: exploration of crystallographic orientation David Trémouilles,Yuan Gao,Marise Bafleur BIPOLAR/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), Oct 2008, Monterey, United States. pp.200-203 Communication dans un congrès hal-00383353v1
Different failure signatures of multiple TLP and HBM Stresses in an ESD robust protection structure Nicolas Guitard,Fabien Essely,David Trémouilles,Marise Bafleur,Nicolas Nolhieret al. European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and analysis (ESREF), 2005, arcachon, France. pp.1415-1420 Communication dans un congrès hal-00401483v1
ESD Induced Latent Defects In CMOS ICs And Reliability Impact Nicolas Guitard,David Trémouilles,Stéphane Alves,Marise Bafleur,Félix Beaudoinet al. Electrical Overstress and Electrostatic Discharge (EOS/ESD) Symposium, Sep 2004, Dallas, United States. pp.174-181 Communication dans un congrès hal-00385694v1
Design Guidelines to Achieve a Very High ESD Robustness in a Self-Biased NPN David Trémouilles,Géraldine Bertrand,Marise Bafleur,Nicolas Nolhier,Lionel Lescouzères Electrical Overstress and Electrostatic Discharge Symposium, Oct 2002, Charlotte, United States. pp.281-288 Communication dans un congrès hal-00383352v1

Article dans une revue (32)

Low-voltage Schottky p-GaN HEMT properties under extreme repetitive short-circuit operation conditions: 2DEG pinch-off, stability, aging, robustness and failure-modes analysis - Selected and Extended Full Paper from ESREF'24 Frédéric Richardeau,L. Ghizzo,D. Trémouilles,S. Vinnac Microelectronics Reliability, 2025, 173, pp.115871. ⟨10.1016/j.microrel.2025.115871⟩ Article dans une revue hal-05185367v1
Static vs. dynamic characterization of p-GaN HEMTs: Discrepancies in electrical characteristics and their dependence on bias history Ludovic Roche,David Trémouilles,Emmanuel Marcault,Corinne Alonso Power Electronic Devices and Components, 2025, 12, pp.100112. ⟨10.1016/j.pedc.2025.100112⟩ Article dans une revue hal-05272781v1
Preconditioning of Ohmic p-GaN power HEMT for reproducible Vth measurements L. Ghizzo,David Trémouilles,Frédéric Richardeau,G. Guibaud Solid-State Electronics, 2024, 214, pp.108868. ⟨10.1016/j.sse.2024.108868⟩ Article dans une revue hal-04446838v1
Localization and Physical Analysis of Defects in Degraded Power HEMT p-GaN Transistors Stressed with DC Voltage Surge and Voltage with Switching Stress Lucien Ghizzo,Gérald Guibaud,Christophe de Nardi,François Jamin,Vanessa Chazalet al. Journal of Failure Analysis and Prevention, 2024, 24 (5), pp.2221-2231. ⟨10.1007/s11668-024-02038-x⟩ Article dans une revue hal-04752825v1
First results on 1.2 kV SiC MOSFET body diode robustness tests Hassan Hamad,Dominique Tournier,Jean-Michel Reynes,Olivier Perrotin,David Trémouilleset al. Microelectronics Reliability, 2023, 151, pp.115264. ⟨10.1016/j.microrel.2023.115264⟩ Article dans une revue hal-04282544v1
Over-voltage and cross-conduction hard switching stress on schottky gate-type p-GaN HEMT in half-bridge operation. Experimental and physical approaches L. Ghizzo,David Trémouilles,Frédéric Richardeau,S. Vinnac,F. Jaminet al. Microelectronics Reliability, 2023, 150, pp.115172. ⟨10.1016/j.microrel.2023.115172⟩ Article dans une revue hal-04242294v1
New reliability model for power SiC MOSFET technologies under static and dynamic gate stress M. Zerarka,V. Rustichelli,O. Perrotin,J.M. Reynes,David Trémouilleset al. Microelectronics Reliability, 2023, 150, pp.115190. ⟨10.1016/j.microrel.2023.115190⟩ Article dans une revue hal-04298338v1
Preconditioning of p-GaN power HEMT for reproducible V measurements L. Ghizzo,David Trémouilles,Frédéric Richardeau,S. Vinnac,Lucas Moreauet al. Microelectronics Reliability, 2023, 144, pp.114955. ⟨10.1016/j.microrel.2023.114955⟩ Article dans une revue hal-04049626v1
Physical origin of the gate current surge during short-circuit operation of SiC MOSFET François Boige,David Trémouilles,Frédéric Richardeau IEEE Electron Device Letters, 2019, 40 (5), pp.666-669. ⟨10.1109/led.2019.2896939⟩ Article dans une revue hal-02020275v1
Contribution to Silicon-Carbide-MESFET ESD robustness analysis Tanguy Phulpin,Karine Isoird,David Trémouilles,Patrick Austin,X. Perpinyaet al. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2018, 18 (2), pp.214-223. ⟨10.1109/TDMR.2018.2817255⟩ Article dans une revue hal-01740513v1
Characteristics of zirconium and niobium contacts on boron-doped diamond M. Davydova,A. Taylor,P. Hubík,L. Fekete,L. Klimšaet al. Diamond and Related Materials, 2018, 83, pp.184-189. ⟨10.1016/j.diamond.2018.02.009⟩ Article dans une revue hal-01956850v1
Comparison of ohmic contact formation of titanium and zirconium on boron doped diamond Vincent Mortet,A. Taylor,M. Davydova,L. Fekete,Z. Vlčková Živcováet al. MRS Advances, 2018, 3 (33), pp.1931-1935. ⟨10.1557/adv.2018.39⟩ Article dans une revue hal-01956851v1
A new electro-optical transmission-line measurement-method revealing a possible contribution of source and drain contact resistances to GaN HEMT dynamic on-resistance Dany Hachem,David Trémouilles,Frédéric Morancho,Gaëtan Toulon Microelectronics Reliability, 2018, 88-90, pp.406-410. ⟨10.1016/j.microrel.2018.07.119⟩ Article dans une revue hal-01893190v1
Analysis of heavily boron-doped diamond Raman spectrum V. Mortet,A. Taylor,Z. Vlčková Živcová,D. Machon,O. Franket al. Diamond and Related Materials, 2018, 88, pp.163-166. ⟨10.1016/j.diamond.2018.07.013⟩ Article dans une revue hal-01956849v1
Insight into boron-doped diamond Raman spectra characteristic features Vincent Mortet,Z. Vlčková Živcová,A. Taylor,O. Frank,P. Hubíket al. Carbon, 2017, 115, pp.279 - 284. ⟨10.1016/j.carbon.2017.01.022⟩ Article dans une revue hal-01643027v1
Investigation on damaged planar-oxide of 1200 V SiC power MOSFETs in non-destructive short-circuit operation François Boige,Frédéric Richardeau,David Trémouilles,Stéphane Lefebvre,G. Guibaud Microelectronics Reliability, 2017, 76-77, pp.500 - 506. ⟨10.1016/j.microrel.2017.06.085⟩ Article dans une revue hal-01643030v1
New triggering-speed-characterization method for diode-triggered SCR using TLP Mouna Mahane,David Trémouilles,Marise Bafleur,Benjamin Thon,Marianne Diattaet al. Microelectronics Reliability, 2017, 76-77, pp.692 - 697. ⟨10.1016/j.microrel.2017.07.063⟩ Article dans une revue hal-01643028v1
Peculiarities of high electric field conduction in p-type diamond V. Mortet,David Trémouilles,J. Bulíř,P. Hubík,L. Helleret al. Applied Physics Letters, 2016, 108 (15), pp.152106. ⟨10.1063/1.4946853⟩ Article dans une revue hal-01411427v1
Failure Analysis of ESD-stressed SiC MESFET Tanguy Phulpin,David Trémouilles,Karine Isoird,Dominique Tournier,Philippe Godignonet al. Microelectronics Reliability, 2015, 55 (9-10), pp.1542-1548. ⟨10.1016/j.microrel.2015.06.121⟩ Article dans une revue hal-01176674v1
Optimization of a MOS–IGBT–SCR ESD protection component in smart power SOI technology Houssam Arbess,Marise Bafleur,David Trémouilles,Moustafa Zerarka Microelectronics Reliability, 2015, 55 (9-10), pp.1476-1480. ⟨10.1016/j.microrel.2015.06.138⟩ Article dans une revue hal-01238569v1
Analysis of an ESD failure mechanism on a SiC MESFET Tanguy Phulpin,David Trémouilles,Karine Isoird,Dominique Tournier,Philippe Godignonet al. Microelectronics Reliability, 2014, pp.MR11331. ⟨10.1016/j.microrel.2014.07.134⟩ Article dans une revue hal-01059962v1
Combined MOS-IGBT-SCR structure for a compact high-robustness ESD power clamp in smart power SOI technology Houssam Arbess,Marise Bafleur,David Trémouilles,Moustafa Zerarka IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2013, 14 (1), pp. 432-440. ⟨10.1109/TDMR.2013.2281726⟩ Article dans une revue hal-00941891v1
A System-Level Electrostatic-Discharge-Protection Modeling Methodology for Time-Domain Analysis Nicolas Monnereau,Fabrice Caignet,David Trémouilles,Nicolas Nolhier,Marise Bafleur IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, 2013, 55 (1), pp.45-57. ⟨10.1109/TEMC.2012.2208973⟩ Article dans une revue hal-00941876v1
An Accelerated Stress Test Method for Electrostatically Driven MEMS Devices Jinyu Jason Ruan,Nicolas Monnereau,David Trémouilles,Nicolas Mauran,Fabio Coccettiet al. IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, 2012, pp.456-461. ⟨10.1109/TIM.2011.2161937⟩ Article dans une revue hal-00668827v1
Understanding the Failure Mechanisms of Protection Diodes During System Level ESD: Toward Repetitive Stresses Robustness Marianne Diatta,David Trémouilles,Emilien Bouyssou,Raphaël Perdreau,Christine Anceauet al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2012, 59 (1), pp.108 - 113. ⟨10.1109/TED.2011.2173576⟩ Article dans une revue hal-00668818v1
Investigation on statistical tools to analyze repetitive-electrostatic-discharge endurance of system-level protections Marianne Diatta,David Trémouilles,Emilien Bouyssou,Marise Bafleur IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2012, 12 (4), pp.607--614. ⟨10.1109/TDMR.2012.2230093⟩ Article dans une revue hal-00787197v1
Investigation of Modeling System ESD Failure and Probability Using IBIS ESD Models Nicolas Monnereau,Fabrice Caignet,Nicolas Nolhier,Marise Bafleur,David Trémouilles IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2012, 12 (4), pp.599-606. ⟨10.1109/TDMR.2012.2218605⟩ Article dans une revue hal-00941823v1
Size effects on varistor properties made from zinc oxide nanoparticles by low temperature spark plasma sintering Lena Saint Macary,Myrtil L. Kahn,Claude Estournès,Pierre Fau,David Trémouilleset al. Advanced Functional Materials, 2009, 19 (11), p.1775-1783 Article dans une revue hal-00383348v2
Failure Mechanisms of Discrete Protection Device subjected to Repetitive ElectroStatic Discharges Marianne Diatta,Emilien Bouyssou,David Trémouilles,P. Martinez,F. Roquetaet al. Microelectronics Reliability, 2009, 49 (9-11), pp.1103-1106. ⟨10.1016/j.microrel.2009.06.010⟩ Article dans une revue hal-00941812v1
Different Failure signatures of multiple TLP and HBM Stresses in an ESD robust protection structure Nicolas Guitard,Fabien Essely,David Trémouilles,Marise Bafleur,Nicolas Nolhieret al. Microelectronics Reliability, 2005, 45 (9), pp.1415-1420 Article dans une revue hal-00397706v1
Thermal laser stimulation and NB-OBIC techniques applied to ESD defect localization T. Beauchêne,D. Lewis,F. Beaudoin,V. Pouget,R. Desplatset al. Microelectronics Reliability, 2003, 43 (3), pp.439 - 444. ⟨10.1016/S0026-2714(02)00339-6⟩ Article dans une revue istex hal-01887647v1
Analysis and Compact Modeling of a Vertical Grounded-Base NPN Bipolar Transistor used as ESD Protection in a Smart Power Technology Géraldine Bertrand,Christelle Delage,Marise Bafleur,Nicolas Nolhier,Jean-Marie Dorkelet al. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 2001, 36 (9), pp.1373-1381 Article dans une revue hal-00143927v1

Poster de conférence (2)

Mécanismes physiques de HEMT GaN révélés par l'instabilité de la tension de seuil Harold Razafimanjaka,David Trémouilles,Maroun Alam,Valeria Rustichelli,Laurence Allirandet al. Symposium de Génie Électrique, Jul 2025, Toulouse, France. 2025 Poster de conférence hal-05289310v1
Protection ESD pour MESFET SiC Tanguy Phulpin,Karine Isoird,David Trémouilles,Patrick Austin Journées Intégration et Systèmes de Puissance 3D (ISP3D), Mar 2015, Tours, France. 2015 Poster de conférence hal-01339804v1

Brevet (1)

Générateur d'impulsion et circuit de commande d'un composant électronique de puissance Ludovic Roche,David Trémouilles,Emmanuel Marcault,Corinne Alonso France, N° de brevet: FR3161521. 2024, https://data.inpi.fr/brevets/FR3161521 Brevet hal-05335598v1

Pré-publication, Document de travail (2)

The Decisive Role of Gate Voltage Overshoots on the Ron of p-GaN HEMTs in Realistic Dynamic Operation Ludovic Roche,David Trémouilles,Emmanuel Marcault,Corinne Alonso 2025 Pré-publication, Document de travail hal-04980326v1
Driving of GaN HEMT Ludovic Roche,David Trémouilles,Emmanuel Marcault,Corinne Alonso 2022 Pré-publication, Document de travail hal-03874986v1

Chapitre d'ouvrage (1)

Parseval’s Theorem Used for the Inductor Analysis in High-Frequency Boost Converters A. Gutiérrez,Emmanuel Marcault,Corinne Alonso,Jean Paul Laur,David Trémouilles ELECTRIMACS 2019 Selected Papers, pp.347-362, 2020, 978-3-030-56970-9. ⟨10.1007/978-3-030-56970-9_26⟩ Chapitre d'ouvrage hal-03100915v1

HDR (1)

IMPULSIONS ÉLECTRIQUES DE FORTE PUISSANCE , DE LA NANOSECONDE À LA MICROSECONDE , DU WATT AU KILOWATT David Trémouilles Micro et nanotechnologies/Microélectronique. UT3 : Université Toulouse 3 Paul Sabatier, 2019 HDR tel-04879617v1

Thèse (1)

Optimisation et modélisation de protection intégrées contre les décharges électrostatique, par l'analyse de la physique mise en jeu David Trémouilles Micro et nanotechnologies/Microélectronique. INSA de Toulouse, 2004. Français. ⟨NNT : ⟩ Thèse tel-00010263v1