Denis Mencaraglia
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Contactless Investigation of the p-Type Doping Concentration Level of Single Micrometric Size GaAs Crystals Grown on Silicon for Multijunction Solar Cells35th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EU-PVSEC), EU PVSEC, Sep 2018, Bruxelles, Belgium. pp.660 - 664, ⟨10.4229/35thEUPVSEC20182018-2AV.3.17⟩
Communication dans un congrès
hal-01936835v1
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Analyse par photoluminescence du dopage résiduel dans un cristal unique de GaAs de taille micrométrique épitaxié sur silicium pour la réalisation de multijonctionsJournées Nationales du Photovoltaïque 2018 (JNPV 2018), Dec 2018, Dourdan, France
Poster de conférence
hal-01942352v1
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