Frédéric Genty
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Identifiants chercheurs
- frederic-genty
- IdRef : 13776670X
Présentation
Professeur à CentraleSupélec
Délégué à la Recherche du campus de Metz
Membre permanent du Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes (LMOPS) - Axe "Matériaux fonctionnels"
Centres d'intérêts: Matériaux pour l'Optique et la la Photonique - Composants - Systèmes
Professeur à CentraleSupélec
Délégué à la Recherche du campus de Metz
Membre permanent du Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes (LMOPS) - Axe "Matériaux fonctionnels"
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Publications
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Mid-Infrared GaSb-based EP-VCSEL emitting at 2.63 µmElectronics Letters, 2009, 45 (5), pp.265-266. ⟨10.1049/el:20090134⟩
Article dans une revue
hal-00380609v1
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GaSb-based VCSELs emitting in the mid-infrared wavelength range (2-3 µm) grown by MBEJournal of Crystal Growth, 2009, 311 (7), pp.1912-1916. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2008.11.026⟩
Article dans une revue
hal-00380447v1
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Growth and characterization of GaInSb/GaInAsSb hole-well laser diodes emitting near 2.93 μmJournal of Crystal Growth, 2007, 301-302, pp.967-970. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2006.11.057⟩
Article dans une revue
hal-00327288v1
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Investigations on InSb-based quantum dots grown by molecular beam epitaxyphysica status solidi (c), 2007, 4 (5), pp.1743-1746. ⟨10.1002/pssc.200674268⟩
Article dans une revue
hal-00327182v1
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GaSb-based VCSELs emitting in the mid-infrared wavelength range (2-3 µm) grown by molecular beam epitaxy15th Int. Conf. on Molecular-Beam Epitaxy (MBE-15), 2009, Vancouver, Canada
Communication dans un congrès
hal-01826633v1
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GaSb-based mid-IR electrically-pumped VCSELs covering the wavelength range from 2.3 to 2.7 µmCLEO Europe - EQEC 2009, Jun 2009, Munich, Germany. pp.1-1, ⟨10.1109/CLEOE-EQEC.2009.5192675⟩
Communication dans un congrès
hal-00429890v1
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GaSb-based VCSELs emitting in the mid-infrared wavelength range (2-3 µm) grown by molecular beam epitaxyInternational Molecular Beam Epitaxy Conference (MBE international), 2008, Vancouver, Canada
Communication dans un congrès
hal-01785734v1
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Recent progress on electrically-pumped GaSb-based VCSELs emittingabove 2 µm for sensing applicationsMIOMD IX, 2008, Freiburg, Germany
Communication dans un congrès
hal-01785770v1
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