Mahmoud ABOU DAHER

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Comparison of reverse current mechanisms in GaN Schottky diodes grown on sapphire versus ammonothermal GaN substrates

B Orfao , Mahmoud ABOU DAHER , H Bouillaud , Y Roelens , P Prystawko et al.

Journal of Physics D: Applied Physics, 2026, 59 (12), pp.12LT01. ⟨10.1088/1361-6463/ae506d⟩

Article dans une revue hal-05573797v1
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Development of an Extended-Band mTRL Calibration Kit for On-Wafer Characterization of InP-HEMTs up to 1.1 THz

Rita Younes , Mahmoud Abou Daher , Mohammed Samnouni , Sylvie Lepilliet , Guillaume Ducournau et al.

Electronics, 2025, 14, ⟨10.3390/electronics14173472⟩

Article dans une revue hal-05313581v1

Reverse Leakage Current Hysteresis in GaN Schottky Barrier Diodes Interpreted in Terms of a Trap Energy Band

R. Peña , B. Orfao , I. Íñiguez-De-La-Torre , G. Paz , Mahmoud Abou Daher et al.

IEEE Transactions on Electron Devices, 2024, 71 (8), pp.4524-4529. ⟨10.1109/TED.2024.3409202⟩

Article dans une revue hal-04665811v1
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Reverse-Bias Current Hysteresis at Low Temperature in GaN Schottky Barrier Diodes

B. Orfao , Mahmoud Abou Daher , R. A. Peña , B. G. Vasallo , S. Pérez et al.

Journal of Applied Physics, 2024, 135 (1), pp.014501. ⟨10.1063/5.0177853⟩

Article dans une revue hal-04405976v1
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AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Grown by MOVPE on 3C-SiC/Si(111) for RF Applications

Marie Lesecq , Eric Frayssinet , Marc Portail , Micka Bah , N. Defrance et al.

Materials Science Forum, 2022, 1062, pp.482-486. ⟨10.4028/p-2wi7o8⟩

Article dans une revue hal-03741438v1

Electrical and thermal analysis of AlGaN/GaN HEMTs transferred onto diamond substrate through an aluminum nitride layer

Mahmoud Abou Daher , Marie Lesecq , N. Defrance , Etienne Okada , Bertrand Boudart et al.

Microwave and Optical Technology Letters, 2021, 63 (9), pp.2376-2380. ⟨10.1002/mop.32919⟩

Article dans une revue hal-03249292v1
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AlGaN/GaN high electron mobility transistors on diamond substrate obtained through aluminum nitride bonding technology

Mahmoud Abou Daher , Marie Lesecq , Pascal Tilmant , N. Defrance , Michel Rousseau et al.

Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics, 2020, 38 (3), pp.033201. ⟨10.1116/1.5143418⟩

Article dans une revue hal-02929037v1
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De la photolithographie chimique à la gravure laser : une nouvelle ère pour la réalisation de circuits RF au sein du Master Réseaux et Télécommunications

Pierre Laly , Virginie Hoel , Mahmoud Abou Daher , Fatma Khenfer- Koummich , Valentin Picquet

18èmes journées Pédagogiques CNFM, JPCNFM 2025, Pôle CNFM de Rennes, Centre Commun de Microélectronique de l'Ouest, Dec 2025, Saint-Malo, France

Communication dans un congrès hal-05400805v1
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Fabrication et caractérisation de diodes Schottky GaN dans un TP innovant au sein du PLFM de Lille

Mahmoud ABOU DAHER , M Laddada , I Nhaila , Saliha Ouendi , Yannick Roelens et al.

Dix-huitièmes journées Pédagogiques CNFM, JPCNFM 2025, Pôle CNFM de Rennes, Centre Commun de Microélectronique de l'Ouest, Dec 2025, Saint-Malo, France

Communication dans un congrès hal-05400823v1

GaN Schottky Diodes Parameter Extraction Model from S-Parameters Measurement

Beatriz Orfao , Mohammed Zaknoune , Malek Zegaoui , Javier Mateos , Tomás González et al.

2024 19th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Sep 2024, Paris, France. pp.375-378, ⟨10.23919/EuMIC61603.2024.10732802⟩

Communication dans un congrès hal-04765693v1

Guidelines for Overcoming the Practical Limitations for the Fabrication of THz Sources with GaN Planar Gunn Diodes

Javier Mateos , S. García-Sánchez , Mahmoud ABOU DAHER , Marie Lesecq , L. Huo et al.

2024 8th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), Mar 2024, Bangalore, India. pp.1-3, ⟨10.1109/EDTM58488.2024.10512176⟩

Communication dans un congrès hal-04607331v1
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Power Handling of GaN Schottky Diodes on Semi-Insulating Ammonothermal GaN Substrate at 94 GHz

Mahmoud ABOU DAHER , Hugo Bouillaud , Pawel Prystawko , Michal Bockowski , Etienne Okada et al.

WOCSDICE-EXMATEC, May 2023, Palerme (Italie), Italy

Communication dans un congrès hal-04517550v1
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Comparison of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors grown by MOVPE on 3C-SiC/Si(111), Si(111) and 6H-SiC for RF applications

Marie Lesecq , Éric Frayssinet , Marc Portail , Micka Bah , Nicolas Defrance et al.

International Workshop on Nitride Semi-conductors, IWN 2022, Oct 2022, Berlin, Germany

Communication dans un congrès hal-04037282v1

[Invited] Nouvelles voies technologiques pour la mesure de la température et l’amélioration de la dissipation thermique des HEMTs GaN

M. Lesecq , Flavien Cozette , Mahmoud ABOU DAHER , Mohamed-Reda Irekti , M. Boucherta et al.

RF & Microwave 2018, 7ème Salon Radiofréquences, Hyperfréquences, Wireless, CEM et Fibre Optique, Mar 2018, Paris, France

Communication dans un congrès hal-04441664v1

Differential hall characterization of shallow strained SiGe layers

Richard Daubriac , Mahmoud Abou Daher , Emmanuel Scheid , Fuccio Cristiano , S. Joblot et al.

2016 IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC), Oct 2016, Toulouse, France. ⟨10.1109/NMDC.2016.7777082⟩

Communication dans un congrès hal-01730652v1