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Marie Gueunier-Farret

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christophe-longeaud
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Determination of individual I(V) characteristics of each sub-cell of a triple junction device

Christophe Longeaud , J Alvarez , Herinirina Fanevamampiandra , Thomas Bidaud , Gwenaëlle Hamon
EPJ Photovoltaics, 2023, 14, pp.20. ⟨10.1051/epjpv/2023011⟩
Article dans une revue hal-04131766v1
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Understanding and monitoring the capacitance‐voltage technique for the characterization of tandem solar cells

Cyril Léon , Sylvain Le Gall , Marie-Estelle Gueunier-Farret , Aurore Brézard-Oudot , Alexandre Jaffré
Progress in Photovoltaics, 2020, 28 (6), pp.601-608. ⟨10.1002/pip.3235⟩
Article dans une revue hal-02439912v1

Electrical properties of hydrogenated microcrystalline silicon carbon alloys: effect of deposition parameters and light soaking

Sofia Gaiaschi , Marie-Estelle Farret-Gueunier , Christophe Longeaud , Eric Johnson
Journal of Physics D: Applied Physics, 2015, 48, pp.285101. ⟨10.1088/0022-3727/48/28/285101⟩
Article dans une revue hal-01274543v1

Structural properties of hydrogenated microcrystalline silicon–carbon alloys deposited by Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition: Effect of microcrystalline silicon seed layer and methane flow rate

S. Gaiaschi , R. Ruggeri , E.V. Johnson , P. Bulkin , P. Chapon
Thin Solid Films, 2014, 550, pp.312-318. ⟨10.1016/j.tsf.2013.11.081⟩
Article dans une revue hal-01099597v1

Distributed Electron Cyclotron Resonance plasma: a technology for large area deposition of device quality a-Si:H at very high rate

P. Leempoel , P. Descamps , T. Kervyn de Meerendré , J. Charliac , Pere Roca I Cabarrocas
Thin Solid Films, 2008, 516, pp.6853
Article dans une revue hal-00350890v1

Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates

Yrebegnan Moussa Soro , A. Abramov , Marie-Estelle Gueunier-Farret , E.V. Johnson , Christophe Longeaud
Journal of Non-Crystalline Solids, 2008, 354, pp.2092
Article dans une revue hal-00350767v1

Polymorphous silicon thin films deposited at high rate: transport properties and density of states

Yrebegnan Moussa Soro , A. Abramov , Marie-Estelle Gueunier-Farret , E.V. Johnson , Christophe Longeaud
Thin Solid Films, 2008, 516, pp.6888
Article dans une revue hal-00350886v1

Effect of thermal coupling on the electronic properties of hydrogenated amorphous silicon thin films deposited by ECR

T.H. Dao , Marie-Estelle Gueunier-Farret , D. Daineka , P. Bulkin , Pere Roca I Cabarrocas
Thin Solid Films, 2007, 515, pp.7650-7653
Article dans une revue hal-00322079v1

Device quality a-Si:H deposited from electron cyclotron resonance at very high deposition rates

Marie-Estelle Gueunier-Farret , Cyril Bazin , Jean-Paul Kleider , Christophe Longeaud , P. Bulkin
Journal of Non-Crystalline Solids, 2006, 352, pp.1913-1916
Article dans une revue hal-00321731v1

Modulated photocurrent in the recombination regime

Marie-Estelle Gueunier , Christophe Longeaud , Jean-Paul Kleider
European Physical Journal: Applied Physics, 2004, 26, pp.75-85
Article dans une revue hal-00320883v1

The modulated photocurrent technique: a powerful tool to investigate band gap states in silicon based thin films

Jean-Paul Kleider , Christophe Longeaud , Marie-Estelle Gueunier
Phys. stat. sol., 2004, 1, pp.1208-1226
Article dans une revue hal-00321029v1

Investigation of bandgap states using the modulated photocurrent technique in both low and high frequency regimes

Jean-Paul Kleider , Christophe Longeaud , Marie-Estelle Gueunier
Journal of Non-Crystalline Solids, 2004, 338-340, pp.390-399
Article dans une revue hal-00320874v1

Tandem Solar Cells: State of the Art and Recent Advances

Marie-Estelle Gueunier-Farret , J Alvarez , Aleksandra Bojar , Stéphane Collin , J.P. Connolly
Journées Nationales du Photovoltaïque (JNPV) 2022, Nov 2022, Dourdan, France
Communication dans un congrès hal-03878623v1
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Capacitance-Voltage Characterization Technique Adapted to Tandem Solar Cell

Cyril Léon , Sylvain Le Gall , Marie-Estelle Gueunier-Farret , Aurore Brézard-Oudot , Alexandre Jaffré
36th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, WIP, Sep 2019, Marseille, France. pp.638, ⟨10.4229/EUPVSEC20192019-3CO.8.3⟩
Communication dans un congrès hal-02343918v1

Application de la technique de caractérisation Capacité-Tension à l’étude des cellules tandem

Cyril Léon , Aurore Brézard-Oudot , Sylvain Le Gall , Marie-Estelle Gueunier-Farret , Christophe Longeaud
Journées Nationales du PhotoVoltaïque (JNPV) 2018, Dec 2018, Dourdan, France
Communication dans un congrès hal-01943020v1

Structural and electrical properties of hydrogenated microcrystalline silicon-carbon alloys deposited at low substrate temperature by RF-PECVD

Sofia Gaiaschi , Marie-Estelle Gueunier-Farret , Christophe Longeaud , E.V. Johnson , P. Chapon
E-MRS Spring Meeting 2014, European Materials Research Society, May 2014, Lille, France
Communication dans un congrès hal-01099579v1

Low temperature hydrogenated microcrystalline silicon-carbon alloys deposited by RF-PECVD for photovoltaic application

Sofia Gaiaschi , E.V. Johnson , Marie-Estelle Gueunier-Farret , Christophe Longeaud , P. Chapon
E-MRS Spring Meeting 2014, European Materials Research Society, May 2014, Lille, France
Communication dans un congrès hal-01099573v1

µc-Si1-xCx:H deposited by RF-PECVD: a novel material for PV applications

Sofia Gaiaschi , E.V. Johnson , Marie-Estelle Gueunier-Farret , Christophe Longeaud , Pavel Bulkin
E-MRS Fall Meeting 2013, Sep 2013, Warsaw, Poland
Communication dans un congrès hal-00931311v1

Tailored Voltage deposition of µc-Si1-xCx:H from H2 diluted SiH4 and CH4 gas mixtures

Sofia Gaiaschi , R. Ruggeri , E.V. Johnson , Marie-Estelle Gueunier-Farret , Christophe Longeaud
ICANS 25, Aug 2013, Toronto, Canada
Communication dans un congrès hal-00931312v1

RF power influence on structural and electrical properties of µc-Si1-xCx:H

Sofia Gaiaschi , Marie-Estelle Gueunier-Farret , Christophe Longeaud , E.V. Johnson , Pavel Bulkin
EUPVSEC 2013, Sep 2013, Paris, France
Communication dans un congrès hal-00931310v1

Caractérisation des défauts électriquement actifs de semiconducteurs en couches minces par la technique du photocourant modulé

Marie-Estelle Gueunier-Farret , Jean-Paul Kleider , Christophe Longeaud , Sofia Gaiaschi
JNPV 2013, Dec 2013, Dourdan, France
Communication dans un congrès hal-00931321v1

Structural and electrical characterization of microcrystalline silicon-carbon alloys deposited by RF-PECVD

Sofia Gaiaschi , R. Ruggeri , E.V. Johnson , Pavel Bulkin , Marie-Estelle Gueunier-Farret
E-MRS Spring Meeting 2013, May 2013, Strasbourg, France
Communication dans un congrès hal-00931313v1

Caracterisations structurales et electriques de μc-Si1−xCx :H deposes par RF-PECVD

Sofia Gaiaschi , R. Ruggeri , E.V. Johnson , Pavel Bulkin , Marie-Estelle Gueunier-Farret
JNPV 2012, Dec 2012, Chantilly, France
Communication dans un congrès hal-00781749v1

Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates

Yrebegnan Moussa Soro , Marie-Estelle Gueunier-Farret , Christophe Longeaud , Jean-Paul Kleider
Journées annuelles de la SF2M 2008, Jun 2008, Paris, France. pp.CD-ROM
Communication dans un congrès hal-00351235v1

Polymorphous silicon thin films deposited at high rate: transport properties and density of states

Yrebegnan Moussa Soro , A. Abramov , Marie-Estelle Gueunier-Farret , E.V. Johnson , Christophe Longeaud
E-MRS 2007 Spring Meeting, 2007, France
Communication dans un congrès hal-00322303v1

Distributed Electron Cyclotron Resonance plasma: a technology for large area deposition of device quality a-Si:H at very high rate

P. Leempoel , P. Descamps , T. Kervyn de Meerenedre , J. Charliac , Pere Roca I Cabarrocas
E-MRS 2007 Spring Meeting, 2007, France
Communication dans un congrès hal-00322305v1

Device grade hydrogenated polymorphous silicon deposited at high rates

Yrebegnan Moussa Soro , A. Abramov , Marie-Estelle Gueunier-Farret , E.V. Johnson , Christophe Longeaud
22nd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, ICANS 22, 2007, United States
Communication dans un congrès hal-00322281v1

Effect of thermal coupling on the electronic properties of hydrogenated amorphous silicon thin films deposited by electron cyclotron resonance

T.H. Dao , Marie-Estelle Gueunier-Farret , D. Daineka , P. Bulkin , Pere Roca I Cabarrocas
E-MRS 2006 Spring Meeting, 2006, France
Communication dans un congrès hal-00321911v1

The modulated photocurrent technique: comparison of the high and low frequency regimes for the characterisation of bandgap states in thin films semiconductors

Marie-Estelle Gueunier-Farret , Jean-Paul Kleider , Christophe Longeaud
a-SiNet Workshop, 2005, Netherlands
Communication dans un congrès hal-00321563v1

Device quality a-Si:H deposited from electron cyclotron resonance at very high deposition rates

Marie-Estelle Gueunier-Farret , Cyril Bazin , Jean-Paul Kleider , Christophe Longeaud , P. Bulkin
21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, 2005, Portugal
Communication dans un congrès hal-00321694v1

Determination of bandgap states characteristics using the modulated photocurrent technique in both low and high frequency regimes

Jean-Paul Kleider , Christophe Longeaud , Marie-Estelle Gueunier
4th AMS (international conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors), 2004, Russia
Communication dans un congrès hal-00321032v1

Technique du photocourant modulé pour la caractérisation des états localisés dans la bande interdite des semiconducteurs en couches minces

Marie-Estelle Gueunier-Farret , Jean-Paul Kleider , Christophe Longeaud
Séminaire RDT photovoltaïque CNRS-ADEME, Matériaux et procédés pour la conversion photovoltaïque de l'énergie solaire, 2004, France
Communication dans un congrès hal-00321088v1