Mathieu Moreau Maître de conférences à l’IUT du Limousin, Université de Limoges, département Génie Electrique et Informatique Industrielle (GEII), campus universitaire de Brive-La-Gaillarde.

Présentation

Activités pédagogiques

· Maître de conférences à l’IUT du Limousin, Université de Limoges, département Génie Electrique et Informatique Industrielle (GEII), campus universitaire de Brive-La-Gaillarde. Enseignements dans les formations :

-BUT GEII (BAC+1, BAC+2) : CM, TD, TP de systèmes électroniques (montages AOP, MOSFET, filtrage actif et passif, oscillateur, PLL, modulation d’amplitude, transmission en bande de base et transposée, …) ; CM, TD, TP d'automatique (asservissements linéaires continus invariant dans le temps : modélisation et outils mathématique, stabilité et performances des systèmes, correction des systèmes aservis) ; TP d'électronique RF et HF (analyseur de réseau scalaire et vectoriel, CAO adaptation d'impédance, mesures d'antennes, mesures de puissance RF) ;TD, TP d’électricité et énergie (Lois de Kirchhoff, théorèmes des circuits linéaires, circuits électriques en complexes, diagramme de Bode, régimes permanent et transitoire, transformation de Fourier, …) ; TP de Systèmes d’Information Numérique (porte logique de base, logique combinatoire et séquentielle, machine d’état, langage VHDL) ; CM, TD de Physique Appliquée (thermique, capteurs) ; formation à l'habilitation électrique (B0, B1V, B2V, BR) ; Tuteur de stage et d'alternant (suivi de 2 à 4 étudiants).

-Licences Professionnelles (BAC+3): Cours, TD et TP de Traitement numérique du signal ; Projet tuteurés (Réalisation d’une modulation numérique sur DSP ; étude et mise en œuvre d’un émetteur/récepteur RF) ; Tuteur de stage (suivi de 1 à 2 étudiants).

Activités scientifiques

· Modélisation, simulation et mesure des phénomènes électriques et thermiques dans les composants et circuits télécoms (Diode, High Electron Mobility Transistor HEMT)

· Conception et Design de circuits innovants à base de cellules mémoires non volatiles émergentes de types résistives [Oxyde Resistive RAM (OXRRAM), Conductive Bridge RAM (CBRAM)]. Développement d’architectures spécifiques telles que : architectures « beyond Von Neumann » type neuro-inspiré ; cellules mémoires distribuées dans les cœurs de calcul ; plan mémoire matriciel ; intégration dans les circuits sur support souple à base de matériaux polymères

· Etude de transistors organiques sur supports souples à base de matériaux polymères semiconducteur par la modélisation analytique des caractéristiques statiques et dynamiques pour une implémentation dans des outils numériques de CAO afin de concevoir des blocs électroniques élémentaires utilisés dans les puces des tags RFID.

· Développement de simulateurs numériques (en langage fortran) et de modèles compacts (avec Mathcad) pour évaluer l'impact des phénomènes physiques (effets électrostatiques et effets quantiques) dans les composants microélectroniques actifs avancés (capacité MOS, transistor MOSFET en architecture multi-grilles).

· Etude de l'influence des matériaux innovants tels que les diélectriques de grille à forte permittivité &quot;high-k&quot; (HfO2, Al2O3, ...) et les semiconducteurs à forte mobilitité (Ge et semiconducteurs III-V) dans les composants microélectroniques actifs avancés (capacité MOS, transistor MOSFET en architecture multi-grilles).

Publications

Article dans une revue (27)

Two-Dimensional Materials for Raman Thermometry on Power Electronic Devices Mohammed Boussekri,Lucie Frogé,Raphaël Sommet,Julie Cholet,Dominique Carisettiet al. Nanomaterials, 2025, 15 (17), pp.1344. ⟨10.3390/nano15171344⟩ Article dans une revue hal-05238203v1
Experimental Analysis of Oxide-Based RAM Analog Synaptic Behavior Hassan Aziza,Jeremy Postel-Pellerin,Mathieu Moreau Electronics, 2022, 12 (1), pp.49. ⟨10.3390/electronics12010049⟩ Article dans une revue hal-03941057v1
STATE: A Test Structure for Rapid and Reliable Prediction of Resistive RAM Endurance H. Aziza,J. Postel-Pellerin,M. Moreau IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2022, 22 (4), pp.500-505. ⟨10.1109/TDMR.2022.3213191⟩ Article dans une revue hal-03941082v1
Density Enhancement of RRAMs using a RESET Write Termination for MLC Operation Hassen Aziza,Said Hamdioui,Moritz Fieback,Mottaqiallah Taouil,Mathieu Moreauet al. Microelectronics Reliability, 2021, 126, pp.1877-1880. ⟨10.23919/DATE51398.2021.9473967⟩ Article dans une revue hal-03504284v1
Multi-Level Control of Resistive RAM (RRAM) Using a Write Termination to Achieve 4 Bits/Cell in High Resistance State Hassen Aziza,Said Hamdioui,Moritz Fieback,Mottaqiallah Taouil,Mathieu Moreauet al. Electronics, 2021, 10 (18), pp.2222. ⟨10.3390/electronics10182222⟩ Article dans une revue lirmm-03377249v1
Performances and Stability Analysis of a novel 8T1R Non-volatile SRAM (NVSRAM) versus Variability Hussein Bazzi,Hassen Aziza,Mathieu Moreau,Adnan Harb Journal of Electronic Testing: : Theory and Applications, 2021, 37 (4), pp.515-532. ⟨10.1007/s10836-021-05965-x⟩ Article dans une revue hal-03501909v1
RRAM-based non-volatile SRAM cell architectures for ultra-low-power applications Hussein Bazzi,Adnan Harb,Hassen Aziza,Mathieu Moreau,Abdallah Kassem Analog Integrated Circuits and Signal Processing, 2021, 106 (2), pp.351-361. ⟨10.1007/s10470-020-01587-z⟩ Article dans une revue hal-03504286v1
Write Termination circuits for RRAM : A Holistic Approach From Technology to Application Considerations Alexandre Levisse,Marc Bocquet,Marco Rios,Mouhamad Alayan,Mathieu Moreauet al. IEEE Access, 2020, pp.109297-109308. ⟨10.1109/ACCESS.2020.3000867⟩ Article dans une revue hal-02863232v1
An Energy-Efficient Current-Controlled Write and Read Scheme for Resistive RAMs (RRAMs) Hassen Aziza,M. Moreau,M. Fieback,M. Taouil,S. Hamdioui IEEE Access, 2020, 8, pp.137263-137274. ⟨10.1109/ACCESS.2020.3011647⟩ Article dans une revue hal-03504829v1
Non-volatile SRAM memory cells based on ReRAM technology Hussein Bazzi,Adnan Harb,Hassen Aziza,Mathieu Moreau SN Applied Sciences, 2020, 2 (9), ⟨10.1007/s42452-020-03267-z⟩ Article dans une revue hal-03504289v1
True Random Number Generator Integration in a Resistive RAM Memory Array Using Input Current Limitation Hassen Aziza,Jeremy Postel-Pellerin,Hussein Bazzi,Pierre Canet,Mathieu Moreauet al. IEEE Transactions on Nanotechnology, 2020, 19, pp.214-222. ⟨10.1109/TNANO.2020.2976735⟩ Article dans une revue hal-03504843v1
Switching Event Detection and Self-Termination Programming Circuit for Energy Efficient ReRAM Memory Arrays M. Alayan,E. Muhr,A. Levisse,Marc Bocquet,M. Moreauet al. IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, 2019, 66 (5), pp.748-752. ⟨10.1109/TCSII.2019.2908967⟩ Article dans une revue hal-02158840v1
Design and Simulation of a 128 kb Embedded Nonvolatile Memory Based on a Hybrid RRAM (HfO$_2$ )/28 nm FDSOI CMOS Technology Jean-Michel Portal,Marc Bocquet,Santhosh Onkaraiah,Mathieu Moreau,Hassen Azizaet al. IEEE Transactions on Nanotechnology, 2017, 16, pp.677 - 686. ⟨10.1109/TNANO.2017.2703985⟩ Article dans une revue hal-01745418v1
A Built-In Self-Test Structure (BIST) for Resistive RAMs Characterization: Application to Bipolar OxRRAM Hassen Aziza,Marc Bocquet,Mathieu Moreau,Jean-Michel Portal Solid-State Electronics, 2015, 103, pp.73 - 78. ⟨10.1016/j.sse.2014.09.005⟩ Article dans une revue hal-01737300v1
Synchronous Non-Volatile Logic Gate Design Based on Resistive Switching Memories Weisheng Zhao,Mathieu Moreau,Erya Deng,Yue Zhang,Jean-Michel Portalet al. IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, 2014, 61 (2), pp.443 - 454. ⟨10.1109/TCSI.2013.2278332⟩ Article dans une revue hal-01743999v1
An Overview of Non-Volatile Flip-Flops Based on Emerging Memory Technologies Jean-Michel Portal,Marc Bocquet,Mathieu Moreau,Hassen Aziza,Damien Deleruyelleet al. Journal of Electronic Science and Technology, 2014, 12 (2), pp.173 - 181. ⟨10.3969/j.issn.1674-862X.2014.02.007⟩ Article dans une revue hal-01745646v1
Design and analysis of crossbar architecture based on complementary resistive switching non-volatile memory cells W. Zhao,M. Portal,W. Kang,Mathieu Moreau,Y. Zhanget al. Journal of Parallel and Distributed Computing, 2014, 74 (6), pp.2484 - 2496. ⟨10.1016/j.jpdc.2013.08.004⟩ Article dans une revue hal-01744000v1
A novel test structure for OxRRAM process variability evaluation Hassen Aziza,Marc Bocquet,Jean-Michel Portal,Mathieu Moreau,Christophe Muller Microelectronics Reliability, 2013, 53 (9-11), pp.1208 - 1212. ⟨10.1016/j.microrel.2013.07.012⟩ Article dans une revue istex hal-01745650v1
Quantum Compact Model of Drain Current in Independent Double-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Daniela Munteanu,Jean-Luc Autran,Mathieu Moreau Japanese Journal of Applied Physics, 2011, 50 (2), ⟨10.1143/JJAP.50.024301⟩ Article dans une revue hal-01430093v1
Effects of localized gate stack parasitic charge on current-voltage characteristics of double-gate MOSFETs with high-permittivity dielectrics and Ge-channel Daniela Munteanu,Mathieu Moreau,Jean-Luc Autran Journal of Non-Crystalline Solids, 2011, 357 (8-9, SI), pp.1879-1883. ⟨10.1016/j.jnoncrysol.2010.12.046⟩ Article dans une revue istex hal-01430098v1
Simulation study of Short-Channel Effects and quantum confinement in double-gate FinFET devices with high-mobility materials Mathieu Moreau,Daniela Munteanu,Jean-Luc Autran Microelectronic Engineering, 2011, 88 (4), pp.366-369. ⟨10.1016/j.mee.2010.08.026⟩ Article dans une revue istex hal-01430097v1
Investigation of capacitance-voltage characteristics in Ge/high-kappa MOS devices Mathieu Moreau,Daniela Munteanu,Jean-Luc Autran,F. Bellenger,J. Mitardet al. Journal of Non-Crystalline Solids, 2009, 355 (18-21), pp.1171-1175. ⟨10.1016/j.jnoncrysol.2009.01.056⟩ Article dans une revue istex hal-01430114v1
Electron transport through high-kappa dielectric barriers: A non-equilibrium Green's function (NEGF) study Daniela Munteanu,Jean-Luc Autran,Mathieu Moreau,M. Houssa Journal of Non-Crystalline Solids, 2009, 355 (18-21), pp.1180-1184. ⟨10.1016/j.jnoncrysol.2009.03.006⟩ Article dans une revue istex hal-01430113v1
Quantum Simulation of C-V and I-V Characteristics in Ge and III-V Materials/High-κ MOS Devices Mathieu Moreau,Daniela Munteanu,Jean-Luc Autran,Florence Bellenger,Jérome Mitardet al. MRS Online Proceedings Library, 2009, 1194, pp.1194-A02-02. ⟨10.1557/PROC-1194-A02-02⟩ Article dans une revue hal-01745840v1
A Compact Model for the Ballistic Subthreshold Current in Ultra-Thin Independent Double-Gate MOSFETs Daniela Munteanu,Mathieu Moreau,Jean-Luc Autran Molecular Simulation, 2009, 35 (06), pp.491-497. ⟨10.1080/08927020902801548⟩ Article dans une revue hal-00515080v1
Simulation of Gate Tunneling Current in Metal-Insulator-Metal Capacitor with Multi layer High-kappa Dielectric Stack Using the Non-equilibrium Green's Function Formalism Mathieu Moreau,Daniela Munteanu,Jean-Luc Autran Japanese Journal of Applied Physics, 2009, 48 (11), ⟨10.1143/JJAP.48.111409⟩ Article dans une revue hal-01430110v1
Simulation Analysis of Quantum Confinement and Short-Channel Effects in Independent Double-Gate Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors Mathieu Moreau,Daniela Munteanu,Jean-Luc Autran Japanese Journal of Applied Physics, 2008, 47 (9), pp.7013 - 7018. ⟨10.1143/JJAP.47.7013⟩ Article dans une revue hal-01745615v1

Communication dans un congrès (24)

Using of the 2D materials signature for thermal Raman measurements of power devices Mohammed Boussekri,Mathieu Moreau,Raphaël Sommet,Dominique Carisetti,Julie Choletet al. 18th European Advanced Technology Workshop on Micropackaging and Thermal management, IMAPS, Mar 2025, La Rochelle, France Communication dans un congrès hal-05029086v1
STATE: A Test Structure for Rapid Prediction of Resistive RAM Electrical Parameter Variability Hassen Aziza,Jeremy Postel-Pellerin,Hussein Bazzi,Mathieu Moreau,Adnan Harb IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) 2022, May 2022, Austin, United States. pp.3532-3536, ⟨10.1109/ISCAS48785.2022.9937716⟩ Communication dans un congrès hal-03941188v1
Storage class memory with computing row buffer: A design space exploration Valentin Egloff,Jean-Philippe Noel,Maha Kooli,Bastien Giraud,Lorenzo Ciampoliniet al. 2021 Design, Automation & Test in Europe Conference & Exhibition (DATE), Feb 2021, grenoble, France. pp.1-6, ⟨10.23919/DATE51398.2021.9473992⟩ Communication dans un congrès cea-03605068v1
Resistive RAM SET and RESET Switching Voltage Evaluation as an Entropy Source for Random Number Generation Hussein Bazzi,Jeremy Postel-Pellerin,Hassen Aziza,Mathieu Moreau,Adnan Harb 2020 IEEE International Symposium on Defect and Fault Tolerance in VLSI and Nanotechnology Systems (DFT), Oct 2020, Frascati, Italy. pp.1-4, ⟨10.1109/DFT50435.2020.9250726⟩ Communication dans un congrès hal-03504288v1
Design of a Novel Hybrid CMOS Non-Volatile SRAM Memory in 130nm RRAM Technology Hussein Bazzi,Hassen Aziza,Mathieu Moreau,Adnan Harb Design, Technology, and Test of Integrated Circuits and Systems, Apr 2020, virtual, Morocco. ⟨10.1109/DTIS48698.2020.9081153⟩ Communication dans un congrès hal-03504830v1
A Capacitor-Less CMOS Neuron Circuit for Neuromemristive Networks Hassen Aziza,Mathieu Moreau,Jean-Michel Portal,Arnaud Virazel,Patrick Girard NEWCAS 2019 - 17th IEEE International Conference on Electronics Circuits and Systems, Jun 2019, Munich, Germany. ⟨10.1109/NEWCAS44328.2019.8961278⟩ Communication dans un congrès lirmm-02395325v1
An Augmented OxRAM Synapse for Spiking Neural Network (SNN) Circuits Hassen Aziza,H. Bazzi,J. Postel-Pellerin,P. Canet,M. Moreauet al. 2019 14th International Conference on Design & Technology of Integrated Systems In Nanoscale Era (DTIS), Apr 2019, Mykonos, France. ⟨10.1109/DTIS.2019.8735057⟩ Communication dans un congrès hal-02306907v1
True random number generation exploiting SET voltage variability in resistive RAM memory arrays Jérémy Postel-Pellerin,Hussein Bazzi,Hassen Aziza,Pierre Canet,Mathieu Moreauet al. 2019 19th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS), Oct 2019, Durham, France. pp.1-5, ⟨10.1109/NVMTS47818.2019.9043369⟩ Communication dans un congrès hal-03504849v1
ReRAM ON/OFF resistance ratio degradation due to line resistance combined with device variability in 28nm FDSOI technology Hassen Aziza,P. Canet,J. Postel-Pellerin,Mathieu Moreau,Jean-Michel Portalet al. 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Apr 2017, Athens, Greece. ⟨10.1109/ULIS.2017.7962594⟩ Communication dans un congrès hal-01745666v1
High density emerging resistive memories: What are the limits? A. Levisse,B. Giraud,J.P. Noel,M. Moreau,Jean-Michel Portal 2017 IEEE 8th Latin American Symposium on Circuits & Systems (LASCAS), Feb 2017, Bariloche, Argentina. ⟨10.1109/LASCAS.2017.7948104⟩ Communication dans un congrès hal-01788136v1
Architecture, design and technology guidelines for crosspoint memories Alexandre Levisse,P. Royer,Bastien Giraud,J.P. Nöel,Mathieu Moreauet al. 2017 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH), Jul 2017, Newport, United States. pp.677 - 686, ⟨10.1109/NANOARCH.2017.8053733⟩ Communication dans un congrès hal-01788148v1
Capacitor based SneakPath compensation circuit for transistor-less ReRAM architectures Alexandre Levisse,Bastien Giraud,Jean-Philippe Noel,Mathieu Moreau,Jean-Michel Portal Proceedings of the 2016 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH), Jul 2016, Beijing, China. pp.7-12, ⟨10.1145/2950067.2950073⟩ Communication dans un congrès hal-01435118v1
Multilevel Operation in Oxide Based Resistive RAM with SET voltage modulation Hassen Aziza,H. Ayari,S. Onkaraiah,Mathieu Moreau,Jean-Michel Portalet al. 2016 11TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON DESIGN & TECHNOLOGY OF INTEGRATED SYSTEMS IN NANOSCALE ERA (DTIS), Apr 2016, Istanbul, Turkey. pp.1-5, ⟨10.1109/DTIS.2016.7483892⟩ Communication dans un congrès hal-01434981v1
SneakPath compensation circuit for programming and read operations in RRAM-based CrossPoint architectures Alexandre Levisse,Bastien Giraud,Jean-Philippe Noel,Mathieu Moreau,Jean-Michel Portal 2015 15th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS), Oct 2015, Beijing, China. ⟨10.1109/NVMTS.2015.7457426⟩ Communication dans un congrès hal-01745689v1
Oxide based resistive RAM: ON/OFF resistance analysis versus circuit variability Hassen Aziza,Haytem Ayari,Santhosh Onkaraiah,Jean-Michel Portal,Mathieu Moreauet al. 2014 IEEE International Symposium on Defect and Fault Tolerance in VLSI and Nanotechnology Systems (DFT), Oct 2014, Amsterdam, Netherlands. ⟨10.1109/DFT.2014.6962107⟩ Communication dans un congrès hal-01745718v1
A Built-In Self-Test Structure (BIST) for Resistive RAMs Characterization: Application to Bipolar OxRRAMs Hassen Aziza,Marc Bocquet,Mathieu Moreau,Jean-Michel Portal International Semiconductor Device Research Symposium, Dec 2013, Bethesda, United States Communication dans un congrès hal-01745729v1
Analytical study of complementary memristive synchronous logic gates Jean-Michel Portal,Mathieu Moreau,Marc Bocquet,Hassen Aziza,Damien Deleruyelleet al. 2013 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH), Jul 2013, Brooklyn, United States. ⟨10.1109/NanoArch.2013.6623047⟩ Communication dans un congrès hal-01745759v1
Single-ended sense amplifier robustness evaluation for OxRRAM technology Hassen Aziza,Marc Bocquet,Mathieu Moreau,Jean-Michel Portal 2013 IEEE Design and Test Symposium (IDT), Dec 2013, Marrakesh, Morocco. ⟨10.1109/IDT.2013.6727097⟩ Communication dans un congrès hal-01745737v1
Analytical study of complementary memristive synchronous logic gates Jean-Michel Portal,M. Moreau,Marc Bocquet,Hassen Aziza,D. Deleruyelleet al. 2013 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH), Jul 2013, Brooklyn, France. ⟨10.1109/NanoArch.2013.6623047⟩ Communication dans un congrès hal-01827052v1
Synchronous Full-Adder based on Complementary Resistive Switching Memory Cells Y Zhang,Erya y Deng,Jacques-Olivier O Klein,Damien Querlioz,Dafiné Ravelosonaet al. 11th International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS), Jun 2013, Paris, France. ⟨10.1109/NEWCAS.2013.6573578⟩ Communication dans un congrès hal-01840795v1
Effects of gate stack parasitic charge on current-voltage characteristics of high-k/SiO2/Ge-channel Double-Gate MOSFETs Daniela Munteanu,Mathieu Moreau,Jean-Luc Autran 8th Symposium SiO2, Advanced Dielectrics and Related Devices (2010), Jun 2010, Varenna, Italy Communication dans un congrès hal-04393620v1
Simulation study of short-channel effects and quantum confinement in Double-Gate FinFET devices with high-mobility materials Mathieu Moreau,Daniela Munteanu,Jean-Luc Autran European-Material Research Society (E-MRS) 2010 Spring Meeting, Jun 2010, Strasbourg, France Communication dans un congrès hal-04393626v1
Compact Model of the Ballistic Subthreshold Current in Independent Double-Gate MOSFETs Daniela Munteanu,M. Moreau,Jean-Luc Autran NSTI NANOTECH 2008, VOL 3, TECHNICAL PROCEEDINGS: MICROSYSTEMS, PHOTONICS, SENSORS, FLUIDICS, MODELING, AND SIMULATION, 2008, Unknown, Unknown Region. pp.877+ Communication dans un congrès hal-01759433v1
3D Simulation Analysis of Bipolar Amplification in Planar Double-Gate and FinFET with Independent Gates Daniela Munteanu,Jean-Luc Autran,Mathieu Moreau Conference on Radiation Effects on Components and Systems (RADECS), Sep 2008, Jyväskylä, Finland. pp.280-283, ⟨10.1109/RADECS.2008.5782727⟩ Communication dans un congrès hal-01841105v1

Thèse (1)

Modélisation et simulation numérique des nano-transistors multi-grilles à matériaux innovants Mathieu Moreau Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Provence - Aix-Marseille I, 2010. Français. ⟨NNT : ⟩ Thèse tel-00566288v2