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pascal dherbecourt
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Documents
Présentation
**Pascal Dherbécourt**,
**Professeur des universités**
**Section CNU 63 (*Génie électrique, électronique, photonique et systèmes)***
- **Adresse professionnelle :**
- **Groupe de Physique des Matériaux - UMR CNRS 6634**
- Avenue de l’Université BP 76801 Saint Etienne du Rouvray Cedex
- Tel : 02 32 95 51 57 - Email : <pascal.dherbecourt@univ-rouen.fr>
**Université de Rouen - IUT – Département Génie Electrique et Informatique Industrielle**
- 76821 Mont Saint Aignan Cedex Tel : 02 35 14 63 54
**Septembre 2014 : Habilitation à Diriger des Recherches**
Soutenue le 4 septembre 2014 au GPM Université de Rouen Normandie : **« Performances et fiabilité des systèmes: Des télécommunications optiques aux composants électroniques de puissance »**
**Juin 2002 : Doctorat en physique** à l’université de Rouen.
Thèse soutenue le 21 juin 2002, portant sur **« *l’étude et réalisation d’un générateur d’onde optique modulée en amplitude à très haute fréquence »*.** Application à la caractérisation spectrale des sources lasers et des photorécepteurs rapides type PIN pour les systèmes de télécommunications sur fibres optiques à très haut débit.
**Distinction honorifique :** Chevalier dans l’Ordre des Palmes Académiques promotion juillet 2009.
Publications
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An Extraction Method of SiC Power MOSFET Threshold Voltage3rd International Conference on Electrical and Information Technologies, Nov 2017, Rabat, Morocco. ⟨10.1007/978-3-030-05276-8_2⟩
Communication dans un congrès
hal-02295944v1
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A new extraction method of SiC power MOSFET threshold voltage using a physical approach2017 International Conference on Electrical and Information Technologies (ICEIT), Nov 2017, Rabat, France. pp.1-6, ⟨10.1109/EITech.2017.8255289⟩
Communication dans un congrès
hal-02177925v1
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Static behavior analysis of silicon carbide power MOSFET for temperature variations2016 International Conference on Electrical and Information Technologies (ICEIT), May 2016, Tangiers, Morocco. pp.276-280, ⟨10.1109/EITech.2016.7519605⟩
Communication dans un congrès
hal-02173722v1
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Analyse par électroluminescence des dégradations de transistor MOSFET en SiCSymposium de Génie Electrique 2016 - SGE2016, Jun 2016, Grenoble, France
Poster de conférence
hal-01696225v1
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Internal Temperature Measurement of Electronic ComponentsAbdelkhalak El Hami & Philippe Pougnet (Eds). Embedded Mechatronic Systems 1, Elsevier, pp.165-184, 2015, 978-1-78548-013-3. ⟨10.1016/B978-1-78548-013-3.50007-3⟩
Chapitre d'ouvrage
hal-02173702v1
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