Accéder directement au contenu

pascal dherbecourt

11
Documents

Présentation

**Pascal Dherbécourt**, **Professeur des universités** **Section CNU 63 (*Génie électrique, électronique, photonique et systèmes)*** - **Adresse professionnelle :** - **Groupe de Physique des Matériaux - UMR CNRS 6634** - Avenue de l’Université BP 76801 Saint Etienne du Rouvray Cedex - Tel : 02 32 95 51 57 - Email : <pascal.dherbecourt@univ-rouen.fr> **Université de Rouen - IUT – Département Génie Electrique et Informatique Industrielle** - 76821 Mont Saint Aignan Cedex Tel : 02 35 14 63 54 **Septembre 2014 : Habilitation à Diriger des Recherches** Soutenue le 4 septembre 2014 au GPM Université de Rouen Normandie : **« Performances et fiabilité des systèmes: Des télécommunications optiques aux composants électroniques de puissance »** **Juin 2002 : Doctorat en physique** à l’université de Rouen. Thèse soutenue le 21 juin 2002, portant sur **« *l’étude et réalisation d’un générateur d’onde optique modulée en amplitude à très haute fréquence »*.** Application à la caractérisation spectrale des sources lasers et des photorécepteurs rapides type PIN pour les systèmes de télécommunications sur fibres optiques à très haut débit. **Distinction honorifique :** Chevalier dans l’Ordre des Palmes Académiques promotion juillet 2009.

Publications

eric-joubert

PHM method for detecting degradation of GaN HEMT ON resistance, application to power converter

H. Boulzazen , Chawki Douzi , Eric Joubert , Pascal Dherbécourt , Moncef Kadi
e-Prime – Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, 2022, 2, pp.100060. ⟨10.1016/j.prime.2022.100060⟩
Article dans une revue hal-03872112v1

A novel methodology to characterize LGA packaged GaN power transistors using a mother/daughter board configuration for the reliability qualification in the mild hybrid applications

Chawki Douzi , Moncef Kadi , Moncef Kadi , Pascal Dherbécourt , Mohamed Akram Besserour
Microelectronics Reliability, 2022, 138, pp.114777. ⟨10.1016/j.microrel.2022.114777⟩
Article dans une revue hal-03882052v1

Physical Study of SiC Power MOSFETs Towards HTRB Stress Based on C-V Characteristics

Wadia Jouha , Mohamed Lamine Masmoudi , Ahmed El Oualkadi , Eric Joubert , Pascal Dherbécourt
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2020, 20 (3), pp.506-511. ⟨10.1109/TDMR.2020.2999029⟩
Article dans une revue hal-03174373v1

In‐depth analysis of the static behaviour of a SiC MOSFET and of its associated parameters using both compact modelling and physical simulation

Wadia Jouha , Ahmed El Oualkadi , Pascal Dherbécourt , Mohamed Lamine Masmoudi , Joubert Eric
IET Circuits, Devices & Systems, 2020, 14 (2), pp.222-228. ⟨10.1049/iet-cds.2018.5509⟩
Article dans une revue hal-04355283v1

An Improved SPICE Model for the Study of Electro-thermal Static Behavior for two New Generations of SiC MOSFET

Wadia Jouha , Pascal Dherbécourt , Ahmed El Oualkadi , Eric Joubert , Mohamed Lamine Masmoudi
International Journal of Information Science & Technology, 2019, ⟨10.57675/IMIST.PRSM/ijist-v3i1.44⟩
Article dans une revue hal-02295925v1

Silicon Carbide Power MOSFET Model: An Accurate Parameter Extraction Method Based on the Levenberg–Marquardt Algorithm

Wadia Jouha , Ahmed El Oualkadi , Pascal Dherbécourt , Eric Joubert , Mohamed Lamine Masmoudi
IEEE Transactions on Power Electronics, 2018, 33 (11), pp.9130-9133. ⟨10.1109/TPEL.2018.2822939⟩
Article dans une revue hal-02177905v1

An Extraction Method of SiC Power MOSFET Threshold Voltage

Ahmed Eloualkaki , Pascal Dherbécourt , Eric Joubert , Mohamed Lamine Masmoudi , Wadia Jouha
3rd International Conference on Electrical and Information Technologies, Nov 2017, Rabat, Morocco. ⟨10.1007/978-3-030-05276-8_2⟩
Communication dans un congrès hal-02295944v1

A new extraction method of SiC power MOSFET threshold voltage using a physical approach

Wadia Jouha , Ahmed El Oualkadi , Pascal Dherbécourt , Eric Joubert , Mohamed Lamine Masmoudi
2017 International Conference on Electrical and Information Technologies (ICEIT), Nov 2017, Rabat, France. pp.1-6, ⟨10.1109/EITech.2017.8255289⟩
Communication dans un congrès hal-02177925v1

Static behavior analysis of silicon carbide power MOSFET for temperature variations

Wadia Jouha , Pascal Dherbécourt , Eric Joubert , Ahmed El Oualkadi
2016 International Conference on Electrical and Information Technologies (ICEIT), May 2016, Tangiers, Morocco. pp.276-280, ⟨10.1109/EITech.2016.7519605⟩
Communication dans un congrès hal-02173722v1

Internal Temperature Measurement of Electronic Components

Eric Joubert , Olivier Latry , Pascal Dherbécourt , Maxime Fontaine , Christian Gautier
Abdelkhalak El Hami & Philippe Pougnet (Eds). Embedded Mechatronic Systems 1, Elsevier, pp.165-184, 2015, 978-1-78548-013-3. ⟨10.1016/B978-1-78548-013-3.50007-3⟩
Chapitre d'ouvrage hal-02173702v1