Pierre BROSSELARD

Publications

Article dans une revue (38)

Optical sensor characterization for rapid detection of nitrogen phosphorus and potassium concentrations in soil Mangeh Elsie Jaja,Valery Nkemeni,Pierre Tsafack,Pierre Brosselard,Nicole Gilonet al. Discover Sensors, 2026, 2 (1), pp.17. ⟨10.1007/s44397-026-00048-y⟩ Article dans une revue hal-05545357v1
Electrical Characterization of HV (10 Kv) Power 4H-SiC Bipolar Junction Transistor Pierre Brosselard,Brenda Fosso-Sob,Dominique Planson,Pascal Bevilacqua,Camille Sonnevilleet al. Key Engineering Materials, 2025, 1021, pp.1-6. ⟨10.4028/p-T0Vjdb⟩ Article dans une revue hal-05293324v1
Matching Physical and Electrical Measurements (OBIC) to Simulation (FEM) on High Voltage Bipolar Diodes Dominique Planson,Camille Sonneville,Pascal Bevilacqua,Pierre Brosselard,Mihai Lazaret al. Key Engineering Materials, 2025, 1023, pp.1-6. ⟨10.4028/p-0v5tyE⟩ Article dans une revue hal-05293312v1
Modified TCAD simulation approach for 4H-SiC JBS diode to investigate electron trapping effects Shikha Kumari,Pierre Brosselard,Dominique Planson,P. Vigneshwara Raja Microelectronics Reliability, 2025, 173, pp.115876. ⟨10.1016/j.microrel.2025.115876⟩ Article dans une revue hal-05196660v1
Physical and electrical characterizations of low n-doped MOCVD GaN-on-sapphire layers for power electronics applications Ndembi Ignoumba-Ignoumba,Camille Sonneville,Adrien Bidaud,Pierre Brosselard,Eric Frayssinetet al. Power Electronic Devices and Components, 2025, 11, pp.100100. ⟨10.1016/j.pedc.2025.100100⟩ Article dans une revue hal-05099383v1
Design and Characterization of an Optical 4H-SiC Bipolar Junction Transistor Pierre Brosselard,Dominique Planson,Dominique Tournier,Pascal Bevilacqua,Camille Sonnevilleet al. Solid State Phenomena, 2024, 360, pp.127-131. ⟨10.4028/p-sj87Lx⟩ Article dans une revue hal-04677726v1
Visualization of P+ JTE embedded rings used for peripheral protection of high voltage Schottky diodes by the Optical Beam Induced Current (OBIC) technique Dominique Planson,Dominique Tournier,Pascal Bevilacqua,Camille Sonneville,Pierre Brosselardet al. Solid State Phenomena, 2024, 360, pp.119-125. ⟨10.4028/p-d65YuN⟩ Article dans une revue hal-04677706v1
Breakdown voltage capability of vertical 4H–SiC power devices Philippe Godignon,Jérôme Biscarrat,Miya Tranchesset,Romain Lavieville,Pierre Brosselardet al. Materials Science in Semiconductor Processing, 2024, 178, pp.108347. ⟨10.1016/j.mssp.2024.108347⟩ Article dans une revue cea-04742479v1
Design, Fabrication and Characterization of 10 kV 4H-SiC BJT for the Phototransistor Target Ali Ammar,Mihai Lazar,Bertrand Vergne,Sigo Scharnholz,Luong Viêt Phunget al. Romanian Journal of Information Science and Technology, 2023, 26 (2), pp.193-204. ⟨10.59277/ROMJIST.2023.2.06⟩ Article dans une revue hal-04276812v1
Surge Driven Evolution of Schottky Barrier Height on 4H-SiC JBS Diodes Besar Asllani,Jean Baptiste Fonder,Pascal Bevilacqua,Dominique Planson,Luong Viet Phunget al. Materials Science Forum, 2018, 924, pp.593 - 596. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.924.593⟩ Article dans une revue hal-01857352v1
Modeling of Inhomogeneous 4H-SiC Schottky and JBS Diodes in a Wide Temperature Range Besar Asllani,Maxime Berthou,Dominique Tournier,Pierre Brosselard,Phillippe Godignon Materials Science Forum, 2016, 858, pp.741 - 744. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.858.741⟩ Article dans une revue hal-01646323v1
Cryogenic to High Temperature Exploration of 4H-SiC W-SBD Maxime Berthou,Besar Asllani,Pierre Brosselard,Philippe Godignon Materials Science Forum, 2015, 821-823, pp.583-587. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.583⟩ Article dans une revue hal-01646326v1
Impact of Design on Electrical Characteristics of 3.5 kV 4H-SiC JBS Diode Pierre Brosselard,Florian Chevalier,Benjamin Proux,Nicolas Thierry-Jebali,Pascal Bevilacquaet al. Materials Science Forum, 2015, 806, pp.117-120. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.806.117⟩ Article dans une revue hal-02133670v1
Edge Termination Design Improvements for 10 kV 4H-SiC Bipolar Diodes Duy Minh Nguyen,Runhua Huang,Luong Viet Phung,Dominique Planson,Maxime Berthouet al. Materials Science Forum, 2013, 740-742, pp.609 - 612. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.609⟩ Article dans une revue hal-01627801v1
Design and Characterization of a Novel Dual-Gate 3.3 Kv 4H-Sic JFET Florian Chevalier,Pierre Brosselard,Dominique Tournier,G. Grosset,L. Dupuyet al. Materials Science Forum, 2013, 740-742, pp.938-941. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.938⟩ Article dans une revue hal-00803057v1
Study of the Nucleation of p-Doped SiC in Selective Epitaxial Growth Using VLS Transport Davy Carole,Arthur Vo-Ha,Anthony Thomas,Mihai Lazar,Nicolas Thierry-Jebaliet al. Materials Science Forum, 2013, 740-742, pp.177-180. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.177⟩ Article dans une revue hal-00803058v1
Electrical Characterization of PiN Diodes with p&lt;sup&gt;+&lt;/sup&gt; Layer Selectively Grown by VLS Transport Nicolas Thierry-Jebali,Mihai Lazar,Arthur Vo Ha,Davy Carole,Véronique Soulièreet al. Materials Science Forum, 2013, 740-742, pp.911 - 914. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.911⟩ Article dans une revue hal-01627792v1
Integration of temperature and current sensors in 4H-SiC VDMOS Maxime Berthou,Philippe Godignon,Pierre Brosselard,Dominique Tournier,José Millán Materials Science Forum, 2012, 717-720, pp.1093-1096. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.1093⟩ Article dans une revue hal-00803062v1
Buried selective growth of p-doped SiC by VLS epitaxy Davy Carole,Stéphane Berckmans,Arthur Vo-Ha,Mihai Lazar,Dominique Tournieret al. Materials Science Forum, 2012, 717-720, pp.169-172. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.169⟩ Article dans une revue hal-00803061v1
600 V PiN diodes fabricated using on-axis 4H silicon carbide Gabriel Civrac,Farah Laariedh,Nicolas Thierry-Jebali,Mihai Lazar,Dominique Plansonet al. Materials Science Forum, 2012 Article dans une revue hal-02126341v1
Wide Band Gap Semiconductors Benefits for High Power, High Voltage and High Temperature Applications Dominique Tournier,Pierre Brosselard,Christophe Raynaud,Mihai Lazar,Hervé Morelet al. Advanced Materials Research, 2011, Advances in Innovative Materials and Applications, pp.46-51. ⟨10.4028/www.scientific.net/AMR.324.46⟩ Article dans une revue hal-00799902v1
SiC Schottky diodes for harsh environment space applications Philippe Godignon,Xavier Jordà,Miquel Vellvehi,Xavier Perpina,Viorel Banuet al. IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2011, 58 (7), pp.2582 - 2590. ⟨10.1109/TIE.2010.2080252⟩ Article dans une revue hal-00747617v1
Influence of the Masking Material and Geometry on the 4H-SiC RIE Etched Surface State Mihai Lazar,Fabrice Enoch,Farah Laariedh,Dominique Planson,Pierre Brosselard Materials Science Forum, 2011, 679-680, pp.477-480. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.477⟩ Article dans une revue hal-04343373v1
Experimental determination of impact ionization coefficients in 4H-SiC Duy Minh Nguyen,Christophe Raynaud,Nicolas Dheilly,Mihai Lazar,Dominique Tournieret al. Diamond and Related Materials, 2011, 20 (3), pp.395-397. ⟨10.1016/j.diamond.2011.01.039⟩ Article dans une revue istex hal-00661429v1
High breakdown voltage Schottky diodes synthesized on p-type CVD diamond layer Pierre-Nicolas Volpe,Pierre Muret,Julien Pernot,Franck Omnès,Tokuyuki Terajiet al. Physica Status Solidi A (applications and materials science), 2010, 207 (9), pp.2088-2092. ⟨10.1002/pssa.201000055⟩ Article dans une revue istex hal-00739492v1
Extreme dielectric strength in boron doped homoepitaxial diamond Pierre-Nicolas Volpe,Pierre Muret,Julien Pernot,Franck Omnès,Tokuyuki Terajiet al. Applied Physics Letters, 2010, 97 (22), pp.223501. ⟨10.1063/1.3520140⟩ Article dans une revue hal-00734714v1
A Step Toward High Temperature Intelligent Power Modules Using 1.5kV SiC-BJT Dominique Tournier,Pascal Bevilacqua,Pierre Brosselard,Dominique Planson Materials Science Forum, 2010, 645-648, pp.1155-1158. ⟨10.4028/WWW.scientific.net/MSF.645-648.1155⟩ Article dans une revue hal-02168907v1
High Power Density SiC 450A AccuMOSFET for Current Limiting Applications Dominique Tournier,Pascal Bevilacqua,Dominique Planson,Hervé Morel,Pierre Brosselardet al. Materials Science Forum, 2009, MATERIALS SCIENCE FORUM, 615-617, pp.911-914. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.911⟩ Article dans une revue hal-04368124v1
Temperature Dependence lifetime measurements on 3.3kV 4H-SiC PiN Diodes using OCVD Technique Nicolas Dheilly,Dominique Planson,Pierre Brosselard,Jawad Ul Hassan,Pascal Bevilacquaet al. Materials Science Forum, 2009, MATERIALS SCIENCE FORUM, 615-617, pp.703-706. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.703⟩ Article dans une revue hal-04368136v1
Characterization of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes by Admittance vs Temperature Analyses Christophe Raynaud,Duy Minh Nguyen,Pierre Brosselard,Amador Pérez-Tomás,Dominique Plansonet al. Materials Science Forum, 2009, 615-617, pp.671-674. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.671⟩ Article dans une revue hal-00391462v1
Optical beam induced current measurements: principles and applications to SiC device characterization Christophe Raynaud,Duy Minh Nguyen,Nicolas Dheilly,Dominique Tournier,Pierre Brosselardet al. Physica Status Solidi A (applications and materials science), 2009, 206 (10), pp.2273-2283. ⟨10.1002/pssa.200825183⟩ Article dans une revue istex hal-00398971v1
Comparaison de diodes SiC-4H Schottky et bipolaires 3 kV-20 A Pierre Brosselard,M. Berthou,Xavier Jordà,Philippe Godignon,José del R. Millán European Journal of Electrical Engineering, 2009, 12 (2), pp.225-236. ⟨10.3166/ejee.12.225-236⟩ Article dans une revue istex hal-00403379v1
Bipolar Conduction Impact on Electrical Characteristics and Reliability of 1.2- and 3.5-kV 4H-SiC JBS Diodes Pierre Brosselard,Nicolas Camara,Viorel Banu,Xavier Jordà,Miquel Vellvehiet al. IEEE Transactions on Electron Devices, 2008, 55 (8), pp.1847 - 1856. ⟨10.1109/TED.2008.926636⟩ Article dans une revue hal-00369497v1
1.2 kV pin diodes with SiCrystal epiwafer Heu Vang,Christophe Raynaud,Pierre Brosselard,Mihai Lazar,Pierre Cremillieuet al. Materials Science Forum, 2007, MATERIALS SCIENCE FORUM, 556-557, pp.901-904. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.901⟩ Article dans une revue hal-04369138v1
Deep SiC etching with RIE Mihai Lazar,Heu Vang,Pierre Brosselard,Christophe Raynaud,Pierre Cremilleuet al. Superlattices and Microstructures, 2006, 40 (4-6), pp.388-392. ⟨10.1016/j.spmi.2006.06.015⟩ Article dans une revue hal-00179458v1
Composants de puissance en SiC. Etat de l'art Dominique Planson,Christophe Raynaud,Pierre Brosselard,Dominique Bergogne,Mihai Lazaret al. European Journal of Electrical Engineering, 2006, 9 (4-5), pp.595-611 Article dans une revue hal-04371563v1
Edge termination strategies for a 4 kV 4H-SiC thyristor Pierre Brosselard,Dominique Planson,Sigo Scharnholz,Christophe Raynaud,V. Zorngiebelet al. Solid-State Electronics, 2006, 50 (7-8), pp.1183-1188 Article dans une revue hal-00140104v1
Fabrication and Characterisation of High Voltage SiC-Thyristors Volker Zorngiebel,Sigo Scharnholz,Emil Spahn,Pierre Brosselard,N. Arssiet al. Materials Science Forum, 2003, 433-436, pp.883-886. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.433-436.883⟩ Article dans une revue hal-02489305v1

Communication dans un congrès (62)

Physical and electrical characterization of wide band gap for power electronic application Camille Sonneville,Enora Vuillermet,Ndembi Ignoumba-Ignoumba,Maroun Dagher,Nhan Tranet al. Société Française de Physique, Jun 2025, Troyes, France Communication dans un congrès hal-05097944v1
Raman and photoluminescence characterization of β-Ga2O3 for power electronic application Enora Vuillermet,Camille Sonneville,Changzi Lu,Pierre Brosselard,Jean-Marie Bluetet al. WORKSHOP ON GALLIUM OXIDE AND RELATED MATERIALS, Sep 2025, Grenoble, France Communication dans un congrès hal-05317962v1
Performance-Limiting Traps in High-Power 4H-SiC PiN Diodes Identified by Integrated DLTFS and TCAD Investigations Shikha Kumari,Besar Asllani,Christophe Raynaud,Dominique Planson,Pierre Brosselardet al. 7th International Conference on Emerging Electronics (ICEE 2025), Dec 2025, Bengalore, India. ⟨10.1109/ICEE67165.2025.11409767⟩ Communication dans un congrès hal-05571350v1
Using SiC JBS diode as voltage clamping in SSCB application: performances and limitations Dominique Tournier,Pierre Brosselard,Pascal Bevilacqua,Jean Francois de Palma The 26th European Conference on Power Electronics and Applications, GDR SEEDS France & EPE Association, Mar 2025, Paris, France. ⟨10.34746/epe2025-0169⟩ Communication dans un congrès hal-05108353v1
Optimisation de la technologie Ga2O3 pour la réalisation d'une diode Schottky de puissance Changzi Lu,Pierre Brosselard,Jean-Marie Bluet Symposium de Génie Électrique SGE 2025, cnrs, ups, Jul 2025, Toulouse, France Communication dans un congrès hal-05506764v1
Electrical characterization of HV (10 kV) Power 4H-SiC Bipolar Junction Transistor Pierre Brosselard,Brenda Fosso-Sob,Dominique Planson,Pascal Bevilacqua,Camille Sonnevilleet al. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Sep 2024, Raleigh (North Carolina), United States. pp.126-128 Communication dans un congrès hal-04677764v1
Matching physical and electrical measurements (OBIC) to simulation (FEM) on high voltage bipolar diodes Dominique Planson,Camille Sonneville,Pascal Bevilacqua,Pierre Brosselard,Mihai Lazaret al. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Sep 2024, Raleigh (North Carolina), United States. pp.591-592 Communication dans un congrès hal-04680725v1
Visualization of P$^+$ JTE embedded rings used for peripheral protection of high voltage Schottky diodes by the Optical Beam Induced Current (OBIC) technique Dominique Planson,D. Tournier,Pascal Bevilacqua,Camille Sonneville,Pierre Brosselardet al. ICSCRM 2023 - International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2023, Sorrente, Italy Communication dans un congrès hal-04218429v1
Design and Characterization of an Optical 4H-SiC Bipolar Junction Transistor Pierre Brosselard,Dominique Planson,D. Tournier,Pascal Bevilacqua,Camille Sonnevilleet al. ICSCRM 2023 - International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2023, Sorrente, Italy Communication dans un congrès hal-04222211v1
FilSiC – De l'épitaxie au module de puissance Philippe Cussac,Cyrille Duchesne,Jean-Baptiste Fonder,Dominique Tournier,Pierre Brosselardet al. Symposium de Génie Electrique (SGE'16), Jun 2016, Grenoble, France Communication dans un congrès hal-01361598v1
Étude en simulation et conception d'un transistor bipolaire (BJT) 10 kV en 4H-SiC Beverley Choucoutou,Luong Viet Phung,Pierre Brosselard,Michel Mermet-Guyennet,Dominique Planson Symposium de Génie Electrique (SGE'16), Jun 2016, Grenoble, France Communication dans un congrès hal-01361668v1
Precise Automated Semiconductor Characterization under Ambient Control for testing wide band gap semiconductors Bertrand Vergne,Sigo Scharnholz,Dominique Planson,Dominique Tournier,Pierre Brosselard International Symposium on High Voltage Engineering (ISH) 2015, Aug 2015, Pilsen, Czech Republic Communication dans un congrès hal-02428642v1
4H-SiC VJFETs with Self-Aligned Contacts Konstantinos Zekentes,Antonis Stavrinidis,George Konstantinidis,Maria Kayambaki,Konstantinos Vamvoukakiset al. ECSCRM'14, Sep 2014, Grenoble, France. pp.WE-P-75 Communication dans un congrès hal-02133681v1
Etude sur les transistors MOSFETs en Carbure de Silicium - Potentiel d'utilisation dans les Applications Hautes Températures Rémy Ouaida,Pierre Brosselard,Pascal Bevilacqua Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France Communication dans un congrès hal-01065420v1
Conception de thyristors SiC permettant l'étude de l'amplification interne de l'allumage Sigo Scharnholz,Luong Viêt Phung,Dominique Tournier,Bertrand Vergne,Ralf Hassdorfet al. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France Communication dans un congrès hal-01065352v1
Imagerie 2D du champ électrique dans les diodes SiC-4H haute tension par la technique OBIC Hassan Hamad,Pascal Bevilacqua,Dominique Planson,Christophe Raynaud,Dominique Tournieret al. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France Communication dans un congrès hal-01065307v1
Modélisation phénoménologique de la caractéristique IV en direct de diodes Schottky/JBS en carbure de silicium Besar Asllani,Shiqin Niu,Patrick Denis,Maxime Berthou,Dominique Tournieret al. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France Communication dans un congrès hal-01065193v1
Wide bandgap semiconductors for ultra high voltage devices. Design and characterization aspects Dominique Planson,Pierre Brosselard,Karine Isoird,Mihai Lazar,Luong Viêt Phunget al. CAS, Oct 2014, Sinaia, Romania. pp.35 - 40, ⟨10.1109/SMICND.2014.6966383⟩ Communication dans un congrès hal-01388002v1
3D TCAD Simulations for More Efficient SiC Power Devices Design Luong Viêt Phung,Dominique Planson,Pierre Brosselard,Dominique Tournier,Christian Brylinski Electro Chemical Society 224th meeting, Oct 2013, San Francisco, United States. ⟨10.1149/05804.0331ecst⟩ Communication dans un congrès hal-04240572v1
Study of the Nucleation of p-doped SiC in Selective Epitaxial Growth using VLS Transport Davy Carole,Arthur Vo-Ha,Anthony Thomas,Mihai Lazar,Nicolas Thierry Thierry-Jebaliet al. ECSCRM 2012, Sep 2012, Saint-Pétersbourg, Russia. 4p Communication dans un congrès hal-04362529v1
Influence of process parameters on electrical properties of PiN diodes fabricated with a highly p-type doped layer selectively grown by VLS transport N Thierry-Jebali,Mihai Lazar,A Vo-Ha,D Carole,V Soulièreet al. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials ICSCRM 2013, Sep 2013, Miyazaki, Japan Communication dans un congrès hal-04011693v1
Impact of design on electrical characteristics of 3.5 kV 4H-SiC JBS diode Pierre Brosselard,F Chevalier,B Proux,N Thierry-Jebali,Pascal Bevilacquaet al. International Silicon Carbide Hetero-Epitaxy HeteroSiC and Workshop on Advanced Semiconductor Materials and devices for Power Electronics WASMPE, Jun 2013, Nice, France Communication dans un congrès hal-04022951v1
Buried selective growth of p-doped SiC by VLS epitaxy Davy Carole,Stéphane Berckmans,Arthur Vo-Ha,Mihai Lazar,Dominique Tournieret al. CSCRM, Sep 2011, Cleveland, United States Communication dans un congrès hal-00747294v1
PASChAC, système automatisé de caractérisation de composants sur wafer Bertrand Vergne,Gontran Pâques,Claudia Maurer,Sigo Scharnholz,Pierre Brosselardet al. Electronique de Puissance du Futur 2012, Jul 2012, Bordeaux, France Communication dans un congrès hal-02282734v1
Protections périphériques des composants 1200 V Florian Chevalier,Pierre Brosselard,D. Tournier,Bertrand Vergne,Nicolas Dheillyet al. 14ème EPF, Jul 2012, Bordeaux, France. 4 p Communication dans un congrès hal-04560447v1
Electrical characterization of PiN diodes fabricated on a p layer selectively grown by VLS transport Nicolas Thierry-Jebali,Mihai Lazar,Arthur Vo-Ha,Davy Carole,Véronique Soulièreet al. Proceedings of the 2012 European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ECSCRM, Sep 2012, Saint-Pétersbourg, Russia. 4p Communication dans un congrès hal-04366810v1
Protections périphériques de diodes bipolaires 10 kV en SiC-4H Duy Minh Nguyen,Runhua Huang,Bertrand Vergne,Pascal Bevilacqua,Philippe Godignonet al. 14ème Conférence Electronique de Puissance du Futur (EPF 2012), Jul 2012, Bordeaux, France Communication dans un congrès hal-04560471v1
Physical modelling of 4H-SiC PiN diodes Craig A. Fischer,Michael R. Jennings,Angus T. Bryant,Amador Pérez-Tomás,Peter M. Gammonet al. CSCRM, Sep 2011, Cleveland, United States. pp.993-996, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.993⟩ Communication dans un congrès hal-00747601v1
Diode PiN 6500V en SiC-4H Pierre Brosselard,Runhua Huang,Duy Minh Nguyen,Dominique Planson,Lionel Dupuyet al. 14ème EPF, Jul 2012, Bordeaux, France. 4 p Communication dans un congrès hal-04573111v1
Design and characterization of a novel 3.3 kV 4H-SiC JFET Florian Chevalier,Pierre Brosselard,D. Tournier,Grégory Grosset,Lionel Dupuyet al. Proceedings of the 2012 European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ECSCRM, Sep 2012, Saint-Pétersbourg, Russia. 4p Communication dans un congrès hal-04048180v1
600 V PiN diodes fabricated using on-axis 4H silicon carbide Gabriel Civrac,Farah Laariedh,Nicolas Thierry-Jebali,Mihai Lazar,Dominique Plansonet al. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2011 (ICSCRM 2011), Sep 2011, Cleveland, United States. pp.969-972, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.969⟩ Communication dans un congrès hal-00747295v1
Integration of temperature and current sensors in 4H-SiC VDMOS Maxime Berthou,Philippe Godignon,Pierre Brosselard,Dominique Tournier,José Millán CSCRM, Sep 2011, Cleveland, United States Communication dans un congrès hal-00747607v1
Wide Band Gap Semiconductors Benefits for High Power, High Voltage and High Temperature Applications Dominique Tournier,Pierre Brosselard,Christophe Raynaud,Mihai Lazar,Hervé Morelet al. CIMA, Mar 2011, Beyrouth, Lebanon. pp.CD Communication dans un congrès hal-00661500v1
High temperature capability of high voltage 4H-SiC JBS Maxime Berthou,Philippe Godignon,Bertrand Vergne,Pierre Brosselard HeteroSiC & WASMPE 2011, Jun 2011, Tours, France. pp.124-128, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.711.124⟩ Communication dans un congrès hal-00747613v1
Influence of the Masking Material and Geometry on the 4H-SiC RIE Etched Surface State Mihai Lazar,Fabrice Enoch,Farah Laariedh,Dominique Planson,Pierre Brosselard CSCRM, Aug 2010, Oslo, Norway. pp.477-480, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.477⟩ Communication dans un congrès hal-00661443v1
A Step Toward High Temperature Intelligent Power Modules Using 1.5kV SiC-BJT Dominique Tournier,Pascal Bevilacqua,Pierre Brosselard,Dominique Planson CSCRM, Oct 2009, Nuremberg, Germany. pp.1155-1158, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.1155⟩ Communication dans un congrès hal-00496976v1
SiC BJT driver applied to a 2 kW inverter: Performances and limitations Dominique Tournier,Pascal Bevilacqua,Pierre Brosselard,Dominique Planson,Bruno Allard 6th CIPS, Mar 2010, Nuremberg, Germany Communication dans un congrès hal-00579223v1
Novel Structures of 3.3kV 4H-SiC BJTs to Reduce the Stacking Faults Expansion Pierre Brosselard,Dominique Tournier,Viorel Banu,Xavier Jordà,Philippe Godignonet al. ISPSD, Jun 2009, Barcelone, Spain. à paraître Communication dans un congrès hal-00375323v1
Temperature Dependence lifetime measurements on 3.3kV 4H-SiC PiN Diodes using OCVD Technique Nicolas Dheilly,Dominique Planson,Pierre Brosselard,Hassan Jawad,Pascal Bevilacquaet al. ECSCRM European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2008, Barcelone, Spain. pp.703-706, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.703⟩ Communication dans un congrès hal-00391369v1
Accelerated Test for Reliability Analysis of SiC Diodes Viorel Banu,Xavier Jordà,Josep Montserrat,Philippe Godignon,José del R. Millánet al. ISPSD, Jun 2009, Barcelone, Spain. à paraître Communication dans un congrès hal-00380318v1
High Power Density SiC 450A AccuMOSFET for Current Limiting Applications Dominique Tournier,Pascal Bevilacqua,Dominique Planson,Hervé Morel,Pierre Brosselardet al. CSCRM, Sep 2008, Barcelone, Spain. pp.911-914, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.911⟩ Communication dans un congrès hal-00391376v1
Characterization of 4H-SiC junction barrier Schottky diodes by admittance vs. temperature analyses Christophe Raynaud,D M Nguyen,Pierre Brosselard,A Pérez-Tomás,Dominique Plansonet al. European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ECSCRM 2008, Sep 2008, Barcelone, Spain Communication dans un congrès hal-03331775v1
1.2 kV Rectifiers Thermal Behaviour: comparison between Si PiN, 4H-SiC Schottky and JBS diodes Pierre Brosselard,Xavier Jordà,Miquel Vellvehi,Amador Pérez-Tomás,Philippe Godignonet al. ECPEA 2007, Sep 2007, Aalborg, Denmark. pp.1 - 9, ⟨10.1109/EPE.2007.4417474⟩ Communication dans un congrès hal-00369523v1
The effect of the temperature on the Bipolar Degradation of 3.3 kV 4H-SiC PiN diodes Pierre Brosselard,A. P. Tomas,Nicolas Camara,J. Hassan,Xavier Jordàet al. ISPSD '08, May 2008, Orlando, FL, United States. pp.237 - 240, ⟨10.1109/ISPSD.2008.4538942⟩ Communication dans un congrès hal-00369518v1
Composant de protection série en SiC 450A de forte densité de puissance D. Tournier,Pascal Bevilacqua,Hervé Morel,Dominique Planson,Pierre Brosselardet al. 12ème colloque Electronique de Puissance du Futur, Jul 2008, Tours, France Communication dans un congrès hal-04624757v1
Protection périphérique d’une diode bipolaire SiC-4H. Simulation électrique de JTE à dopage variable Dominique Planson,Nicolas Dheilly,Pierre Brosselard,D. Tournier 12ème colloque Electronique de Puissance du Futur, Jul 2008, Tours, France Communication dans un congrès hal-04606517v1
High temperature behaviour of 3.5 kV 4H-SiC JBS diodes Pierre Brosselard,Xavier Jordà,Miquel Vellvehi,Philippe Godignon,J. P. Bergmanet al. ISPSD '07, May 2007, Jeju Island, South Korea. pp.285 - 288, ⟨10.1109/ISPSD.2007.4294988⟩ Communication dans un congrès hal-00369526v1
Numerical and Experimental Investigation on Bipolar Operation of 4H-SIC Normally-on Vertical JFETs A. Mihaila,F. Udrea,S. J. Rashid,Philippe Godignon,Pierre Brosselardet al. International Semiconductor Conference, Sep 2006, Sinaia, Romania. pp.297 - 300, ⟨10.1109/SMICND.2006.284002⟩ Communication dans un congrès hal-00369507v1
New diode designs compatible with vertical 4H-SiC JFET fabrication process Pierre Brosselard,Dominique Tournier,Miquel Vellvehi,Josep Montserrat,Philippe Godignonet al. CSCRM, Sep 2006, Newcastle upon Tyne, United Kingdom. pp.1003-1006, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.1003⟩ Communication dans un congrès hal-00391386v1
1.2 kV pin diodes with SiCrystal epiwafer Heu Vang,Christophe Raynaud,Pierre Brosselard,Mihai Lazar,Pierre Cremilleuet al. CSCRM, Sep 2006, Newcastle upon Tyne, United Kingdom. pp.901-904, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.901⟩ Communication dans un congrès hal-00358819v1
Ni-Al Ohmic contact to p-type 4H-SiC Heu Vang,Mihai Lazar,Pierre Brosselard,Christophe Raynaud,Pierre Cremilleuet al. 2006 Spring Meeting of the European Materials Research Society (E-MRS 2006), May 2006, Nice, France. ⟨10.1016/j.spmi.2006.08.004⟩ Communication dans un congrès hal-03316263v1
Optimisation de la structure double RESURF d’un transistor JFET latéral SiC-4H pour le développement de convertisseurs de puissance intégrés Johnny Gié,Mihai Lazar,Pierre Brosselard,Dominique Planson,Christophe Raynaud 11ème colloque Electronique de Puissance du Futur, Jul 2006, Grenoble, France Communication dans un congrès hal-04619604v1
Diode PiN SiC-4H 1,2kV sur épi-wafer SiCrystal Heu Vang,Christophe Raynaud,Pierre Brosselard,Mihai Lazar,Pierre Cremillieuet al. 11ème colloque Electronique de Puissance du Futur, Jul 2006, Grenoble, France Communication dans un congrès hal-04618792v1
High Temperature Characterization of 41-SiC Normally-On Vertical JFETs with Buried Gate and Buried Field Rings A. Mihaila,F. Udrea,S. J. Rashid,Philippe Godignon,Pierre Brosselardet al. ISPSD, 2006, Naples, Italy. pp.1 - 4, ⟨10.1109/ISPSD.2006.1666096⟩ Communication dans un congrès hal-00369512v1
Deep SiC etching with RIE Mihai Lazar,Heu Vang,Pierre Brosselard,Christophe Raynaud,Pierre Cremilleuet al. E-MRS 2006, May 2006, Nice, France. pp.3886392 Communication dans un congrès hal-03305997v1
Gravure RIE profonde du SiC pour la réalisation de composants de puissance Heu Vang,T. Morel,F. Chaboud,Pierre Brosselard,Pierre Cremillieuet al. 3eme colloque sur les Matériaux du Génie Electrique, Dec 2005, Lyon, France Communication dans un congrès hal-04620248v1
HIGH VOLTAGE AND SPECIFIC POWER SILICON CARBIDE DEVICES Dominique Planson,Marie-Laure Locatelli,Mihai Lazar,Christophe Raynaud,Jean-Pierre Chanteet al. 10ème colloque Electronique de Puissance du Futur, Sep 2004, Toulouse, France Communication dans un congrès hal-04621819v1
SiC-based current limiter devices Jean-Pierre Chante,Dominique Tournier,Dominique Planson,Christophe Raynaud,Mihai Lazaret al. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM'2003), Oct 2003, Lyon, France. pp.951-956, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.951⟩ Communication dans un congrès hal-04032970v1
Conception d'un transistor JFET 5 kV en SiC-4H Pierre Brosselard,Dominique Planson,Léa Di Cioccio,Thierry Billon,Sigo Scharnholzet al. 10ème colloque Electronique de Puissance du Futur, Sep 2004, Toulouse, France Communication dans un congrès hal-04621465v1
Influence of different peripheral protections on the breakover voltage of a 4H-SiC GTO thyristor Pierre Brosselard,Volker Zorngiebel,Dominique Planson,Sigo Scharnholz,J.-P Chanteet al. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM'2003), Oct 2003, Lyon, France Communication dans un congrès hal-02503456v1
Silicon Carbide specific components for power electronics system protection J.-P Chante,Dominique Planson,Christophe Raynaud,Marie-Laure Locatelli,M. Lazaret al. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM'2003), Oct 2003, Lyon, France Communication dans un congrès hal-02503449v1
Design and simulation of a planar anode GTO thyristor on SiC Pierre Brosselard,Dominique Planson,Sigo Scharnholz,V. Zorngiebel,Mihai Lazaret al. CAS (International Semiconductor Conference), Sep 2003, Sinaia, Romania. pp.222, ⟨10.1109/SMICND.2003.1252421⟩ Communication dans un congrès hal-00410085v1

Poster de conférence (1)

Characterization of β-Ga2O3 and device fabrication Enora Vuillermet,Changzi Lu,Camille Sonneville,Pierre Brosselard,Jean-Marie Bluetet al. Société Française de Physique, Jun 2025, Troyes, France Poster de conférence hal-05099267v1

Chapitre d'ouvrage (1)

Optical Beam Induced Current Measurements: principles and applications to SiC device characterisation Christophe Raynaud,Duy Minh Nguyen,Nicolas Dheilly,Dominique Tournier,Pierre Brosselardet al. Peter Friedrichs, Tsunenobu Kimoto, Lothar Ley, Gerhard Pensl. Silicon Carbide: Volume 1: Growth, Defects, and Novel Applications, Wiley, 319-340 (chapitre 12), 2009 Chapitre d'ouvrage hal-00661529v1

Brevet (1)

STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE POUR INTERRUPTEUR ELECTRONIQUE DE PUISSANCE Dominique Tournier,Pierre Brosselard,Florian Chevalier France, N° de brevet: FR2963479. 2012, pp.22 Brevet hal-00786379v1