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Vincent Rouessac

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  • 1100821
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Présentation

Chargé de recherche au CNRS (section 15) depuis 1999 et habilité à diriger des recherches (HDR) depuis 2007. **Vincent ROUESSAC**, ingénieur ENSCI-Limoges, a débuté sa carrière de chercheur scientifique par une thèse de doctorat en Matériaux et Génie des Procédés de l’Université de Caen qu’il a soutenue en 1997. Il a ensuite effectué une année en tant que post-doctorant à l’ISEM-Wollongong (Australie-NSW) sur la même thématique : les céramiques texturées supraconductrices cuprates de bismuth HTC. Depuis son intégration au Laboratoire des Matériaux et Procédés Membranaires en 1999 (devenu IEM en 2000), il s’est spécialisé dans le traitement par plasma et la technique PECVD en particulier pour des membranes permsélectives aux gaz. Il s’est aussi spécialisé dans le domaine des techniques couplées pour la caractérisation de la porosité des couches minces et membranes supportées (EP, QCM/P,…). Début 2018, **Vincent ROUESSAC** est co auteur de plus de 80 articles de journaux internationaux à comité de lecture (H=20 ; >1000 citations), co auteur de 5 chapitres d’ouvrage, a présenté 28 communications orales lors de séminaires et congrès nationaux et internationaux (81 en coauteur), a supervisé et co supervisé 8 thèses de doctorat.

Publications

diane-rebiscoul
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Plasma Polymerized Organosilicon Thin Films for Volatile Organic Compound (VOC) Detection

Ghadi Dakroub , Thomas Duguet , Corinne Lacaze-Dufaure , Stéphanie Roualdès , Arie van der Lee
plasma, 2023, 6 (3), pp.563-576. ⟨10.3390/plasma6030039⟩
Article dans une revue hal-04225315v1

Mechanical properties of a plasma-modified porous low-k material

Lucile Broussous , G. Berthout , Diane Rebiscoul , V. Rouessac , André Ayral
Microelectronic Engineering, 2010, 87 (3), pp.466-469. ⟨10.1016/j.mee.2009.05.018⟩
Article dans une revue hal-00493712v1

"Study of solvent penetration inside a porous low k material by neutron reflectometry, influence of material surface and of solvent properties"

D. Rebiscoul , L. Broussous , W. Puyrenier , V. Rouessac , A. Ayral
Microelectronic Engineering, 2008, 85 (10), pp.2089-2093. ⟨10.1016/j.mee.2008.03.010⟩
Article dans une revue hal-00359668v1

"Post-etch cleaning for porous low k integration : impact of HF wet etch on "pore sealing" and "k recovery""

L. Broussous , W. Puyrenier , D. Rebiscoul , V. Rouessac , A. Ayral
Proceedings of the IEEE, 2008, pp.87-89. ⟨10.1109/IITC.2008.4546933⟩
Article dans une revue hal-00335650v1

"Effect of plasma treatments on a porous low-k materials. Study of pore sealing"

W. Puyrenier , V. Rouessac , L. Broussous , D. Rebiscoul , A. Ayral
Microporous and Mesoporous Materials, 2007, 106, pp.40-48. ⟨10.1016/j.micromeso.2007.02.009⟩
Article dans une revue hal-00204167v1

"Porosity and structure evolution of a SiOCH low k material during post-etch cleaning process"

L. Broussous , W. Puyrenier , D. Rebiscoul , V. Rouessac , A. Ayral
Microelectronic Engineering, 2007, 84, pp.2600-2605. ⟨10.1016/j.mee.2007.07.001⟩
Article dans une revue hal-00202919v1

"Characterization of the impact of plasma treatments and wet cleaning on a porous low k material"

W. Puyrenier , V. Rouessac , L. Broussous , D. Rebiscoul , A. Ayral
Microelectronic Engineering, 2006, 83 (11-12), pp.2314-2318. ⟨10.1016/j.mee.2006.10.024⟩
Article dans une revue hal-00128556v1

"How ellipsometry can characterize a gas diffusion barrier"

V. Rouessac , W. Puyrenier , L. Broussous , D. Rebiscoul , A. Ayral
Proceedings ICIM9, Lillehammer, Norvège, Juin 2006, 2006, ISBN 13:978-82-14-04026-5, pp.484-487
Article dans une revue hal-00128571v1

"Adsorption-desorption isotherms of nanoporous thin films measured by X-ray reflectometry"

M. Klotz , V. Rouessac , D. Rebiscoul , A. Ayral , A. van Der Lee
Thin Solid Films, 2006, 495, pp.214-218. ⟨10.1016/j.tsf.2005.08.168⟩
Article dans une revue hal-00080016v1