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Vincent Paillard

Né le 15 janvier 1966 (56 ans), marié, deux enfants Carrière : 2003- : Professeur des Universités (UT3) 2021 : promotion PR EX2 2016 : promotion à la classe exceptionnelle (PR EX1) 2011 : promotion à la première classe (PR1) Depuis 2007 : affectation au CEMES 2003-2007 : affectation au laboratoire de physique des solides de Toulouse 1995-2003 : Maître de Conférences (UT3, laboratoire de physique des solides) 2001 : habilitation à diriger des recherches 2000 : promotion à la première classe des MdC 1995 : recrutement MdC 1994-95 : ATER (Ecole Centrale de Lyon, LEOM) 1993-94 : ATER (UCB - Lyon I, DPM) 1990-93 : Doctorant-Moniteur (UCB - Lyon I, DPM) Diplômes : Doctorat (1993, Lyon, sous la direction de P. Mélinon, prix 1994 de l’ED matériaux), DEA de sciences des matériaux et surfaces (1990, Lyon), Maîtrise de physique (1989, Lyon), Licence de physique (1988, Dijon). Responsabilités récentes : Coordinateur du projet ANR HiLight (2020-23) Responsable de la L3 physique (2016-21) Responsable du comité sciences de la matière (SDM) de l'UT3 (2020-21), responsable adjoint du comité SDM (2016-2020), et délégué du pôle de coordination de la recherche SDM à l'Université Fédérale de Toulouse (comue) (2016-21) Membre du bureau du collège scientifique Physique-SDU de l'UT3 et du groupe d'avancement PR (GAEC) (2022-). Membre du collège scientifique Physique-SDU de l'UT3 et du groupe d'avancement MCF (GAEC) (2018-21). Membre élu au département de physique de la FSI (2021-). Membre nommé au département de physique de la FSI (2012-), en qualité de resp. de formation (2012-20). Membre du comité exécutif de l’EUR NanoX (2019-). Membre de la commission recherche de l'UT3 (2016-2021), en qualité de resp. comité SDM. Membre de la commission scientifique de la Faculté des Sciences et Ingénierie (FSI) (2016-2021), en qualité de resp. comité SDM. Membre nommé au conseil de laboratoire (CEMES, 2007-2010 et 2016-2020) Encadrements doctoraux et post-doctoraux : cinq thèses (dont une en cours, une co-tutelle et une cifre), 6 post-doctorants (dont une bourse Marie Curie).
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Documents
Identifiants chercheurs
  • IdHAL vincentpaillard
  • ResearcherId : A-9069-2010
  • Google Scholar : https://scholar.google.fr/citations?user=hYRnXIsAAAAJ&hl=fr
  • IdRef : 160845742
  • ORCID 0000-0002-9085-0396
  • ResearcherId : http://www.researcherid.com/rid/A-9069-2010

Publications

"sylvie-schamm-chardon"

Implantation energy effect on photoluminescence spectroscopy of Si nanocrystals locally fabricated by stencil-masked ultra-low-energy ion-beam-synthesis in silica

Régis Diaz , C. Suarez , Arnaud Arbouet , Renaud Marty , Vincent Paillard
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2012, 272, pp.53-56. ⟨10.1016/j.nimb.2011.01.031⟩
Article dans une revue hal-01745016v1

Si and Ge nanocrystals for future memory devices

Caroline Bonafos , Marzia Carrada , Gérard Benassayag , Sylvie Schamm-Chardon , Jesse Groenen
Materials Science in Semiconductor Processing, 2012, 15 (6), pp.615-626. ⟨10.1016/j.mssp.2012.09.004⟩
Article dans une revue hal-01745013v1

KFM detection of charges injected by AFM into a thin SiO2 layer containing Si nanocrystals

C. Dumas , Laurence Ressier , Jérémie Grisolia , Arnaud Arbouet , Vincent Paillard
Microelectronic Engineering, 2008, 85 (12), pp.2358-2361. ⟨10.1016/j.mee.2008.09.027⟩
Article dans une revue hal-01745038v1

Silicon nanoparticles synthesized in SiO2 pockets by stencil-masked low energy ion implantation and thermal annealing

Jérémie Grisolia , C. Dumas , Gérard Benassayag , Caroline Bonafos , Sylvie Schamm-Chardon
Superlattices and Microstructures, 2008, 44 (4-5), pp.395-401. ⟨10.1016/j.spmi.2007.12.013⟩
Article dans une revue hal-01745035v1

Influence of the thickness of the tunnel layer on the charging characteristics of Si nanocrystals embedded in an ultra-thin SiO2 layer

C. Dumas , Jérémie Grisolia , Gérard Benassayag , Caroline Bonafos , Sylvie Schamm-Chardon
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2007, 38 (1-2), pp.80-84. ⟨10.1016/j.physe.2006.12.026⟩
Article dans une revue hal-01745045v1

Photoluminescence spectroscopy and transport electrical measurements reveal the quantized features of Si nanocrystals embedded in an ultra thin SiO2 layer

C. Dumas , Jérémie Grisolia , Marzia Carrada , Arnaud Arbouet , Vincent Paillard
physica status solidi (c), 2007, 4, pp.311-315. ⟨10.1002/pssc.200673272⟩
Article dans une revue hal-01745040v1

Oxide-nitride-oxide dielectric stacks with Si nanoparticles obtained by low-energy ion beam synthesis

V. Ioannou-Sougleridis , P. Dimitrakis , V. Em Vamvakas , P. Normand , Caroline Bonafos
Nanotechnology, 2007, 18 (21), ⟨10.1088/0957-4484/18/21/215204⟩
Article dans une revue hal-01745043v1

Materials science issues for the fabrication of nanocrystal memory devices by ultra low energy ion implantation

Alain Claverie , Caroline Bonafos , Gérard Benassayag , Sylvie Schamm-Chardon , Nikolay Cherkashin
Defect Diffus. Forum, 2006, 258-260, pp.531-541
Article dans une revue hal-00204809v1

Photoluminescence characterization of few-nanocrystals electronic devices

Arnaud Arbouet , Marzia Carrada , François Demangeot , Vincent Paillard , Gérard Benassayag
Journal of Luminescence, 2006, 121 (2), pp.340-343. ⟨10.1016/j.jlumin.2006.08.070⟩
Article dans une revue hal-01745048v1

Si nanocrystals by ultra-low-energy ion beam-synthesis for non-volatile memory applications

Caroline Bonafos , H. Coffin , Sylvie Schamm-Chardon , Nikolay Cherkashin , Gérard Benassayag
Solid-State Electronics, 2005, 49 (11), pp.1734--1744. ⟨10.1016/j.sse.2005.10.001⟩
Article dans une revue hal-01736088v1