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Marc Bocquet

Enseignant Chercheur (Professeur des universités) à l'université d'Aix-Marseille.
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Présentation

Professeur des Universités - 63ème section CNU ============================================== Unités de rattachement actuelles -------------------------------- ### Laboratoire de recherche : Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence (Im2np) Im2np, UMR CNRS 7334 et Université d'Aix-Marseille <http://www.im2np.fr> Equipe Mémoires - Département ASCE ### Composante d'enseignement : IUT dpt GEII de Marseille <https://iut.univ-amu.fr/departements/geii-marseille> Responsabilités Administratives ### Laboratoire - Depuis 2017 : Co-responsable de l'équipe Mémoires de l'IM2NP - Depuis 2017 : Membre du conseil scientifique de l'IM2NP ### Unité de Formation - 2019-2020 : Co-responsable de la 2ème année du cycle préparatoire intégrée de Polytech Marseille - 2014-2019 : Responsable d'année du département MT de Polytech Marseille - 2012-2014 : Responsable d'un parcours d'enseignement au département MT de Polytech Marseille Diplômes -------- - Juin 2017 : Habilitation à diriger les recherches (HDR), Université d’Aix-Marseille. - Novembre 2009 : Thèse de doctorat en Micro&amp;NanoElectronique de l'INPG, Grenoble. - 2005-2006 : Master NanoTechnologies Université Joseph Fourier, Grenoble, mention bien - 2003-2006 : Diplôme d'ingénieur ENSERG - INPG, Grenoble, mention très bien Activité d'enseignement ----------------------- Volume : Environ 2500 HETD enseignées depuis 2006 Niveaux : Cycle préparatoire (2A), école d'ingénieur (3A-4A-5A), formation continue Matières enseignés : Base de l'électronique numérique, microcontrôleur, électrotechnique, physique et technologie des composants à semi-conducteur, mémoires non-volatiles Thématiques de recherche ------------------------ ### Mots-clefs thématiques : Technologies mémoires émergentes, micro-nanoélectronique, électronique flexible, mémoires non-volatiles, mémoires résistives, RRAM, CBRAM, PCM, FRAM ### Compétences : Microscopie champ proche (AFM, EFM, KPFM, C-AFM), caractérisation électrique sous pointes, modélisation physique, modélisation compacte ### Thèmes : - Modélisation et caractérisation des mémoires innovantes : RRAM, PCRAM, FRAM - Développement technologique de dispositifs mémoires sur support souple\\\\ - Optimisation de nouvelles architectures mémoires de type EEPROM/Flash Projets de recherche -------------------- Implication en tant que participant (P) ou coordinateur (C) : - ANR Neuronic (2019-2023) (C) - IPCEI Nano2022 (2019-2022) (C) - UNICO Chist-ERA (2019-2022) (P) - ANR Reflex (2012-2015) (P) - ANR Dipmem (2012-2015) (P) - Carnot POLYMEM (2014) (P) Expertises Nationales --------------------- - Participation à des jurys de thèse : 2 en tant que président, 4 en tant que rapporteur et 1 en tant que Examinateur - Depuis 2016 : Expertise de dossiers AGIR-PEPS, ANR, IRS, projet region. - 2013 : Membre de la commission de Spécialité de la 63ème section collège B Encadrement doctoral -------------------- - 4 thèses en co-encadrement soutenues - 2 thèses en co-encadrement en cours. - Co-encadrement de thèses sous contrat CIFRE et CTBU CEA. Dissémination scientifique -------------------------- - 105 publications - 25 revues internationales à comité de lecture. - 54 proceedings de conférences internationales à comité de lecture. - 2 articles de vulgarisation scientifiques. - 7 conférences invitées - 1 brevet.

Publications

"gerard-ghibaudo"

Performance and Modeling of Si-Nanocrystal Double-Layer Memory Devices With High-k Control Dielectrics

Guillaume Gay , Gabriel Molas , Marc Bocquet , Eric Jalaguier , Marc Gély
IEEE Transactions on Electron Devices, 2012, 59 (4), pp.933 - 940. ⟨10.1109/TED.2012.2182769⟩
Article dans une revue hal-01804667v1

Investigation of charge-trap memories with AlN based band engineered storage layers

Gabriel Molas , J.P. Colonna , R. Kies , D. Belhachemi , Marc Bocquet
Solid-State Electronics, 2011, 58 (1), pp.68 - 74. ⟨10.1016/j.sse.2010.11.030⟩
Article dans une revue hal-01804675v1

Charge Localization during Program and Retention in Nitrided Read Only Memory-Like Nonvolatile Memory Devices

Emmanuel Nowak , E. Vianello , L. Perniola , Marc Bocquet , G. Molas
Japanese Journal of Applied Physics, 2010, 49, pp.04DD12
Article dans une revue hal-00596309v1
Image document

Impact of a HTO/Al$_2$O$_3$ bi-layer blocking oxide in nitride-trap non-volatile memories

Marc Bocquet , G. Molas , L. Perniola , X. Garros , J. Buckley
Solid-State Electronics, 2009, 53, pp.786 - 791. ⟨10.1016/j.sse.2009.03.018⟩
Article dans une revue hal-01737746v1

Reliability of charge trapping memories with high-k control dielectrics

G. Molas , Marc Bocquet , E. Vianello , L. Perniola , H. Grampeix
Microelectronic Engineering, 2009, 86, pp.1796-1803
Article dans une revue hal-00596125v1

Evaluation of HfAlO high-k materials for control dielectric applications in non-volatile memories.

G. Molas , Marc Bocquet , J. Buckley , H. Grampeix , M. Gély
Microelectronic Engineering, 2008, 85, 2393-2399
Article dans une revue hal-00391751v1
Image document

Investigation of the potentialities of Vertical Resistive RAM (VRRAM) for neuromorphic applications

G. Piccolboni , G. Molas , M. Portal , R. Coquand , Marc Bocquet
2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2015, Washington, United States. pp.17.2.1-17.2.4, ⟨10.1109/IEDM.2015.7409717⟩
Communication dans un congrès hal-01804658v1

Layered HfSiON-based tunnel stacks for voltage reduction and improved reliability in TANOS memories

G. Molas , Marc Bocquet , J. Colonna , V. Vidal , R. Kies
Proceedings of 2010 International Symposium on VLSI Technology, System and Application, Apr 2010, Hsin Chu, France. ⟨10.1109/VTSA.2010.5488949⟩
Communication dans un congrès hal-01745640v1

Investigation of the role of H-related defects in Al2O3 blocking layer on charge-trap memory retention by atomistic simulations and device physical modelling

G. Molas , L. Masoero , P. Blaise , A. Padovani , J. P. Colonna
IEEE IEDM 2010,, 2010, San Francisco, CA, Spain
Communication dans un congrès hal-00604550v1

Charge Localization During Program and Retention in NROM-like Nonvolatile Memory Devices.

Emmanuel Nowak , E. Vianello , L. Perniola , Marc Bocquet , G. Molas
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 2009, Sendai, Japan
Communication dans un congrès hal-00604215v1

New Physical Model for ultra-scaled 3D Nitride-Trapping Non-Volatile Memories.

Emmanuel Nowak , Marc Bocquet , L. Perniola , G. Ghibaudo , G. Molas
IEEE International Electron Devices Meeting 2008, San Francisco, USA, Dec 2008, San Francisco, United States
Communication dans un congrès hal-00392162v1

Reliability of charge trapping memories with high-k control dielectrics

G. Molas , Marc Bocquet , H. Grampeix , J.P. Colonna , L. Masarotto
5th International Symposium on Advanced Gate Stack Technology, Austin, Texas, Sep 2008, Austin, United States
Communication dans un congrès hal-00392559v1

On the Role of a HTO/Al2O3 Bi-Layer Blocking Oxide in Nitride-Trap Non-Volatile Memories

Marc Bocquet , G. Molas , L. Perniola , X. Garros , J. Buckley
38th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC'08), Edinburgh, UK, Sep 2008, Edinburgh, France
Communication dans un congrès hal-00392558v1
Image document

Intrinsic fixed charge and trapping properties of HfAlO interpoly dielectric layers

Marc Bocquet , G. Molas , H. Grampeix , J. Buckley , F. Martin
International Conference on Memory Technology and Design (ICMTD), May 2007, Giens, France
Communication dans un congrès hal-01745578v1

In-depth Investigation of Hf-based High-k Dielectrics as Storage Layer of Charge-Trap

J. Buckley , Marc Bocquet , G. Molas , M. Gely , P. Brianceau
NVMsIEDM 2006, 2006, San Francisco, United States. pp.XX
Communication dans un congrès hal-00147137v1
Image document

NH 3 treatments of Hf-based layers for application as NVM active dielectrics

Marc Bocquet , G. Molas , E. Martínez , H. Grampeix , F. Martin
IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), Dec 2007, Arlington, United States
Poster de conférence hal-01745607v1