Marc Bocquet
Enseignant Chercheur (Professeur des universités) à l'université d'Aix-Marseille.
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Documents
Présentation
Professeur des Universités - 63ème section CNU
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Unités de rattachement actuelles
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### Laboratoire de recherche :
Institut Matériaux Microélectronique Nanosciences de Provence (Im2np)
Im2np, UMR CNRS 7334 et Université d'Aix-Marseille <http://www.im2np.fr>
Equipe Mémoires - Département ASCE
### Composante d'enseignement :
IUT dpt GEII de Marseille
<https://iut.univ-amu.fr/departements/geii-marseille>
Responsabilités Administratives
### Laboratoire
- Depuis 2017 : Co-responsable de l'équipe Mémoires de l'IM2NP
- Depuis 2017 : Membre du conseil scientifique de l'IM2NP
### Unité de Formation
- 2019-2020 : Co-responsable de la 2ème année du cycle préparatoire intégrée de Polytech Marseille
- 2014-2019 : Responsable d'année du département MT de Polytech Marseille
- 2012-2014 : Responsable d'un parcours d'enseignement au département MT de Polytech Marseille
Diplômes
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- Juin 2017 : Habilitation à diriger les recherches (HDR), Université d’Aix-Marseille.
- Novembre 2009 : Thèse de doctorat en Micro&NanoElectronique de l'INPG, Grenoble.
- 2005-2006 : Master NanoTechnologies Université Joseph Fourier, Grenoble, mention bien
- 2003-2006 : Diplôme d'ingénieur ENSERG - INPG, Grenoble, mention très bien
Activité d'enseignement
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Volume : Environ 2500 HETD enseignées depuis 2006
Niveaux : Cycle préparatoire (2A), école d'ingénieur (3A-4A-5A), formation continue
Matières enseignés : Base de l'électronique numérique, microcontrôleur, électrotechnique, physique et technologie des composants à semi-conducteur, mémoires non-volatiles
Thématiques de recherche
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### Mots-clefs thématiques :
Technologies mémoires émergentes, micro-nanoélectronique, électronique flexible, mémoires non-volatiles, mémoires résistives, RRAM, CBRAM, PCM, FRAM
### Compétences :
Microscopie champ proche (AFM, EFM, KPFM, C-AFM), caractérisation électrique sous pointes, modélisation physique, modélisation compacte
### Thèmes :
- Modélisation et caractérisation des mémoires innovantes : RRAM, PCRAM, FRAM
- Développement technologique de dispositifs mémoires sur support souple\\\\
- Optimisation de nouvelles architectures mémoires de type EEPROM/Flash
Projets de recherche
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Implication en tant que participant (P) ou coordinateur (C) :
- ANR Neuronic (2019-2023) (C)
- IPCEI Nano2022 (2019-2022) (C)
- UNICO Chist-ERA (2019-2022) (P)
- ANR Reflex (2012-2015) (P)
- ANR Dipmem (2012-2015) (P)
- Carnot POLYMEM (2014) (P)
Expertises Nationales
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- Participation à des jurys de thèse : 2 en tant que président, 4 en tant que rapporteur et 1 en tant que Examinateur
- Depuis 2016 : Expertise de dossiers AGIR-PEPS, ANR, IRS, projet region.
- 2013 : Membre de la commission de Spécialité de la 63ème section collège B
Encadrement doctoral
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- 4 thèses en co-encadrement soutenues
- 2 thèses en co-encadrement en cours.
- Co-encadrement de thèses sous contrat CIFRE et CTBU CEA.
Dissémination scientifique
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- 105 publications
- 25 revues internationales à comité de lecture.
- 54 proceedings de conférences internationales à comité de lecture.
- 2 articles de vulgarisation scientifiques.
- 7 conférences invitées
- 1 brevet.
Publications
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Investigation of the potentialities of Vertical Resistive RAM (VRRAM) for neuromorphic applications2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2015, Washington, United States. pp.17.2.1-17.2.4, ⟨10.1109/IEDM.2015.7409717⟩
Communication dans un congrès
hal-01804658v1
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Layered HfSiON-based tunnel stacks for voltage reduction and improved reliability in TANOS memoriesProceedings of 2010 International Symposium on VLSI Technology, System and Application, Apr 2010, Hsin Chu, France. ⟨10.1109/VTSA.2010.5488949⟩
Communication dans un congrès
hal-01745640v1
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Investigation of the role of H-related defects in Al2O3 blocking layer on charge-trap memory retention by atomistic simulations and device physical modellingIEEE IEDM 2010,, 2010, San Francisco, CA, Spain
Communication dans un congrès
hal-00604550v1
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Charge Localization During Program and Retention in NROM-like Nonvolatile Memory Devices.International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 2009, Sendai, Japan
Communication dans un congrès
hal-00604215v1
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New Physical Model for ultra-scaled 3D Nitride-Trapping Non-Volatile Memories.IEEE International Electron Devices Meeting 2008, San Francisco, USA, Dec 2008, San Francisco, United States
Communication dans un congrès
hal-00392162v1
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Reliability of charge trapping memories with high-k control dielectrics5th International Symposium on Advanced Gate Stack Technology, Austin, Texas, Sep 2008, Austin, United States
Communication dans un congrès
hal-00392559v1
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On the Role of a HTO/Al2O3 Bi-Layer Blocking Oxide in Nitride-Trap Non-Volatile Memories38th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC'08), Edinburgh, UK, Sep 2008, Edinburgh, France
Communication dans un congrès
hal-00392558v1
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Intrinsic fixed charge and trapping properties of HfAlO interpoly dielectric layersInternational Conference on Memory Technology and Design (ICMTD), May 2007, Giens, France
Communication dans un congrès
hal-01745578v1
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In-depth Investigation of Hf-based High-k Dielectrics as Storage Layer of Charge-TrapNVMsIEDM 2006, 2006, San Francisco, United States. pp.XX
Communication dans un congrès
hal-00147137v1
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NH 3 treatments of Hf-based layers for application as NVM active dielectricsIEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), Dec 2007, Arlington, United States
Poster de conférence
hal-01745607v1
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