Camille Sonneville

Camille Sonneville : Maitre de conférence à l'INSA de Lyon
54
Documents

Présentation

INSA Lyon - Laboratoire ampère

Laboratoire ampère UMR5005
Campus de la Doua 69621 Villeurbanne cedex

camille.sonneville@insa-lyon.fr

Thèmes de recherches :

De manière générale Camille Sonneville travaille sur la caractérisation spectroscopique et optiques des matériaux sous contraintes sévères : tension, température et pression...

  • Après une thèse sur la caractérisation par spectroscopie vibrationnelle (Raman et Brillouin) des verres d'oxydes, elle a effectué un post-doctoral à l'université de Montréal suivi d'un ATER à l'ENS Paris Saclay où elle a pu poursuivre ses travaux de recherches sur la caractérisation spectroscopique des matériaux, en particulier des composés de lanthanides, composés de terre rare, des verre, perovskite et polymères...
  • Elle a intégrée l'INSA de Lyon en 2017 en tant qu'ATER et a rejoint le laboratoire Ampère en 2018 en tant que maitre de conférence où elle fait partie du département énergie électrique. Ses travaux au laboratoire Ampère concernent principalement la caractérisation physique par méthodes optiques et electro-optique des composants de puissance à grand gap (SiC, GaN et diamant).

Enseignement :

  • Camille Sonneville est titulaire de l'agrégation de physique option physique depuis 2009.
  • Elle a enseigné en préparation à l'agrégation de physique de l'ENS Cachan, en classe préparatoire (PCSI) au lycée Janson de sailly (Paris) et en PC au lycée des Chartreux (Lyon), ainsi qu'à l'IUT Lyon 1.
  • Depuis 2017, elle enseigne la physique en Formation Initiale au Métier de l'Ingénieur (FIMI) de l'INSA de Lyon. En particulier l'optique géométrique et ondulatoire, l'électrocinétique, l'électromagnetisme et les outils mathématiques pour les sciences de l'ingénieur.


Publications

7
5
4
4
3
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
26
5
4
3
3
3
2
2
2
2
1
1
36
17
13
10
10
9
8
8
8
8
8
7
7
7
7
7
6
6
5
5
5
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
3
3
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
7
5
4
3
2
2
1
1
1
1
41
24
6
4
2
1
1
1

Publications

Image document

Physical and electrical characterizations of low n-doped MOCVD GaN-on-sapphire layers for power electronics applications

Ndembi Ignoumba-Ignoumba , Camille Sonneville , Adrien Bidaud , Pierre Brosselard , Eric Frayssinet et al.
Power Electronic Devices and Components, 2025, 11, pp.100100. ⟨10.1016/j.pedc.2025.100100⟩
Article dans une revue hal-05099383 v1

New insights in vertical GaN-on-GaN Schottky diode by Raman, cathodoluminescence and electrical characterizations

Vishwajeet Maurya , Daniel Alquier , Maroun Dagher , Camille Sonneville , Dominique Planson et al.
Materials Science in Semiconductor Processing, 2025, 198, pp.109681. ⟨10.1016/j.mssp.2025.109681⟩
Article dans une revue hal-05099324 v1
Image document

Advanced characterization of SiC devices by optical beam induced current (OBIC): Experimental and simulation results

Dominique Planson , Dominique Tournier , Camille Sonneville , Pascal Bevilacqua , Luong Viet Phung et al.
Materials Science in Semiconductor Processing, 2024, 178, pp.108444. ⟨10.1016/j.mssp.2024.108444⟩
Article dans une revue hal-04664143 v1
Image document

Visualization of P+ JTE embedded rings used for peripheral protection of high voltage Schottky diodes by the Optical Beam Induced Current (OBIC) technique

Dominique Planson , Dominique Tournier , Pascal Bevilacqua , Camille Sonneville , Pierre Brosselard et al.
Solid State Phenomena, 2024, 360, pp.119-125. ⟨10.4028/p-d65YuN⟩
Article dans une revue hal-04677706 v1
Image document

A Novel Isolation Approach for GaN-Based Power Integrated Devices

Zahraa Zaidan , Nedal Al Taradeh , Mohammed Benjelloun , Christophe Rodriguez , Ali Soltani et al.
Micromachines, 2024, 15 (10), pp.1223. ⟨10.3390/mi15101223⟩
Article dans une revue hal-04850893 v1
Image document

Design and Characterization of an Optical 4H-SiC Bipolar Junction Transistor

Pierre Brosselard , Dominique Planson , Dominique Tournier , Pascal Bevilacqua , Camille Sonneville et al.
Solid State Phenomena, 2024, 360, pp.127-131. ⟨10.4028/p-sj87Lx⟩
Article dans une revue hal-04677726 v1
Image document

Influence of Fluorine implantation on the physical and electrical characteristics of GaN-on-GaN vertical Schottky diode.

Vishwajeet Maurya , Julien Buckley , Daniel Alquier , Helge Haas , Mohamed-Reda Irekti et al.
Microelectronic Engineering, 2023, 274, pp.111975. ⟨10.1016/j.mee.2023.111975⟩
Article dans une revue hal-04092722 v1
Image document

Electrical Behavior of Vertical Pt/Au Schottky Diodes on GaN Homoepitaxy

Maroun Dagher , Camille Sonneville , Georges Bremond , Dominique Planson , Eric Frayssinet et al.
Physica Status Solidi A (applications and materials science), 2023, ⟨10.1002/pssa.202200841⟩
Article dans une revue (article de synthèse) hal-04111725 v1
Image document

Micro-Raman Spectroscopy Study of Vertical GaN Schottky Diode

Atse Julien Eric N’dohi , Camille Sonneville , Soufiane Saidi , Thi Huong Ngo , Philippe de Mierry et al.
Crystals, 2023, 13 (5), pp.713. ⟨10.3390/cryst13050713⟩
Article dans une revue hal-04099071 v1
Image document

Design, Fabrication and Characterization of 10 kV 4H-SiC BJT for the Phototransistor Target

Ali Ammar , Mihai Lazar , Bertrand Vergne , Sigo Scharnholz , Luong Viêt Phung et al.
Romanian Journal of Information Science and Technology, 2023, 26 (2), pp.193-204. ⟨10.59277/ROMJIST.2023.2.06⟩
Article dans une revue hal-04276812 v1

Micro-Raman characterization of homo-epitaxial n doped GaN layers for vertical device applications

Atse Julien Eric N’dohi , Camille Sonneville , Luong Viet Phung , Thi Huong Ngo , Philippe de Mierry et al.
AIP Advances, 2022, 12 (2), pp.025126. ⟨10.1063/5.0082860⟩
Article dans une revue hal-03582833 v1
Image document

Enhanced Resonant Raman Scattering of GaN Functional Layers Using Al Thin Films - A Versatile Tool for Multilayer Structure Analysis

Alina Muravitskaya , Anna Rumyantseva , Atse Julien Eric N’dohi , Camille Sonneville , Dominique Planson et al.
Materials Science Forum, 2022, 1062, pp.293-297. ⟨10.4028/p-5p0qg2⟩
Article dans une revue hal-03702821 v1
Image document

Comprehensive characterization of vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diodes

P. Vigneshwara Raja , Christophe Raynaud , Camille Sonneville , Atse Julien Eric N’dohi , Hervé Morel et al.
Microelectronics Journal, 2022, 128, pp.105575. ⟨10.1016/j.mejo.2022.105575⟩
Article dans une revue hal-03826217 v1
Image document

Characterization of m-GaN and a-GaN Crystallographic Planes after Being Chemically Etched in TMAH Solution

Nedal Al Taradeh , Eric Frayssinet , Christophe Rodriguez , Frédéric Morancho , Camille Sonneville et al.
Energies, 2021, 14 (14), pp.4241. ⟨10.3390/en14144241⟩
Article dans une revue hal-03452669 v1
Image document

Interest of using a micro-meter spatial resolution to study SiC semi-conductor devices by Optical Beam Induced Current (OBIC)

Camille Sonneville , Dominique Planson , Luong Viêt Phung , Pascal Bevilacqua , Besar Asllani
Materials Science Forum, 2020, 1004, pp.290. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.290⟩
Article dans une revue hal-02925178 v1

Structure—longitudinal sound velocity relationships in glassy anorthite (CaAl2Si2O8) up to 20 GPa: An in situ Raman and Brillouin spectroscopy study

Benjamin J.A. Moulton , Grant Henderson , Christine Martinet , Valérie Martinez , Camille Sonneville et al.
Geochimica et Cosmochimica Acta, 2019, 261, pp.132-144. ⟨10.1016/j.gca.2019.06.047⟩
Article dans une revue hal-02181588 v1

Analytical fitting of temperature-dependent spin-flip transitions in absorption spectra of Cr3+-doped silicate glasses

Joe Harris , Camille Sonneville , Olivier Villain , Georges Calas , Christian Reber
Chemical Physics Letters, 2019, 2, pp.100003. ⟨10.1016/j.cpletx.2018.100003⟩
Article dans une revue hal-02135558 v1

In situ structural changes of amorphous diopside (CaMgSi2O6) up to 20GPa: A Raman and O K-edge X-ray Raman spectroscopic study

Benjamin J.A. Moulton , Grant Henderson , Hiroshi Fukui , Nozomu Hiraoka , Dominique de Ligny et al.
Geochimica et Cosmochimica Acta, 2016, 178, pp.41-61. ⟨10.1016/j.gca.2016.01.020⟩
Article dans une revue hal-02135596 v1

Nano-Nonanuclear Mixed-Lanthanide Clusters [Eu9–xTbx] Featuring Tunable Dual Luminescence Properties

Djamila Guettas , Cristina M. Balogh , Camille Sonneville , Ylane Malicet , Florian Lepoivre et al.
European Journal of Inorganic Chemistry, 2016, 2016 (24), pp.3932-3938. ⟨10.1002/ejic.201600412⟩
Article dans une revue istex hal-01355833 v1

The structure of haplobasaltic glasses investigated using X-ray absorption near edge structure (XANES) spectroscopy at the Si, Al, Mg, and O K -edges and Ca, Si, and Al L 2,3 -edges

Benjamin J.A. Moulton , Grant Henderson , Camille Sonneville , Cedrick O'Shaughnessy , Lucia Zuin et al.
Chemical Geology, 2016, 420, pp.213-230. ⟨10.1016/j.chemgeo.2015.11.016⟩
Article dans une revue hal-02135605 v1

Pressure-independent Brillouin Fiber Optic Sensors for temperature measurements

C. Sonneville , S. Degioanni , C. Martinet , D. de Ligny , V. Martinez et al.
Journal of Non-Crystalline Solids, 2014, 401, pp.36-39. ⟨10.1016/j.jnoncrysol.2014.01.029⟩
Article dans une revue hal-02135585 v1

Permanent densification of compressed silica glass: a Raman-density calibration curve

T Deschamps , A Kassir-Bodon , C Sonneville , J. Margueritat , C. Martinet et al.
Journal of Physics: Condensed Matter, 2013, 25 (2), pp.025402. ⟨10.1088/0953-8984/25/2/025402⟩
Article dans une revue hal-02108399 v1

Polyamorphic transitions in silica glass

Camille Sonneville , Thierry Deschamps , Christine Martinet , Dominique de Ligny , Alain Mermet et al.
Journal of Non-Crystalline Solids, 2013, 382, pp.133-136. ⟨10.1016/j.jnoncrysol.2012.12.002⟩
Article dans une revue istex hal-02135544 v1

In situ Brillouin study of sodium alumino silicate glasses under pressure

C. Sonneville , D. de Ligny , A. Mermet , B. Champagnon , C. Martinet et al.
The Journal of Chemical Physics, 2013, 139 (7), pp.074501. ⟨10.1063/1.4818335⟩
Article dans une revue hal-02108413 v1

Progressive transformations of silica glass upon densification

C. Sonneville , A. Mermet , B. Champagnon , C. Martinet , J. Margueritat et al.
The Journal of Chemical Physics, 2012, 137 (12), pp.124505. ⟨10.1063/1.4754601⟩
Article dans une revue hal-02108422 v1

Hysteretically reversible phase transition in a molecular glass

Bora Kalkan , Camille Sonneville , C. Martinet , Bernard Champagnon , B. Aitken et al.
The Journal of Chemical Physics, 2012, 137 (22), pp.224503. ⟨10.1063/1.4769794⟩
Article dans une revue hal-04548884 v1

Laser-induced structural changes in pure GeO2 glasses

Lena Bressel , Dominique de Ligny , Camille Sonneville , Valérie Martinez-Andrieux , Saulius Juodkazis
Journal of Non-Crystalline Solids, 2011, 357 (14), pp.2637-2640. ⟨10.1016/j.jnoncrysol.2011.03.014⟩
Article dans une revue istex hal-02135589 v1
Image document

Stress and doping analysis of low n-doped GaN layers grown on GaN, silicon and sapphire substrates by micro-Raman 2. Physics and characterization

Ndembi Ignoumba-Ignoumba , Camille Sonneville , Adrien Bidaud , Mohammed El Amrani , Thibaud Guillemin et al.
ICNS-15 - the 15th International Conference on Nitride Semiconductors, Jul 2025, Malmö, Sweden
Communication dans un congrès hal-05097968 v1
Image document

Mesures µ-OBIC sur diode bipolaire Diamant : une première !

Dominique Planson , Camille Sonneville , Gabrielle Moulin , Karine Isoird , Florent Sevely et al.
Symposium de Génie Electrique (SGE 2025), Jul 2025, Toulouse, France
Communication dans un congrès hal-05146836 v1
Image document

Physical and electrical characterization of wide band gap for power electronic application

Camille Sonneville , Enora Vuillermet , Ndembi Ignoumba-Ignoumba , Maroun Dagher , Nhan Tran et al.
Société Française de Physique, Jun 2025, Troyes, France
Communication dans un congrès hal-05097944 v1
Image document

Peripheral defects related to processing technique in GaN-on-GaN vertical devices

M Dagher , G Brémond , Camille Sonneville , Dominique Planson , H Haas et al.
Workshop on Nitride Semiconductors IWN 2024, Nov 2024, O'ahu (Honolulu), United States
Communication dans un congrès hal-04855750 v1
Image document

Electrical characterization of HV (10 kV) Power 4H-SiC Bipolar Junction Transistor

Pierre Brosselard , Brenda Fosso-Sob , Dominique Planson , Pascal Bevilacqua , Camille Sonneville et al.
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Sep 2024, Raleigh (North Carolina), United States. pp.126-128
Communication dans un congrès hal-04677764 v1
Image document

Carrier density analysis in stressed n-doped GaN layers on sapphire

Ndembi Ignoumba-Ignoumba , Camille Sonneville , Éric Frayssinet , Adrien Bidaud , Florian Bartoli et al.
GaN Marathon, Jun 2024, Vérone, Italy
Communication dans un congrès hal-04639487 v1
Image document

Impact of Substrate Quality on Vertical GaN-on-GaN Schottky and PiN Devices

M Dagher , Camille Sonneville , Dominique Planson , V Maurya , J Buckley et al.
e-MRS Fall Meeting, Sep 2024, Varsovie (Warsaw), Poland
Communication dans un congrès hal-04855745 v1
Image document

Matching physical and electrical measurements (OBIC) to simulation (FEM) on high voltage bipolar diodes

Dominique Planson , Camille Sonneville , Pascal Bevilacqua , Pierre Brosselard , Mihai Lazar et al.
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Sep 2024, Raleigh (North Carolina), United States. pp.591-592
Communication dans un congrès hal-04680725 v1
Image document

Emerging trends in OBIC characterization technique for Wide Bandgap semiconductor devices

Dominique Planson , Camille Sonneville , Pascal Bevilacqua , Dominique Tournier
International Semiconductor Conference (CAS-2023), IMT Bucharest, Oct 2023, Sinaia, Romania. pp.3-10, ⟨10.1109/CAS59036.2023.10303647⟩
Communication dans un congrès hal-04238355 v1
Image document

Visualization of P$^+$ JTE embedded rings used for peripheral protection of high voltage Schottky diodes by the Optical Beam Induced Current (OBIC) technique

Dominique Planson , D. Tournier , Pascal Bevilacqua , Camille Sonneville , Pierre Brosselard et al.
ICSCRM 2023 - International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2023, Sorrente, Italy
Communication dans un congrès hal-04218429 v1

Vertical pin diodes on large freestanding (100) diamond film

M.A. Pinault-Thaury , Mohamed Bouras , Rémi Gillet , Ingrid Stenger , François Jomard et al.
2023 EUROPEAN MATERIALS RESEARCH SOCIETY Spring Meeting, EUROPEAN MATERIALS RESEARCH SOCIETY, May 2023, Strasbourg, France
Communication dans un congrès hal-04219862 v1
Image document

Design and Characterization of an Optical 4H-SiC Bipolar Junction Transistor

Pierre Brosselard , Dominique Planson , D. Tournier , Pascal Bevilacqua , Camille Sonneville et al.
ICSCRM 2023 - International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2023, Sorrente, Italy
Communication dans un congrès hal-04222211 v1
Image document

Micro-Raman characterization of vertical GaN Schottky and PN diodes

Camille Sonneville , Vishwajeet Maurya , Maroun Dagher , Adam Mohamed Kaywah , Eric Frayssinet et al.
46th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe and 17th Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies (WOCSDICE-EXMATEC 2023), May 2023, Palerme, Italy
Communication dans un congrès hal-04170420 v1
Image document

Multiphysics Characterizations of Vertical GaN Schottky Diodes

Atse Julien Eric N’dohi , Camille Sonneville , Soufiane Saidi , Thi Huong Ngo , P. de Mierry et al.
2022 Compound Semiconductor Week (CSW), Jun 2022, Ann Arbor, United States. pp.1-2, ⟨10.1109/CSW55288.2022.9930447⟩
Communication dans un congrès hal-03844585 v1

Study of surface oxides modifications on nitinol electrodes during electroporation protocols and possible consequences

Théo Le Berre , Pauline Bregigeon , Marie Frénéa-Robin , Andrei Sabac , Camille Sonneville et al.
4th World Congress on Electroporation, Oct 2022, Copenhagen, Denmark
Communication dans un congrès hal-04083827 v1
Image document

Caractérisation par spectroscopie micro-Raman de diodes GaN Schottky

Camille Sonneville , Atse Julien Eric N’dohi , S Saidi , T H Ngo , P. de Mierry et al.
Conférence Internationale Matériaux, Oct 2022, Lille, France
Communication dans un congrès hal-03844887 v1
Image document

Influence of Fluorine implantation on the electrical characteristics of GaN-on-GaN vertical Schottky and P-N diodes

Vishwajeet Maurya , Julien Buckley , Helge Haas , Mohamed Reda Irekti , Matthew Charles et al.
E-MRS 2022, Sep 2022, Varsovie, Poland
Communication dans un congrès cea-03968026 v1
Image document

Optimized Junction Termination Extension and Ring System for 11 kV 4H-SiC BJT

Ali Ammar , Mihai Lazar , Bertrand Vergne , Sigo Scharnholz , Luong Viêt Phung et al.
2022 International Semiconductor Conference (CAS 2022), Oct 2022, Poiana Brasov, Romania. pp.191-194, ⟨10.1109/CAS56377.2022.9934390⟩
Communication dans un congrès hal-03856578 v1
Image document

Electrical behavior of vertical Schottky diodes on GaN homoepitaxy

M Dagher , Camille Sonneville , Georges Bremond , Dominique Planson , Yvon Cordier et al.
IWN 2022 - International Workshop on Nitride Semiconductors, Oct 2022, Berlin, Germany
Communication dans un congrès hal-03854620 v1

Homo epitaxial n-doped GaN layers investigation using Raman Spectroscopy for Vertical device applications

Atse Julien Eric N’dohi , Camille Sonneville , Thi Huong Ngo , P. de Mierry , Éric Frayssinet et al.
EXMATEC / WOCSDICE 2021 : 15th Expert Evaluation and Control of Compounds of Semiconductor Materials and Technologies, Jun 2021, Bristol, United Kingdom
Communication dans un congrès hal-03676503 v1

MULTIPHYSICS CHARACTERIZATIONS OF VERTICAL GaN SCHOTTKY DIODES

Atse Julien Eric N’dohi , Camille Sonneville , Soufiane Saidi , Thi Huong Ngo , P. de Mierry et al.
POWER 2021 (IMAPS), Nov 2021, Tours, France
Communication dans un congrès hal-03676940 v1
Image document

Enhanced Resonant Raman scattering of GaN functional layers using Al thin films -a versatile tool for multilayer structure analysis

Alina Muravitskaya , Anna Rumyantseva , Atse Julien Eric N’dohi , Camille Sonneville , Dominique Planson et al.
ECSCRM2020-2021, Oct 2021, Tours, France
Communication dans un congrès hal-03410757 v1
Image document

Effects of the laser beam size on the Optical Beam Induced Current (OBIC) for the study of Wide Band Gap (WBG) Semi-Conductor Devices

Camille Sonneville , Dominique Planson , Luong Viêt Phung , Besar Asllani , Pascal Bevilacqua
Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits 2019 (WOCSDICE 2019), Jun 2019, Cabourg, France
Communication dans un congrès hal-02164000 v1
Image document

Interest of using a micro-meter spatial resolution to study SiC semi-conductor devices by Optical Beam Induced Current (OBIC)

Camille Sonneville , Dominique Planson , Luong Viêt Phung , Pascal Bevilacqua , Besar Asllani
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019, Sep 2019, Kyoto, Japan. pp.Mo-P-23
Communication dans un congrès hal-02428502 v1
Image document

Characterization of β-Ga2O3 and device fabrication

Enora Vuillermet , Changzi Lu , Camille Sonneville , Pierre Brosselard , Jean-Marie Bluet et al.
Société Française de Physique, Jun 2025, Troyes, France
Poster de conférence hal-05099267 v1
Image document

Realization and characterization of vertical PIN diode on 100 diamond

Florent Sevely , Josiane Tasselli , Karine Isoird , Luong Viêt Phung , Camille Sonneville et al.
33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2023, Palma, Spain. , 2023
Poster de conférence hal-04193251 v1
Image document

Étude des propriétés élastiques des verres d’oxydes sous haute pression : implications structurales

Camille Sonneville
Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]. Université Claude Bernard - Lyon I; University of Toronto, 2013. Français. ⟨NNT : 2013LYO10114⟩
Thèse tel-01161730 v1