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Camille Sonneville
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Documents
Researcher identifiers
camille-sonneville
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0000-0001-8094-5618
- Google Scholar : https://scholar.google.com/citations?user=_7Zlro0AAAAJ&hl=fr
- IdRef : 18591439X
Presentation
### **INSA Lyon - Laboratoire ampère**
*Laboratoire ampère UMR5005*
*Campus de la Doua 69621 Villeurbanne cedex*
*camille.sonneville@insa-lyon.fr*
### Thèmes de recherches :
De manière générale Camille Sonneville travaille sur **la caractérisation spectroscopique et optiques des matériaux sous contraintes sévères** : tension, température et pression...
- Après une thèse sur la caractérisation par spectroscopie vibrationnelle (Raman et Brillouin) des verres d'oxydes, elle a effectué un post-doctoral à l'université de Montréal suivi d'un ATER à l'ENS Paris Saclay où elle a pu poursuivre ses travaux de recherches sur la caractérisation spectroscopique des matériaux, en particulier des composés de lanthanides, composés de terre rare, des verre, perovskite et polymères...
- Elle a intégrée l'INSA de Lyon en 2017 en tant qu'ATER et a rejoint le laboratoire Ampère en 2018 en tant que maitre de conférence où elle fait partie du département énergie électrique. Ses travaux au laboratoire Ampère concernent principalement la **caractérisation physique** par méthodes optiques et electro-optique des **composants de puissance à grand gap** (SiC, GaN et diamant).
### Enseignement :
- Camille Sonneville est titulaire de l'agrégation de physique option physique depuis 2009.
- Elle a enseigné en préparation à l'agrégation de physique de l'ENS Cachan, en classe préparatoire (PCSI) au lycée Janson de sailly (Paris) et en PC au lycée des Chartreux (Lyon), ainsi qu'à l'IUT Lyon 1.
- Depuis 2017, elle enseigne la physique en Formation Initiale au Métier de l'Ingénieur (FIMI) de l'INSA de Lyon. En particulier l'optique géométrique et ondulatoire, l'électrocinétique, l'électromagnetisme et les outils mathématiques pour les sciences de l'ingénieur.
Publications
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Peripheral defects related to processing technique in GaN-on-GaN vertical devicesWorkshop on Nitride Semiconductors IWN 2024, Nov 2024, O'ahu (Honolulu), United States
Conference papers
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Electrical characterization of HV (10 kV) Power 4H-SiC Bipolar Junction TransistorInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Sep 2024, Raleigh (North Carolina), United States. pp.126-128
Conference papers
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Impact of Substrate Quality on Vertical GaN-on-GaN Schottky and PiN Devicese-MRS Fall Meeting, Sep 2024, Varsovie (Warsaw), Poland
Conference papers
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Matching physical and electrical measurements (OBIC) to simulation (FEM) on high voltage bipolar diodesInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Sep 2024, Raleigh (North Carolina), United States. pp.591-592
Conference papers
hal-04680725v1
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Carrier density analysis in stressed n-doped GaN layers on sapphireGaN Marathon, Jun 2024, Vérone, Italy
Conference papers
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Design and Characterization of an Optical 4H-SiC Bipolar Junction TransistorICSCRM 2023 - International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2023, Sorrente, Italy
Conference papers
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Visualization of P$^+$ JTE embedded rings used for peripheral protection of high voltage Schottky diodes by the Optical Beam Induced Current (OBIC) techniqueICSCRM 2023 - International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2023, Sorrente, Italy
Conference papers
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Vertical pin diodes on large freestanding (100) diamond film2023 EUROPEAN MATERIALS RESEARCH SOCIETY Spring Meeting, EUROPEAN MATERIALS RESEARCH SOCIETY, May 2023, Strasbourg, France
Conference papers
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Micro-Raman characterization of vertical GaN Schottky and PN diodes46th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe and 17th Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies (WOCSDICE-EXMATEC 2023), May 2023, Palerme, Italy
Conference papers
hal-04170420v1
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Emerging trends in OBIC characterization technique for Wide Bandgap semiconductor devicesInternational Semiconductor Conference (CAS-2023), IMT Bucharest, Oct 2023, Sinaia, Romania. pp.3-10, ⟨10.1109/CAS59036.2023.10303647⟩
Conference papers
hal-04238355v1
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Influence of Fluorine implantation on the electrical characteristics of GaN-on-GaN vertical Schottky and P-N diodesE-MRS 2022, Sep 2022, Varsovie, Poland
Conference papers
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Optimized Junction Termination Extension and Ring System for 11 kV 4H-SiC BJT2022 International Semiconductor Conference (CAS 2022), Oct 2022, Poiana Brasov, Romania. pp.191-194, ⟨10.1109/CAS56377.2022.9934390⟩
Conference papers
hal-03856578v1
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Electrical behavior of vertical Schottky diodes on GaN homoepitaxyIWN 2022 - International Workshop on Nitride Semiconductors, Oct 2022, Berlin, Germany
Conference papers
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Multiphysics Characterizations of Vertical GaN Schottky Diodes2022 Compound Semiconductor Week (CSW), Jun 2022, Ann Arbor, United States. pp.1-2, ⟨10.1109/CSW55288.2022.9930447⟩
Conference papers
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Study of surface oxides modifications on nitinol electrodes during electroporation protocols and possible consequences4th World Congress on Electroporation, Oct 2022, Copenhagen, Denmark
Conference papers
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Caractérisation par spectroscopie micro-Raman de diodes GaN SchottkyConférence Internationale Matériaux, Oct 2022, Lille, France
Conference papers
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MULTIPHYSICS CHARACTERIZATIONS OF VERTICAL GaN SCHOTTKY DIODESPOWER 2021 (IMAPS), Nov 2021, Tours, France
Conference papers
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Enhanced Resonant Raman scattering of GaN functional layers using Al thin films -a versatile tool for multilayer structure analysisECSCRM2020-2021, Oct 2021, Tours, France
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Homo epitaxial n-doped GaN layers investigation using Raman Spectroscopy for Vertical device applicationsEXMATEC / WOCSDICE 2021 : 15th Expert Evaluation and Control of Compounds of Semiconductor Materials and Technologies, Jun 2021, Bristol, United Kingdom
Conference papers
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Interest of using a micro-meter spatial resolution to study SiC semi-conductor devices by Optical Beam Induced Current (OBIC)International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019, Sep 2019, Kyoto, Japan. pp.Mo-P-23
Conference papers
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Effects of the laser beam size on the Optical Beam Induced Current (OBIC) for the study of Wide Band Gap (WBG) Semi-Conductor DevicesWorkshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits 2019 (WOCSDICE 2019), Jun 2019, Cabourg, France
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Étude des propriétés élastiques des verres d’oxydes sous haute pression : implications structuralesScience des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]. Université Claude Bernard - Lyon I; University of Toronto, 2013. Français. ⟨NNT : 2013LYO10114⟩
Theses
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