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Frédéric Richardeau

Directeur de Recherche au CNRS Lab. LAPLACE Université de Toulouse, CNRS, INPT, UPS Toulouse, France
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Frédéric Richardeau is a Research Director at the CNRS and has been a lecturer in power electronics for some twenty years at the LEEI-ENSEEIHT and then at Lab. LAPLACE - Toulouse - France. He was the leader of the CNRS GDR ME²-MS (Electrical Energy Management - from Materials to Systems) from 2001 to 2005. Founder and leader of the FIDIAG transverse action within LAPLACE from 2006 to 2013 and leader of the Power Electronics team from 2009 to 2015. Member of the CoNRS from 2016 to 2018, ANR and HCERES. His work focuses on the characterization, modeling and design of more robust active semiconductor Si and WBG components with controlled failure modes in connection with their gate-driver as an advanced monitoring, diagnostic and conditioning device, up to the search for secure, reconfigurable and fault-tolerant power electronics conversion structures for critical applications. https://orcid.org/0000-0002-6964-8054 https://scholar.google.com/citations?hl=fr&user=3Vvd0SYAAAAJ&view_op=list_works&sortby=pubdate https://www.researchgate.net/profile/Frederic-Richardeau https://ieeexplore.ieee.org/author/38349724400?searchWithin=%22Author%20Ids%22:38349724400&history=no&highlight=true&returnFacets=ALL&returnType=SEARCH&sortType=newest https://fr.linkedin.com/in/fr%C3%A9d%C3%A9ric-richardeau-8689b710a
Frédéric Richardeau est Directeur de Recherche au CNRS, chargé de cours spécialisé en électronique de puissance depuis plus de 25 ans au LEEI-ENSEEIHT puis au LAPLACE au sein de Toulouse - INP sur le site de l'ENSEEIHT. Animateur scientifique du pôle GDR ME²-MS (Maîtrise de l'Énergie Électrique – des Matériaux aux Systèmes) de 2001 à 2005, fondateur et animateur de l'action transversale intergroupe FIDIAG au sein du LAPLACE de 2006 à 2013 et responsable de l'équipe de recherche sur les Convertisseurs Statiques de 2009 à 2015 (30 personnes, enseignants, chercheurs et doctorants). Membre du CoNRS de 2016 à 2018, de l'ANR CES 05, de l'HCERES et ponctuellement du CNU 63ème section. Ses travaux portent sur la caractérisation, la modélisation et la conception de nouveaux composants actifs semi-conducteurs Silicium et WBG plus robustes et aux modes de défaillances maîtrisés en lien avec leur électronique de commande intégrée comme organe évolué de surveillance, de diagnostic et de conditionnement jusqu'à la recherche de structures de conversion électroniques de puissance sécurisées, reconfigurables et à tolérance de panne pour applications critiques. https://orcid.org/0000-0002-6964-8054 https://scholar.google.com/citations?hl=fr&user=3Vvd0SYAAAAJ&view_op=list_works&sortby=pubdate https://www.researchgate.net/profile/Frederic-Richardeau https://ieeexplore.ieee.org/author/38349724400?searchWithin=%22Author%20Ids%22:38349724400&history=no&highlight=true&returnFacets=ALL&returnType=SEARCH&sortType=newest https://fr.linkedin.com/in/fr%C3%A9d%C3%A9ric-richardeau-8689b710a

Domaines de recherche

Energie électrique

Compétences

Electronique de Puissance Composants actifs semi-conducteurs Modélisation Intégration et technologies

Publications

"david-tremouilles"
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Preconditioning of Ohmic p-GaN power HEMT for reproducible Vth measurements

L. Ghizzo , David Trémouilles , Frédéric Richardeau , G. Guibaud
Solid-State Electronics, 2024, 214, pp.108868. ⟨10.1016/j.sse.2024.108868⟩
Article dans une revue hal-04446838v1
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Preconditioning of p-GaN power HEMT for reproducible V measurements

L. Ghizzo , David Trémouilles , Frédéric Richardeau , S. Vinnac , Lucas Moreau
Microelectronics Reliability, 2023, 144, pp.114955. ⟨10.1016/j.microrel.2023.114955⟩
Article dans une revue hal-04049626v1
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Over-voltage and cross-conduction hard switching stress on schottky gate-type p-GaN HEMT in half-bridge operation. Experimental and physical approaches

L. Ghizzo , David Trémouilles , Frédéric Richardeau , S. Vinnac , F. Jamin
Microelectronics Reliability, 2023, 150, pp.115172. ⟨10.1016/j.microrel.2023.115172⟩
Article dans une revue hal-04242294v1
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Physical origin of the gate current surge during short-circuit operation of SiC MOSFET

François Boige , David Trémouilles , Frédéric Richardeau
IEEE Electron Device Letters, 2019, 40 (5), pp.666-669. ⟨10.1109/led.2019.2896939⟩
Article dans une revue hal-02020275v1
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Investigation on damaged planar-oxide of 1200 V SiC power MOSFETs in non-destructive short-circuit operation

François Boige , Frédéric Richardeau , David Trémouilles , Stéphane Lefebvre , G. Guibaud
Microelectronics Reliability, 2017, 76-77, pp.500 - 506. ⟨10.1016/j.microrel.2017.06.085⟩
Article dans une revue hal-01643030v1
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Backside Fault Localization and Defect Physical Analysis of Degraded Power HEMT p-GaN Transistors Stressed in DC and AC Switching Modes

L. Ghizzo , G. Guibaud , C. de Nardi , F. Jamin , V. Chazal
49th International Symposium for Testing and Failure Analysis ISTFA 2023), Nov 2023, Phoenix, United States. pp.491-499, ⟨10.31399/asm.cp.istfa2023p0491⟩
Communication dans un congrès hal-04307540v1
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Méthode de préconditionnement du HEMT GaN pour une mesure reproductible de Vth

Lucien Ghizzo , David Trémouilles , Frédéric Richardeau
SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2023), Jul 2023, Lille, France. https://sge2023.sciencesconf.org/resource/page/id/35
Communication dans un congrès hal-04157673v1
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Over-Voltage and Cross-Conduction Hard Switching Stress on Schottky Gate-Type p-GaN HEMT in Half-Bridge Operation Experimental and Physical Approaches [ESREF'23]

Lucien Ghizzo , David Trémouilles , Frédéric Richardeau , Sébastien Vinnac , François Jamin
34th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Oct 2023, Toulouse, France. ⟨10.1016/j.microrel.2023.115172⟩
Communication dans un congrès hal-04252379v1

Investigation on damaged planar-oxide of 1200V SiC Power Mosfets in non-destructive short-circuit operation

François Boige , Frédéric Richardeau , D. Trémouilles , S. Lefebvre , G. Guibaud
28th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2017), Sept. 25-28, 2017, Bordeaux (FRANCE), 2017, Bordeaux, France
Communication dans un congrès hal-03937651v1