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Frédéric Richardeau
Directeur de Recherche au CNRS
Lab. LAPLACE
Université de Toulouse, CNRS, INPT, UPS
Toulouse, France
69%
Libre accès
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Documents
Affiliations actuelles
- 405657
Identifiants chercheurs
- frederic-richardeau
- 0000-0002-6964-8054
- Google Scholar : https://scholar.google.com/citations?hl=fr&user=3Vvd0SYAAAAJ
- IdRef : 059705744
Présentation
Frédéric Richardeau is a Research Director at the CNRS and has been a lecturer in power electronics for some twenty years at the LEEI-ENSEEIHT and then at Lab. LAPLACE - Toulouse - France. He was the leader of the CNRS GDR ME²-MS (Electrical Energy Management - from Materials to Systems) from 2001 to 2005. Founder and leader of the FIDIAG transverse action within LAPLACE from 2006 to 2013 and leader of the Power Electronics team from 2009 to 2015. Member of the CoNRS from 2016 to 2018, ANR and HCERES. His work focuses on the characterization, modeling and design of more robust active semiconductor Si and WBG components with controlled failure modes in connection with their gate-driver as an advanced monitoring, diagnostic and conditioning device, up to the search for secure, reconfigurable and fault-tolerant power electronics conversion structures for critical applications.
https://orcid.org/0000-0002-6964-8054
https://scholar.google.com/citations?hl=fr&user=3Vvd0SYAAAAJ&view_op=list_works&sortby=pubdate
https://www.researchgate.net/profile/Frederic-Richardeau
https://ieeexplore.ieee.org/author/38349724400?searchWithin=%22Author%20Ids%22:38349724400&history=no&highlight=true&returnFacets=ALL&returnType=SEARCH&sortType=newest
https://fr.linkedin.com/in/fr%C3%A9d%C3%A9ric-richardeau-8689b710a
Frédéric Richardeau est Directeur de Recherche au CNRS, chargé de cours spécialisé en électronique de puissance depuis plus de 25 ans au LEEI-ENSEEIHT puis au LAPLACE au sein de Toulouse - INP sur le site de l'ENSEEIHT. Animateur scientifique du pôle GDR ME²-MS (Maîtrise de l'Énergie Électrique – des Matériaux aux Systèmes) de 2001 à 2005, fondateur et animateur de l'action transversale intergroupe FIDIAG au sein du LAPLACE de 2006 à 2013 et responsable de l'équipe de recherche sur les Convertisseurs Statiques de 2009 à 2015 (30 personnes, enseignants, chercheurs et doctorants). Membre du CoNRS de 2016 à 2018, de l'ANR CES 05, de l'HCERES et ponctuellement du CNU 63ème section. Ses travaux portent sur la caractérisation, la modélisation et la conception de nouveaux composants actifs semi-conducteurs Silicium et WBG plus robustes et aux modes de défaillances maîtrisés en lien avec leur électronique de commande intégrée comme organe évolué de surveillance, de diagnostic et de conditionnement jusqu'à la recherche de structures de conversion électroniques de puissance sécurisées, reconfigurables et à tolérance de panne pour applications critiques.
https://orcid.org/0000-0002-6964-8054
https://scholar.google.com/citations?hl=fr&user=3Vvd0SYAAAAJ&view_op=list_works&sortby=pubdate
https://www.researchgate.net/profile/Frederic-Richardeau
https://ieeexplore.ieee.org/author/38349724400?searchWithin=%22Author%20Ids%22:38349724400&history=no&highlight=true&returnFacets=ALL&returnType=SEARCH&sortType=newest
https://fr.linkedin.com/in/fr%C3%A9d%C3%A9ric-richardeau-8689b710a
Domaines de recherche
Energie électrique
Compétences
Electronique de Puissance
Composants actifs semi-conducteurs
Modélisation
Intégration et technologies
Publications
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CMOS Active Gate Driver for Closed-Loop d v /d t Control of GaN TransistorsIEEE Transactions on Power Electronics, 2020, 35 (12), pp.13322-13332. ⟨10.1109/TPEL.2020.2995531⟩
Article dans une revue
hal-02962708v1
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SiC power MOSFET in short-circuit operation: Electro-thermal macro-modelling combining physical and numerical approaches with circuit-type implementationMathematics and Computers in Simulation, 2019, 158, pp.375-386. ⟨10.1016/j.matcom.2018.09.020⟩
Article dans une revue
hal-02179525v1
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Derived Self-Commuted / Self-Feeding Devices and ConvertersInternational Review of Electrical Engineering, 2009, 4 (3), pp.336-347
Article dans une revue
hal-02962799v1
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Static and Dynamic Characterization of a 1.2 kV SiC MOSFET in Third Quadrant2023 25th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'23 ECCE Europe), Sep 2023, Aalborg, Denmark. pp.1-8, ⟨10.23919/epe23ecceeurope58414.2023.10264635⟩
Communication dans un congrès
hal-04254245v1
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CMOS gate driver for SiC power modulesCongrès annuel de l'Ecole Doctorale Génie Electrique, Electronique, Télécommunications et Santé : du Système au Nanosystème - ED 323 (GEET) - Université de Toulouse, Ecole Doctorale GEET, Jun 2023, Toulouse, France. https://adum.fr/as/ed/GEET/article.pl
Communication dans un congrès
hal-04132694v1
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Développement de fonctionnalités rapides, précises et intégrées CMOS, pour la commutation optimale et la protection interne des onduleurs à module SiC MOSFETSYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2023), Jul 2023, Lille, France
Communication dans un congrès
hal-04157854v1
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Contrôle ultra-rapide et intégré de dv/dt en boucle fermée lors de l’amorçage de transistors à semiconducteurs grand-gapSymposium de Génie Electrique 2021, Jul 2021, Nantes, France
Communication dans un congrès
hal-02966771v1
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Modeling and Design of High Bandwidth Feedback Loop for dv/dt Control in CMOS AGD for GaN2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Sep 2020, Vienna ( virtual ), Austria. pp.106-109, ⟨10.1109/ISPSD46842.2020.9170106⟩
Communication dans un congrès
hal-02920181v1
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Modular Multilevel SOI-CMOS Active Gate Driver Architecture for SiC MOSFETs2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Sep 2020, Vienna (virtual ), Austria. pp.278-281, ⟨10.1109/ISPSD46842.2020.9170181⟩
Communication dans un congrès
hal-02920129v1
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Sub-nanosecond delay CMOS Active Gate Driver for Closed-Loop dv/dt Control of GaN Transistors31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), May 2019, Shanghai, China. ⟨10.1109/ispsd.2019.8757693⟩
Communication dans un congrès
hal-02157332v1
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A CMOS gate driver with ultra-fast dV/dt embedded control dedicated to optimum EMI and turn-on losses management for GaN power transistors2018 14th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), Jul 2018, Prague, France. pp.105-108, ⟨10.1109/PRIME.2018.8430331⟩
Communication dans un congrès
hal-02335492v1
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Behavioral model of gallium nitride normally ON power HEMT dedicated to inverter simulation and test of driving strategies2015 17th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'15 ECCE-Europe), Sep 2015, Geneva, Switzerland. pp.1-11, ⟨10.1109/EPE.2015.7309208⟩
Communication dans un congrès
hal-02920266v1
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Switching Optimization of WBG Power Devices on Inverter LegPCIM Europe 2013; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, May 2013, Nürnberg, Germany
Communication dans un congrès
hal-02964301v1
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5-Level Double-Boost Type PFC with Fault-Tolerant CapabilityEPE 2009: 13th European Conference on Power Electronics and Applications, Barcelone, SPAIN, 2009, Barcelone, Spain
Communication dans un congrès
hal-03891756v1
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Driver Générique d’Interrupteur Bidirectionnel Tension/Courant à Propriétés d’AucommutationEPF 2008, 1éème conférence de l'Electronique de Puissance du Futur, Jul 2008, Tours, France
Communication dans un congrès
hal-02966790v1
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Driver Générique pour Cellule de Commutation Bidirectionnelle en Tension et en CourantJournées GDR SEEDS-ISP3D 2007, Intégration des Systèmes de Puissances en 3D, Oct 2007, Arcachon, France
Communication dans un congrès
hal-02966800v1
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