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Frédéric Richardeau

Directeur de Recherche au CNRS Lab. LAPLACE Université de Toulouse, CNRS, INPT, UPS Toulouse, France
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Frédéric Richardeau is a Research Director at the CNRS and has been a lecturer in power electronics for some twenty years at the LEEI-ENSEEIHT and then at Lab. LAPLACE - Toulouse - France. He was the leader of the CNRS GDR ME²-MS (Electrical Energy Management - from Materials to Systems) from 2001 to 2005. Founder and leader of the FIDIAG transverse action within LAPLACE from 2006 to 2013 and leader of the Power Electronics team from 2009 to 2015. Member of the CoNRS from 2016 to 2018, ANR and HCERES. His work focuses on the characterization, modeling and design of more robust active semiconductor Si and WBG components with controlled failure modes in connection with their gate-driver as an advanced monitoring, diagnostic and conditioning device, up to the search for secure, reconfigurable and fault-tolerant power electronics conversion structures for critical applications. https://orcid.org/0000-0002-6964-8054 https://scholar.google.com/citations?hl=fr&user=3Vvd0SYAAAAJ&view_op=list_works&sortby=pubdate https://www.researchgate.net/profile/Frederic-Richardeau https://ieeexplore.ieee.org/author/38349724400?searchWithin=%22Author%20Ids%22:38349724400&history=no&highlight=true&returnFacets=ALL&returnType=SEARCH&sortType=newest https://fr.linkedin.com/in/fr%C3%A9d%C3%A9ric-richardeau-8689b710a
Frédéric Richardeau est Directeur de Recherche au CNRS, chargé de cours spécialisé en électronique de puissance depuis plus de 25 ans au LEEI-ENSEEIHT puis au LAPLACE au sein de Toulouse - INP sur le site de l'ENSEEIHT. Animateur scientifique du pôle GDR ME²-MS (Maîtrise de l'Énergie Électrique – des Matériaux aux Systèmes) de 2001 à 2005, fondateur et animateur de l'action transversale intergroupe FIDIAG au sein du LAPLACE de 2006 à 2013 et responsable de l'équipe de recherche sur les Convertisseurs Statiques de 2009 à 2015 (30 personnes, enseignants, chercheurs et doctorants). Membre du CoNRS de 2016 à 2018, de l'ANR CES 05, de l'HCERES et ponctuellement du CNU 63ème section. Ses travaux portent sur la caractérisation, la modélisation et la conception de nouveaux composants actifs semi-conducteurs Silicium et WBG plus robustes et aux modes de défaillances maîtrisés en lien avec leur électronique de commande intégrée comme organe évolué de surveillance, de diagnostic et de conditionnement jusqu'à la recherche de structures de conversion électroniques de puissance sécurisées, reconfigurables et à tolérance de panne pour applications critiques. https://orcid.org/0000-0002-6964-8054 https://scholar.google.com/citations?hl=fr&user=3Vvd0SYAAAAJ&view_op=list_works&sortby=pubdate https://www.researchgate.net/profile/Frederic-Richardeau https://ieeexplore.ieee.org/author/38349724400?searchWithin=%22Author%20Ids%22:38349724400&history=no&highlight=true&returnFacets=ALL&returnType=SEARCH&sortType=newest https://fr.linkedin.com/in/fr%C3%A9d%C3%A9ric-richardeau-8689b710a

Domaines de recherche

Energie électrique

Compétences

Electronique de Puissance Composants actifs semi-conducteurs Modélisation Intégration et technologies

Publications

"nicolas-rouger"
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CMOS Gate Driver with Integrated Ultra-Accurate and Fast Gate Charge Sensor for Robust and Ultra-Fast Short Circuit Detection of SiC power modules

Anas El Boubkari , Nicolas Rouger , Frédéric Richardeau , Marc Cousineau , Thierry Sicard
2023 IEEE 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (IEEE ISPSD), Hong Kong University of Science and Technology (HKUST), May 2023, Hong Kong, France. pp.68-71, ⟨10.1109/ispsd57135.2023.10147567⟩
Communication dans un congrès hal-04132615v1
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p-GaN HEMT Hard Switching Fault Type Short-Circuit Detection Based on the Gate Schottky-Barrier Leakage Current and Using a Dual-Channel Segmented CMOS buffer Gate-Driver

Yazan Barazi , Frédéric Richardeau , Sébastien Vinnac , Nicolas C. Rouger
35th IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2023), Hong Kong University of Science and Technology, May 2023, Hong Kong, China. ⟨10.1109/ISPSD57135.2023.10147669⟩
Communication dans un congrès hal-04114246v2
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Static and Dynamic Characterization of a 1.2 kV SiC MOSFET in Third Quadrant

Matthieu Masson , Marc Cousineau , Nicolas C. Rouger , Frédéric Richardeau
2023 25th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'23 ECCE Europe), Sep 2023, Aalborg, Denmark. pp.1-8, ⟨10.23919/epe23ecceeurope58414.2023.10264635⟩
Communication dans un congrès hal-04254245v1
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Développement de fonctionnalités rapides, précises et intégrées CMOS, pour la commutation optimale et la protection interne des onduleurs à module SiC MOSFET

Anas Elboubkari , Matthieu Masson , Nicolas C. Rouger , Marc Cousineau , Frédéric Richardeau
SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2023), Jul 2023, Lille, France
Communication dans un congrès hal-04157854v1
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CMOS gate driver for SiC power modules

Anas El Boubkari , Nicolas Rouger , Frédéric Richardeau , Marc Cousineau , Pierre Calmes
Congrès annuel de l'Ecole Doctorale Génie Electrique, Electronique, Télécommunications et Santé : du Système au Nanosystème - ED 323 (GEET) - Université de Toulouse, Ecole Doctorale GEET, Jun 2023, Toulouse, France. https://adum.fr/as/ed/GEET/article.pl
Communication dans un congrès hal-04132694v1
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Robustness study of a fast protection method based on the gate-charge dedicated for SiC MOSFETs power device

Yazan Barazi , Frédéric Richardeau , Nicolas C. Rouger , Jean-Marc Blaquière
32th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, 2021, Oct 2021, Bordeaux, France
Communication dans un congrès hal-03371958v1
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Contrôle ultra-rapide et intégré de dv/dt en boucle fermée lors de l’amorçage de transistors à semiconducteurs grand-gap

Plinio Bau , Marc Cousineau , Bernardo Cougo , Frédéric Richardeau , Nicolas C. Rouger
Symposium de Génie Electrique 2021, Jul 2021, Nantes, France
Communication dans un congrès hal-02966771v1
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Protection rapide et robuste contre les courts-circuits internes de convertisseurs à base de MOSFETs SiC

Yazan Barazi , François Boige , Nicolas C. Rouger , Jean-Marc Blaquière , Sébastien Vinnac
SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2021), 6 - 8 JUILLET 2021, NANTES, FRANCE, Jul 2021, Nantes, France
Communication dans un congrès hal-03287704v1
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CMOS Gate Driver with fast short circuit protection for SiC MOSFETs

Yazan Barazi , Nicolas C. Rouger , Frédéric Richardeau
2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Sep 2020, Vienna (virtual), Austria. pp.94-97, ⟨10.1109/ISPSD46842.2020.9170164⟩
Communication dans un congrès hal-02920189v1
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‘ig,vgs’ Monitoring for Fast and Robust SiC MOSFET Short-Circuit Protection with High integration Capability

Yazan Barazi , François Boige , Nicolas C. Rouger , Jean-Marc Blaquiere , Frédéric Richardeau
2020 22nd European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'20 ECCE Europe), Sep 2020, Lyon (Virtual ), France. pp.P.1-P.10, ⟨10.23919/EPE20ECCEEurope43536.2020.9215619⟩
Communication dans un congrès hal-02980827v1
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Modular Multilevel SOI-CMOS Active Gate Driver Architecture for SiC MOSFETs

Nicolas C. Rouger , Yazan Barazi , Marc Cousineau , Frédéric Richardeau
2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Sep 2020, Vienna (virtual ), Austria. pp.278-281, ⟨10.1109/ISPSD46842.2020.9170181⟩
Communication dans un congrès hal-02920129v1
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Modeling and Design of High Bandwidth Feedback Loop for dv/dt Control in CMOS AGD for GaN

Plinio Bau , Marc Cousineau , Bernardo Cougo , Frédéric Richardeau , Nicolas C. Rouger
2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Sep 2020, Vienna ( virtual ), Austria. pp.106-109, ⟨10.1109/ISPSD46842.2020.9170106⟩
Communication dans un congrès hal-02920181v1
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Sub-nanosecond delay CMOS Active Gate Driver for Closed-Loop dv/dt Control of GaN Transistors

Bau Plinio , Marc Cousineau , Bernardo Cogo , Frédéric Richardeau , Sébastien Vinnac
31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), May 2019, Shanghai, China. ⟨10.1109/ispsd.2019.8757693⟩
Communication dans un congrès hal-02157332v1
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Comparison between ig Integration and vgs Derivation methods dedicated to fast Short-Circuit 2D-Diagnosis for Wide Band Gap Power Devices

Barazi Yazan , Nicolas C. Rouger , Frédéric Richardeau
ELECTRIMACS 2019, May 2019, Salerno, Italy
Communication dans un congrès hal-02180892v1

A CMOS gate driver with ultra-fast dV/dt embedded control dedicated to optimum EMI and turn-on losses management for GaN power transistors

Plinio Bau , Marc Cousineau , Bernardo Cougo , Frédéric Richardeau , Davy Colin
2018 14th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), Jul 2018, Prague, France. pp.105-108, ⟨10.1109/PRIME.2018.8430331⟩
Communication dans un congrès hal-02335492v1

Nouvelles fonctions de commutation de puissance intégrées sur Silicium

Laurent Aubard , Jean-Christophe Crébier , Jean-Louis Sanchez , Nicolas Clément, Jean-Paul Rouger , Florence Capy
Journées GdR, Oct 2005, Lyon, France
Communication dans un congrès hal-00188228v1