Accéder directement au contenu

Karine Isoird

Maître de Conférences Université Paul Sabatier / LAAS-CNRS
100%
Libre accès
5
Documents
Affiliations actuelles
Identifiants chercheurs
Contact

Présentation

Karine ISOIRD (ORCID : 0000-0002-2878-6952) est née à Sète (France) en 1973. Son doctorat obtenu en 2001 à l'INSA-LYON, portait sur la caractérisation électrique et OBIC des composnats de puissance SiC haute température et haute tension. Depuis 2003, elle est maître de conférences (MCF) à l'Université Paul Sabatier de Toulouse (Toulouse III) et a intégré l'équipe ISGE (Intégration des Systèmes pour la Gestion de l'Energie) au sein du laboratoire LAAS, équipe dont elle est responsable depuis 2021. Elle a rejoint le LAAS sur le thème des nouvelles structures MOS en silicium. Depuis 2006, ses recherches se sont étendues et concentrées sur les dispositifs semiconducteurs à large bande interdite (GaN, SiC et diamant) et principalement sur le diamant au travers de plusieurs projets ANR DIAMOOND, MOVeToDiam et LAPIN113 et FUI DIAMONIX, DIAMONIX2 sur le développement de la filière Diamant pour les composants de puissance. Elle a coordonné le projet ANR MOVeToDiam (2017 - 2022). Ces projets nationaux ont l’avantage de fédérer tous les acteurs français de la filière technologique diamant, du matériau au packaging, en passant par le composant. Elle a participé à la supervision de plusieurs 8 thèses de doctorat dont 2 sont en cours. Elle est co-auteur de plus de 32 publications dans des revues scientifiques, 38 dans des conférences internationales et 23 dans des conférences nationales. Expert membre de l'OMNT de 2012 à 2018 (Observatoire des micro et nanotechnologies), sur le thème des matériaux à large bande interdite. Elle enseigne au sein du département EEA (Électronique, Énergie Électrique et Automatique) de la Faculté des Science et Ingénierie (FSI) de l'Université Toulouse III.3 dans les domaines suiavnts : • L’électronique numérique au niveau L1 et L3 • L’électronique au sens pratique, c’est à dire l’utilisation des appareils de mesures et la mise en œuvre des concepts pour réaliser des systèmes. Ces enseignements sont réalisés en L1, L2 et L3 • La physique des semiconducteurs et des composants, thématiques en lien avec son activité de recherche, enseignements dispensés en Master 1 et 2

Domaines de recherche

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Compétences

Simulation, Fabrication et Caractérisation de composant de puissance à semiconducteur grand gap

Publications

"chaymaa-haloui"
Image document

Design Optimization of a New Nanostructured P-GaN Gate for Normally-off GaN HEMTs

Daniel Rouly , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Chaymaa Haloui , Karine Isoird
29th International Conference on Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES 2022), Jun 2022, Wroclaw, Poland. ⟨10.23919/MIXDES55591.2022.9838389⟩
Communication dans un congrès hal-03697713v1
Image document

Développement technologique d'un HEMT normally- off avec une grille à barrière P-GaN

Chaymaa Haloui , Gaëtan Toulon , Josiane Tasselli , Yvon Cordier , Éric Frayssinet
SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2020), Jul 2021, Nantes, France
Communication dans un congrès hal-02918372v2
Image document

Recessed and P-GaN regrowth gate development for normally-off AlGaN/GaN HEMTs

Chaymaa Haloui , Toulon Gaëtan , Josiane Tasselli , Yvon Cordier , Éric Frayssinet
28 International Conference MIXED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, Jun 2020, Wroclow, Poland
Communication dans un congrès hal-02922723v1
Image document

Développement technologique d'un HEMT normally-off avec une grille à barrière P-GaN

Chaymaa Haloui , Josiane Tasselli , Karine Isoird , David Trémouilles , Patrick Austin
Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique (JNRDM), Jun 2019, Montpellier, France
Communication dans un congrès hal-02278808v1
Image document

Première démonstration expérimentale d’un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterrée

Audrey Chapelle , Éric Frayssinet , Yvon Cordier , Yohann Spiegel , Leïla Benmosfeta
Symposium de Génie Electrique (SGE 2018), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. pp.3 - 5
Communication dans un congrès hal-02981903v2