Karine Isoird

Maître de Conférences Université Paul Sabatier / LAAS-CNRS
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Présentation

Karine ISOIRD (ORCID : 0000-0002-2878-6952) est née à Sète (France) en 1973. Son doctorat obtenu en 2001 à l'INSA-LYON, portait sur la caractérisation électrique et OBIC des composnats de puissance SiC haute température et haute tension. Depuis 2003, elle est maître de conférences (MCF) à l'Université Paul Sabatier de Toulouse (Toulouse III) et a intégré l'équipe ISGE (Intégration des Systèmes pour la Gestion de l'Energie) au sein du laboratoire LAAS, équipe dont elle est responsable depuis 2021. Elle a rejoint le LAAS sur le thème des nouvelles structures MOS en silicium. Depuis 2006, ses recherches se sont étendues et concentrées sur les dispositifs semiconducteurs à large bande interdite (GaN, SiC et diamant) et principalement sur le diamant au travers de plusieurs projets ANR DIAMOOND, MOVeToDiam et LAPIN113 et FUI DIAMONIX, DIAMONIX2 sur le développement de la filière Diamant pour les composants de puissance. Elle a coordonné le projet ANR MOVeToDiam (2017 - 2022). Ces projets nationaux ont l’avantage de fédérer tous les acteurs français de la filière technologique diamant, du matériau au packaging, en passant par le composant. Elle a participé à la supervision de plusieurs 8 thèses de doctorat dont 2 sont en cours. Elle est co-auteur de plus de 32 publications dans des revues scientifiques, 38 dans des conférences internationales et 23 dans des conférences nationales. Expert membre de l'OMNT de 2012 à 2018 (Observatoire des micro et nanotechnologies), sur le thème des matériaux à large bande interdite. Elle enseigne au sein du département EEA (Électronique, Énergie Électrique et Automatique) de la Faculté des Science et Ingénierie (FSI) de l'Université Toulouse III.3 dans les domaines suiavnts : • L’électronique numérique au niveau L1 et L3 • L’électronique au sens pratique, c’est à dire l’utilisation des appareils de mesures et la mise en œuvre des concepts pour réaliser des systèmes. Ces enseignements sont réalisés en L1, L2 et L3 • La physique des semiconducteurs et des composants, thématiques en lien avec son activité de recherche, enseignements dispensés en Master 1 et 2

Domaines de recherche

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Compétences

Simulation, Fabrication et Caractérisation de composant de puissance à semiconducteur grand gap

Publications

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Publications

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A Novel Isolation Approach for GaN-Based Power Integrated Devices

Zahraa Zaidan , Nedal Al Taradeh , Mohammed Benjelloun , Christophe Rodriguez , Ali Soltani et al.
Micromachines, 2024, 15 (10), pp.1223. ⟨10.3390/mi15101223⟩
Article dans une revue hal-04850893 v1

Comment le projet Frenchdiam veut faire briller le diamant dans l’électronique de puissance

Frédéric Monflier , Karine Isoird , David Eon , Cédric Masante
L'Usine Nouvelle, 2024, pp.N2213972
Article dans une revue hal-04867356 v1

Micro-Raman characterization of homo-epitaxial n doped GaN layers for vertical device applications

Atse Julien Eric N’dohi , Camille Sonneville , Luong Viet Phung , Thi Huong Ngo , Philippe de Mierry et al.
AIP Advances, 2022, 12 (2), pp.025126. ⟨10.1063/5.0082860⟩
Article dans une revue hal-03582833 v1
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Comprehensive characterization of vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diodes

P. Vigneshwara Raja , Christophe Raynaud , Camille Sonneville , Atse Julien Eric N’dohi , Hervé Morel et al.
Microelectronics Journal, 2022, 128, pp.105575. ⟨10.1016/j.mejo.2022.105575⟩
Article dans une revue hal-03826217 v1
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Contribution to Silicon-Carbide-MESFET ESD robustness analysis

Tanguy Phulpin , Karine Isoird , David Trémouilles , Patrick Austin , X. Perpinya et al.
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2018, 18 (2), pp.214-223. ⟨10.1109/TDMR.2018.2817255⟩
Article dans une revue hal-01740513 v1
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Diamond Schottky diodes operating at 473 K

Richard Monflier , Karine Isoird , Alain Cazarré , Josiane Tasselli , Alexandra Servel et al.
EPE Journal - European Power Electronics and Drives, 2017, 27 (3), pp.118-124. ⟨10.1080/09398368.2017.1388625⟩
Article dans une revue hal-01618095 v1

Design and realisation of deep trench superjunction diode dor 600 V applications

Sylvain Noblecourt , Josiane Tasselli , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Patrick Austin et al.
European Journal of Electrical Engineering, 2015, ⟨10.3166/EJEE.17.345-361⟩
Article dans une revue hal-01280199 v1
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Original Field Plate to Decrease the Maximum Electric Field Peak for High-Voltage Diamond Schottky Diode

Houssam Arbess , Karine Isoird , Saleem Hamady , Moustafa Zerarka , Dominique Planson
IEEE Transactions on Electron Devices, 2015, 62 (9), pp. 2945-2951. ⟨10.1109/TED.2015.2456073⟩
Article dans une revue hal-01218835 v1
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High termination efficiency using polyimide trench for high voltage diamond Schottky diode

Houssam Arbess , Karine Isoird , Moustafa Zerarka , Henri Schneider , Marie-Laure Locatelli et al.
Diamond and Related Materials, 2015, 58, pp.149-154. ⟨10.1016/j.diamond.2015.07.006⟩
Article dans une revue hal-01218796 v1
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Failure Analysis of ESD-stressed SiC MESFET

Tanguy Phulpin , David Trémouilles , Karine Isoird , Dominique Tournier , Philippe Godignon et al.
Microelectronics Reliability, 2015, 55 (9-10), pp.1542-1548. ⟨10.1016/j.microrel.2015.06.121⟩
Article dans une revue hal-01176674 v1
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Design optimisation of the deep trench termination for superjunction power devices

Sylvain Noblecourt , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Patrick Austin , Josiane Tasselli
International Journal of Microelectronics and Computer Science, 2015, 6 (4), pp.117-123
Article dans une revue hal-01955656 v1
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Analysis Study of Sensitive Volume and Triggering Criteria of SEB in Super-Junction MOSFETs

Moustafa Zerarka , Patrick Austin , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Houssam Arbess et al.
IET Circuits, Devices & Systems, 2014, 8 (3), pp.197-204
Article dans une revue hal-01005966 v1
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Optimisation de la diode à Superjonction à tranchées profondes pour des applications à 600V

Sylvain Noblecourt , Josiane Tasselli , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Patrick Austin et al.
European Journal of Electrical Engineering, 2014, 17 (5-6), pp.345-361. ⟨10.3166/ejee.17.345-361⟩
Article dans une revue hal-01955633 v1
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Analysis of an ESD failure mechanism on a SiC MESFET

Tanguy Phulpin , David Trémouilles , Karine Isoird , Dominique Tournier , Philippe Godignon et al.
Microelectronics Reliability, 2014, pp.MR11331. ⟨10.1016/j.microrel.2014.07.134⟩
Article dans une revue hal-01059962 v1
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Analysis and Optimization of a Thyristor Structure Using Backside Schottky Contacts Suited for the High Temperature

Gaëtan Toulon , Abdelhakim Bourennane , Karine Isoird
IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60 (11), p 3814-3820. ⟨10.1109/TED.2013.2280554⟩
Article dans une revue hal-01019388 v1
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An assessment of contact metallization for high power and high temperature diamond Schottky devices

Sodjan Koné , Henri Schneider , Karine Isoird , Fabien Thion , Jocelyn Achard et al.
Diamond and Related Materials, 2012, vol. 27-28, pp. 23-28. ⟨10.1016/j.diamond.2012.05.007⟩
Article dans une revue hal-00881007 v1

Comparison of Electrical Behavior of GaN-Based MOS Structures Obtained by Different PECVD Process

Elias Al Alam , Ignasi Cortés , T. Begou , Antoine Goullet , Frédéric Morancho et al.
Materials Science Forum, 2012, 711, pp.228-232. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.711.228⟩
Article dans une revue hal-00864740 v1

Effect of surface preparation and interfacial layer on the quality of SiO(2)/GaN interfaces

Elias Al Alam , I. Cortes , Marie-Paule Besland , Antoine Goullet , L. Lajaunie et al.
Journal of Applied Physics, 2011, 109 (8), pp.084511. ⟨10.1063/1.3572236⟩
Article dans une revue hal-00849472 v1
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Simulation and design of junction termination structures for diamond Schottky diodes

Fabien Thion , Karine Isoird , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , Hui Ding
Diamond and Related Materials, 2011, 20 (5-6), pp.729-732. ⟨10.1016/j.diamond.2011.03.011⟩
Article dans une revue hal-00661491 v1
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Diode Schottky sur diamant CVD. Simulation, réalisation technologique et étude de protection périphérique

Sojan Koné , Hui Ding , Fabien Thion , Henri Schneider , Karine Isoird et al.
European Journal of Electrical Engineering, 2011, 14 (5), pp.553 - 567. ⟨10.3166/ejee.14.553-567⟩
Article dans une revue hal-01627761 v1

Thick boron doped diamond single crystals for high power electronics

J. Achard , F. Silva , R. Issaoui , O. Brinza , A. Tallaire et al.
Diamond and Related Materials, 2011, 20 (2), pp.145-152. ⟨10.1016/j.diamond.2010.11.014⟩
Article dans une revue istex hal-02441198 v1
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Conception de transistors MOS haute tension (1 200 volts) pour l'électronique de puissance

Loïc Théolier , Hicham Mahfoz-Kotb , Karine Isoird , Frédéric Morancho
European Journal of Electrical Engineering, 2010, 13 (2), pp.227-252. ⟨10.3166/ejee.13.227-252⟩
Article dans une revue hal-00991584 v1

CVD diamond Schottky barrier diode, carrying out and characterization

S. Koné , G. Civrac , H. Schneider , Karine Isoird , R. Issaoui et al.
Diamond and Related Materials, 2010, 19 (7-9), pp.792-795. ⟨10.1016/j.diamond.2010.01.036⟩
Article dans une revue istex hal-03575952 v1

A New Junction Termination Using a Deep Trench Filled With BenzoCycloButene

Loïc Théolier , Hicham Mahfoz-Kotb , Karine Isoird , Frédéric Morancho , Sandrine Assié-Souleille et al.
IEEE Electron Device Letters, 2009, 30 (6), pp.687 - 689. ⟨10.1109/LED.2009.2020348⟩
Article dans une revue hal-00991660 v1

Filling of very deep, wide trenches by BenzoCycloButene polymer

Hicham Mahfoz-Kotb , Karine Isoird , Frédéric Morancho , Loïc Théolier , Thierry Do Conto
Microsystem Technologies, 2009, 15 (9), pp.1395-1400. ⟨10.1007/s00542-009-0894-2⟩
Article dans une revue istex hal-00991599 v1

Mise en place d'une filière pour la réalisation de composants de puissance en diamant

Gabriel Civrac , Henri Schneider , Hui Ding , Karine Isoird , Sodjan Koné et al.
Revue Internationale de Génie Électrique, 2009, 12 (2), pp.237-253. ⟨10.3166/ejee.12.237-253⟩
Article dans une revue istex hal-03575920 v1

Switching performance of 65 V vertical N-channel FLYMOSFETs

Loïc Théolier , Karine Isoird , Henri Tranduc , Frédéric Morancho , Jaume Roig Guitart et al.
Microelectronics Journal, 2008, 39 (6), pp.914-921. ⟨10.1016/j.mejo.2007.11.009⟩
Article dans une revue istex hal-00991676 v1

Experimental validation of the ‘FLoating Islands’ concept: 95 V breakdown voltage vertical FLIDiode

S. Alves , Frédéric Morancho , J.-M. Reynes , J. Margheritta , I. Deram et al.
IEE Proceedings Circuits Devices and Systems, 2005, 153 (1), pp.53-60. ⟨10.1049/ip-cds:20050048⟩
Article dans une revue hal-04106729 v1
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Study of 4H-SiC High-Voltage Bipolar Diodes under Reverse Bias Using Electrical and OBIC Characterization

K. Isoird , Mihai Lazar , Marie-Laure Locatelli , Christophe Raynaud , Dominique Planson et al.
Materials Science Forum, 2002, 389-393, pp.1289-1292. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1289⟩
Article dans une revue hal-02151720 v1
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A Comparative Study of High-Temperature Aluminum Post-Implantation Annealing in 6H- and 4H-SiC, Non-Uniform Temperature Effects

Mihai Lazar , Christophe Raynaud , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , K. Isoird et al.
Materials Science Forum, 2002, 389-393, pp.827-830. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.827⟩
Article dans une revue hal-02151714 v1

Barrier height determination of SiC Schottky diodes by capacitance and current-voltage measurements

Christophe Raynaud , Karine Isoird , Mihai Lazar , Cm Johnson , N. Wright
Journal of Applied Physics, 2002, 91 (12), pp.9841-9847
Article dans une revue hal-00141477 v1
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Study of 6H-SiC high voltage bipolar diodes under reverse biases

Karine Isoird , Mihai Lazar , Laurent Ottaviani , Marie-Laure Locatelli , Christophe Raynaud et al.
Applied Surface Science, 2001, 184 (1-4), pp.477-482. ⟨10.1016/S0169-4332(01)00537-2⟩
Article dans une revue istex hal-00140118 v1
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Study of the Breakdown Voltage of Protected or Non-Protected 6H-SiC Bipolar Diodes by OBIC Characterisation

Karine Isoird , Laurent Ottaviani , Marie-Laure Locatelli , Dominique Planson , Christophe Raynaud et al.
Materials Science Forum, 2000, 338-342, pp.1363-1366. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.1363⟩
Article dans une revue hal-02281030 v1

P-N Junction creation in 6H-SiC by aluminum implantation

Laurent Ottaviani , Marie-Laure Locatelli , Dominique Planson , Karine Isoird , Jean-Pierre Chante et al.
Materials Science and Engineering: B, 1999, 61 (2), pp.424-428
Article dans une revue hal-00141527 v1
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Développement de la gravure plasma O2 pour la réalisation de composants de puissance diamant

Raid Gourad , Ralph Makhoul , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Alain Cazarré et al.
Sysmpsoium de Génie électrique SGE 2023, Université de Lille, Jul 2023, LILLE, France
Communication dans un congrès hal-04127068 v1

Vertical pin diodes on large freestanding (100) diamond film

M.A. Pinault-Thaury , Mohamed Bouras , Rémi Gillet , Ingrid Stenger , François Jomard et al.
2023 EUROPEAN MATERIALS RESEARCH SOCIETY Spring Meeting, EUROPEAN MATERIALS RESEARCH SOCIETY, May 2023, Strasbourg, France
Communication dans un congrès hal-04219862 v1

Locally ion Implantation and annealing effects in Diamond

Mohamed Bourass , Raid Gourad , Karine Isoird , Fuccio Cristiano , Josiane Tasselli et al.
European Materials Research Society (EMRS) Spring Meeting, Symposium R (Diamond for electronics, sensors and detectors V), May 2023, Strasbourg, France
Communication dans un congrès hal-04666590 v1
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Epitaxie localisée de P-GaN par EJM pour la fabrication de HEMTs AlGaN/GaN normally-off

Daniel Rouly , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Yvon Cordier , Aimeric Courville et al.
Symposium de génie électrique SGE 2023, Université de Lille, Jul 2023, Lille, France
Communication dans un congrès hal-04127127 v1

Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs based on selective area regrowth of a P-GaN gate in nanostructured patterns

Daniel Rouly , Patrick Austin , Josiane Tasselli , Frédéric Morancho , Karine Isoird et al.
EMRS-2022 Fall Meeting European Materials Research Society, Sep 2022, Varsovie, Poland
Communication dans un congrès hal-03697766 v1
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Multiphysics Characterizations of Vertical GaN Schottky Diodes

Atse Julien Eric N’dohi , Camille Sonneville , Soufiane Saidi , Thi Huong Ngo , P. de Mierry et al.
2022 Compound Semiconductor Week (CSW), Jun 2022, Ann Arbor, United States. pp.1-2, ⟨10.1109/CSW55288.2022.9930447⟩
Communication dans un congrès hal-03844585 v1

Locally Ion Implantation and Annealing Effects in Diamond

Raid. Gourad , Mohamed Bouras , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Fuccio Cristiano et al.
E-MRS 2022 Fall Meeting., Sep 2022, Warsaw, Poland
Communication dans un congrès hal-03766749 v1
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Caractérisation par spectroscopie micro-Raman de diodes GaN Schottky

Camille Sonneville , Atse Julien Eric N’dohi , S Saidi , T H Ngo , P. de Mierry et al.
Conférence Internationale Matériaux, Oct 2022, Lille, France
Communication dans un congrès hal-03844887 v1
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Design Optimization of a New Nanostructured P-GaN Gate for Normally-off GaN HEMTs

Daniel Rouly , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Chaymaa Haloui , Karine Isoird et al.
29th International Conference on Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES 2022), Jun 2022, Wroclaw, Poland. ⟨10.23919/MIXDES55591.2022.9838389⟩
Communication dans un congrès hal-03697713 v1
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Toward an Innovative Monolithic Integration of Vertical and Lateral GaN Devices

Zahraa Zaidan , Nedal Al Taradeh , Christophe Rodriguez , Abdelatif Jaouad , Ali Soltani et al.
Conférence Euro-méditerranéenne Matériaux, Composants et Systèmes EMCM-DS, Oct 2022, Fes, Morocco
Communication dans un congrès hal-03946187 v1

High voltage (6kV) diamond TMBS diode design

Ralph Makhoul , Karine Isoird , Luong Viet Phung , Dominique Planson
31st International Conference On Diamond and Carbon Materials, Sep 2021, Palma, Mallorca, Spain
Communication dans un congrès hal-03715580 v1
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Fabrication and characterization of Si3N4-MIS structures on p-type diamond

Lya Fontaine , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Emmanuel Scheid , Patrick Austin et al.
31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2021, On line, Spain
Communication dans un congrès hal-03445543 v1
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Développement de briques technologiques pour la fabrication de composants MOS diamant : contacts ohmiques et capacités MIS sur diamant de type P

Lya Fontaine , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Emmanuel Scheid et al.
SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2020), Jul 2021, Nantes, France
Communication dans un congrès hal-02918490 v2
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Conception de diodes TMBS haute tension (6kV) en diamant

Ralph Makhoul , Karine Isoird , Luong Viet Phung , Dominique Planson
SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2020), Jul 2021, Nantes, France
Communication dans un congrès hal-03355128 v1
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Recessed and P-GaN regrowth gate development for normally-off AlGaN/GaN HEMTs

Chaymaa Haloui , Toulon Gaëtan , Josiane Tasselli , Yvon Cordier , Éric Frayssinet et al.
28 International Conference MIXED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, Jun 2020, Wroclow, Poland
Communication dans un congrès hal-02922723 v1
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Développement technologique d'un HEMT normally- off avec une grille à barrière P-GaN

Chaymaa Haloui , Gaëtan Toulon , Josiane Tasselli , Yvon Cordier , Éric Frayssinet et al.
SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2020), Jul 2021, Nantes, France
Communication dans un congrès hal-02918372 v2
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Ohmic contacts study of P + N diodes on (111) and (100) diamond

Lya Fontaine , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Alain Cazarré et al.
13th IEEE International Conference on Power Electronics and Drive Systems (PEDS 2019), Jul 2019, Toulouse, France
Communication dans un congrès hal-02324743 v1
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Optimisation des techniques de microfabrication sur diamant

Lya Fontaine , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Alain Cazarré , Patrick Austin et al.
Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique (JNRDM 2019), Jun 2019, Montpellier, France. pp.691 - 697
Communication dans un congrès halshs-02329822 v1
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Développement technologique d'un HEMT normally-off avec une grille à barrière P-GaN

Chaymaa Haloui , Josiane Tasselli , Karine Isoird , David Trémouilles , Patrick Austin et al.
Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique (JNRDM), Jun 2019, Montpellier, France
Communication dans un congrès hal-02278808 v1
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Développement de briques technologiques pour la réalisation de composants de puissance sur diamant

Lya Fontaine , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Alain Cazarré , Patrick Austin et al.
Conférence des Jeunes Chercheurs en Génie Electrique (JCGE 2019), Jun 2019, Oléron, France
Communication dans un congrès hal-02324807 v1
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Première démonstration expérimentale d’un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterrée

Audrey Chapelle , Éric Frayssinet , Yvon Cordier , Yohann Spiegel , Leïla Benmosfeta et al.
Symposium de Génie Electrique (SGE 2018), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. pp.3 - 5
Communication dans un congrès hal-02981903 v2
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Mesure de résistance dynamique de HEMT en GaN à l'échelle de la centaine de nanosecondes

Emmanuel Marcault , David Trémouilles , Karine Isoird , Gaëtan Toulon , Frédéric Morancho et al.
Symposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France
Communication dans un congrès hal-01361669 v1
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Robustesse de MESFET SiC face aux décharges électrostatiques

Tanguy Phulpin , David Trémouilles , Karine Isoird , Patrick Austin , M Vellvehi et al.
SGE Symposium de Génie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France
Communication dans un congrès hal-01310299 v1
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Fiabilité de MESFET SiC face aux décharges électrostatiques

Tanguy Phulpin , Karine Isoird , David Trémouilles , Patrick Austin , Javier Leon et al.
Symposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France
Communication dans un congrès hal-01361658 v1
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Diodes Schottky diamant fonctionnant à 200°C

Richard Monflier , Karine Isoird , Alain Cazarré , Josiane Tasselli , Alexandra Servel et al.
Symposium de Génie Electrique, G2Elab, Jun 2016, Grenoble, France
Communication dans un congrès hal-01245628 v2
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Dynamic of power-GaN-HEMT electrical parameters: Why DC characterization might be misleading

Emmanuel Marcault , David Trémouilles , Karine Isoird , Frédéric Morancho , Mathieu Gavelle
18th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'2016), Sep 2016, Karlsruhe, Germany. ⟨10.1109/EPE.2016.7695492⟩
Communication dans un congrès hal-01556254 v1
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An Electrostatic-Discharge-Protection Solution for Silicon-Carbide MESFET

Tanguy Phulpin , David Trémouilles , Karine Isoird , Dominique Tournier , Philippe Godignon et al.
EOS/ESD Symposium, Sep 2015, Reno, United States
Communication dans un congrès hal-01178266 v1
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An improved junction termination design using deep trenches for superjunction power devices

Sylvain Noblecourt , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Patrick Austin , Josiane Tasselli
International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES 2015), Jun 2015, Torùn, Poland. ⟨10.1109/MIXDES.2015.7208583⟩
Communication dans un congrès hal-01191234 v1
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Analyse du mécanisme d'un défaut ESD sur un MESFET en SiC

Tanguy Phulpin , David Trémouilles , Karine Isoird , Dominique Tournier , Philippe Godignon et al.
Journées Nationales du Réseau de Doctorants en Microélectronique, Jun 2015, Bordeaux, France
Communication dans un congrès hal-01339803 v1
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Optimisation de la terminaison d'une diode Schottky diamant haute tension

Houssam Arbess , Karine Isoird , Dominique Planson , Luong Viet Phung
Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès hal-01065274 v1
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Optimisation de la diode à Superjonction à tranchées profondes pour des applications à 600V

Sylvain Noblecourt , Josiane Tasselli , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Patrick Austin et al.
Symposium de Génie Electrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès hal-01102974 v1
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Durcissement des IGBT planar contre le déclenchement de " Single-Event Burnout

Moustafa Zerarka , Patrick Austin , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Josiane Tasselli et al.
Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès hal-01065194 v1
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Wide bandgap semiconductors for ultra high voltage devices. Design and characterization aspects

Dominique Planson , Pierre Brosselard , Karine Isoird , Mihai Lazar , Luong Viêt Phung et al.
CAS, Oct 2014, Sinaia, Romania. pp.35 - 40, ⟨10.1109/SMICND.2014.6966383⟩
Communication dans un congrès hal-01388002 v1
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New termination architecture for 1700 V diamond schottky diode

Houssam Arbess , Karine Isoird , Saleem Hamady
2013 15th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE), Sep 2013, Lille, France. pp.1-8
Communication dans un congrès hal-01006006 v1
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Field plate termination for high voltage diamond Schottky diode

Houssam Arbess , Karine Isoird
International Conference on Microelectronics ( ICM ) 2013, Dec 2013, Beyrouth, Lebanon. pp.25-28
Communication dans un congrès hal-01004604 v1

Using a two step plasma etching process for diamond power devices

F. Thion , K. Isoird , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , Henri Schneider et al.
International Conference on Diamond and Carbon Materials Granada, SPAIN, 2012, Granada, Spain
Communication dans un congrès hal-03966086 v1
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Impact of a backside Schottky contact on the thyristor characteristics at high temperature

Gaëtan Toulon , Abdelhakim Bourennane , Karine Isoird
International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Aug 2012, Pragues, Czech Republic. pp.131 à 136
Communication dans un congrès hal-01004495 v1

Electrical characteristics (I-V) of field plate protected vertical diamond Schottky diodes

F. Thion , K. Isoird , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , Henri Schneider et al.
International Conference on Diamond and Carbon Materials Granada, SPAIN, 2012, Granada, Spain
Communication dans un congrès hal-03966084 v1
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Analysis study of sensitive volume and triggering criteria of SEB in super-junction MOSFETs

Moustafa Zerarka , Patrick Austin , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Houssam Arbess et al.
International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Aug 2012, Pragues, Czech Republic. 6 p
Communication dans un congrès hal-01005688 v1
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Analysis and optimization of a novel high voltage striped STI-LDMOS transistor on SOI CMOS technology

Gaëtan Toulon , Ignacio Cortes , Frédéric Morancho , Abdelhakim Bourennane , Karine Isoird
International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Aug 2012, Pragues, Czech Republic. pp.122-128
Communication dans un congrès hal-01004508 v1
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Amélioration des performances du thyristor à l'état bloqué en haute température

Gaëtan Toulon , Karine Isoird , Abdelhakim Bourennane
Conférence Electronique de Puissance du Futur (EPF 2012), Jul 2012, BORDEAUX, France. 4 p
Communication dans un congrès hal-01005931 v1
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Réalisation et caractérisation de diodes Schottky en diamant monocristallin protégées par plaque de champ sur Si3N4

Fabien Thion , Karine Isoird , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , Henri Schneider et al.
14ème EPF, Jul 2012, Bordeaux, France. 4 p
Communication dans un congrès hal-01005917 v1
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Protection périphérique pour composants de puissance en diamant

Fabien Thion , Karine Isoird , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli
13ème EPF, Jun 2010, Saint-Nazaire, France. 4p
Communication dans un congrès hal-00618708 v1
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Simulation and design of junction termination structures for diamond Schottky diodes

Fabien Thion , Karine Isoird , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , H Ding
European Conference on Diamond Diamond-like Materials Carbon Nanotubes and Nitrides (DIAMOND 2010), Sep 2010, Budapest, Hungary
Communication dans un congrès hal-03656932 v1

Analysis of the C-V characteristic in SiO2/GaN MOS capacitors

I. Cortes , E. Al-Alam , Marie-Paule Besland , P. Regreny , Frédéric Morancho et al.
7th Spanish Conference on Electron Devices, Feb 2009, Santiago de Compostela, Spain. pp.254
Communication dans un congrès hal-00475900 v1
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A new junction termination technique: The Deep Trench Termination (DT²)

Loïc Théolier , Hicham Mahfoz-Kotb , Karine Isoird , Frédéric Morancho
21st International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), 2009., Jun 2009, Barcelona, Spain. pp.176-179, ⟨10.1109/ISPSD.2009.5158030⟩
Communication dans un congrès hal-00991573 v1
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The DT-SJMOSFET : a new power MOSFET strucure for high-voltage applications

Loïc Théolier , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Hicham Mahfoz-Kotb , Henri Tranduc
2nd International Conference on Automotive Power Electronics (APE 2007), Sep 2007, PARIS, France. 8 p
Communication dans un congrès hal-01002232 v1
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Étude de faisabilité d'une terminaison de jonction basée sur des tranchées profondes pour des composants haute tension (1200 V)

Hicham Mahfoz-Kotb , Loïc Théolier , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Pascal Dubreuil et al.
XIIème colloque Electronique de Puissance du Futur (EPF 2008), Jul 2008, TOURS, France. 4 p
Communication dans un congrès hal-01002269 v1
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Réalisation et caractérisation de contacts ohmiques sur diamant CVD

de Fabian Gabriel Civrac , Henri Schneider , Hui Ding , Karine Isoird , J. Achard
XIIème colloque Electronique de Puissance du Futur (EPF 2008), Jul 2008, TOURS, France. 5 p
Communication dans un congrès hal-01002267 v1
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Le Diamant pour l'Electronique de Puissance - Développement des Technologies Associées

Gabriel Civrac , Henri Schneider , Marie-Laure Locatelli , Karine Isoird , Hui Ding
MGE 2008 4ème Colloque Matériaux du Génie Electrique, May 2008, TOULOUSE, France. 4 p
Communication dans un congrès hal-01002185 v1
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Le Nitrure de Gallium : un Matériau d'Avenir pour la Conception de Composants de Puissance Haute Tension et Haute Température

Elias Al Alam , Alain Cazarré , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Yvon Cordier
MGE 2008 4ème Colloque Matériaux du Génie Electrique, May 2008, TOULOUSE, France. 4 p
Communication dans un congrès hal-01002191 v1
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Étude paramétrique des performances statiques du transistor DT-SJMOS 1200 V

Loïc Théolier , Hicham Mahfoz-Kotb , Karine Isoird , Frédéric Morancho
XIIème colloque Electronique de Puissance du Futur (EPF 2008), Jul 2008, TOURS, France. 4 p
Communication dans un congrès hal-01002262 v1
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Performances dynamiques des transistors FLYMOSTM 65 Volts à canal N

Loïc Théolier , Karine Isoird , Henri Tranduc , Frédéric Morancho , Jaume Roig Guitart et al.
Electronique de Puissance du Futur (EPF'2006), Jul 2006, GRENOBLE, France. 5 p
Communication dans un congrès hal-01002255 v1
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Switching Performance of 65 Volts Vertical N-Channel FLYMOSFETs

Loïc Théolier , Karine Isoird , Henri Tranduc , Frédéric Morancho , Jaume Roig Guitart et al.
8th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'06, Aug 2006, Pragues, Czech Republic. pp.117-122
Communication dans un congrès hal-01005674 v1
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Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) à tranchées profondes

Loïc Théolier , Karine Isoird , Frédéric Morancho , Jaume Roig Guitart
ISP3D, Oct 2006, Montpellier, France
Communication dans un congrès hal-01005697 v1
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Validation expérimentale du concept des "îlots flottants": réalisation d'une FLIdiodes verticale 95 volts

Stéphane Alves , Frédéric Morancho , Jean Michel Reynes , J. Margherita , I. Deram et al.
Seminario Annual de Automática, Electronica Industrial e Instrumentación Electronique de Puissance du Futur, Sep 2004, TOULOUSE, France. pp.4 PAGES
Communication dans un congrès hal-01002131 v1
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Experimental validation of the "FLoating Island" concept: A 95 Volts Vertical breakdown voltage FLIDiode

Stéphane Alves , Frédéric Morancho , Jean Michel Reynes , J. Margherita , I. Deram et al.
7th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'04), Aug 2004, Pragues, Czech Republic. pp.47-50
Communication dans un congrès hal-01005655 v1
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Study of suitable dielectric material properties for high electric field and high temperature power semiconductor environment

Marie-Laure Locatelli , Karine Isoird , Sorin Dinculescu , Vincent Bley , Thierry Lebey et al.
10th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'2003), Sep 2003, Toulouse, France
Communication dans un congrès hal-02492270 v1

Study of 6H-SiC high voltage bipolar diodes under reverse biases

Karine Isoird , Mihai Lazar , Laurent Ottaviani , Marie-Laure Locatelli , Christophe Raynaud et al.
European Materials Research Society (E-MRS Spring Meeting) 2001, Jun 2001, Strasbourg, France
Communication dans un congrès hal-03712596 v1
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4H-SiC bipolar power diodes realized by ion implantation

M. Lazar , Dominique Planson , K. Isoird , Marie-Laure Locatelli , Christophe Raynaud et al.
CAS 2001 International Semiconductor Conference, Oct 2001, Sinaia, Romania. pp.349-352, ⟨10.1109/SMICND.2001.967481⟩
Communication dans un congrès hal-02145397 v1
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A comparative study of high temperature Aluminium post-implantation annealing in 6H and 4H-SiC, non-uniformity temperature effects

M. Lazar , Christophe Raynaud , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , K. Isoird et al.
ICSCRM, Oct 2001, Tsukuba, Japan
Communication dans un congrès hal-02476227 v1

Bipolar silicon carbide power diodes realized by aluminum implantations and high temperature rf-annealing

Mihai Lazar , Karine Isoird , Laurent Ottaviani , Marie-Laure Locatelli , Christophe Raynaud et al.
43rd Electronic Materials Conference (EMC 2001), Jun 2001, Notre Dame, IN, United States
Communication dans un congrès hal-02275712 v1
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FrenchDiam: The French diamond industry for power electronics

David Eon , Cédric Masante , Karine Isoird
Journée PEPR Electronique - kick off projets AAP 2023, Jul 2024, Paris (en ligne), France. 2024
Poster de conférence hal-04665572 v1
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Reactive ion etching of 100 and 113 diamond for development of power devices

Florent Sevely , Rachel Grosset Darracq , Raid Gourad , Josiane Tasselli , Karine Isoird
34th International conference on Diamond and carbon materials (ICDCM 2024), Sep 2024, Dresde, Germany. 2024
Poster de conférence hal-04681846 v1

Locally Ion Implantation and Annealing Effects in Diamond

Mohamed Bouras , Raid Gourad , Karine Isoird , Fuccio Cristiano , Josiane Tasselli et al.
Hasselt Diamond Workshop 2023 - SBDD XXVII, Mar 2023, Hässelt, Belgium
Poster de conférence hal-04396208 v1

Locally Ion Implantation and Annealing Effects in Diamond

Mohamed Bouras , Raid Gourad , Karine Isoird , Fuccio Cristiano , Josiane Tasselli et al.
Hasselt Diamond Workshop 2023 - SBDD XXVII, Mar 2023, Hässelt, Belgium
Poster de conférence hal-04269992 v1
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Realization and characterization of vertical PIN diode on 100 diamond

Florent Sevely , Josiane Tasselli , Karine Isoird , Luong Viêt Phung , Camille Sonneville et al.
33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2023, Palma, Spain. , 2023
Poster de conférence hal-04193251 v1
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Locally Ion Implantation and Annealing Effects in Diamond

M.A. Pinault-Thaury , Mohamed Bouras , Raid Gourad , Karine Isoird , Fuccio Cristiano et al.
3rd MOMENTOM INTERNATIONAL CONGRESS, Mar 2023, Gif-sur-yvette, France. 2023
Poster de conférence hal-04271407 v1
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Design and Fabrication of AlGaN/GaN normally-off HEMTs

Daniel Rouly , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Karine Isoird , Frédéric Morancho
10th IRP NextPV International workshop, Jan 2023, Toulouse, France. 2023
Poster de conférence hal-03934236 v1
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Conception et réalisation technologique de structures HEMTs AlGaN/GaN normally-off à grille P-GaN

Daniel Rouly , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Karine Isoird , Frédéric Morancho et al.
JEP 2022: Journées des Electroniques de Puissance, Mar 2022, Grenoble, France
Poster de conférence hal-03621863 v1
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Ohmic contacts by phosphorous ion implantation on (111) N-type CVD Diamond

Lya Fontaine , Karine Isoird , Josiane Tasselli , Patrick Austin , Marie-Amandine Pinault-Thaury et al.
31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2021, ONLINE, Spain. , 2021
Poster de conférence hal-03445509 v1

Study of Ti/Pt/Au ohmic contacts on P-type boron doped (100) diamond with linear and circular TLM structures

Josiane Tasselli , Lya Fontaine , Karine Isoird , Emmanuel Scheid , Patrick Austin et al.
31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2021, ONLINE, Spain. 2021
Poster de conférence hal-03445531 v1
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Protection ESD pour MESFET SiC

Tanguy Phulpin , Karine Isoird , David Trémouilles , Patrick Austin
Journées Intégration et Systèmes de Puissance 3D (ISP3D), Mar 2015, Tours, France. 2015
Poster de conférence hal-01339804 v1