Karine Isoird
- Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie (LAAS-ISGE)
- Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie (LAAS-ISGE)
Présentation
Karine ISOIRD (ORCID : 0000-0002-2878-6952) est née à Sète (France) en 1973. Son doctorat obtenu en 2001 à l'INSA-LYON, portait sur la caractérisation électrique et OBIC des composnats de puissance SiC haute température et haute tension.
Depuis 2003, elle est maître de conférences (MCF) à l'Université Paul Sabatier de Toulouse (Toulouse III) et a intégré l'équipe ISGE (Intégration des Systèmes pour la Gestion de l'Energie) au sein du laboratoire LAAS, équipe dont elle est responsable depuis 2021. Elle a rejoint le LAAS sur le thème des nouvelles structures MOS en silicium. Depuis 2006, ses recherches se sont étendues et concentrées sur les dispositifs semiconducteurs à large bande interdite (GaN, SiC et diamant) et principalement sur le diamant au travers de plusieurs projets ANR DIAMOOND, MOVeToDiam et LAPIN113 et FUI DIAMONIX, DIAMONIX2 sur le développement de la filière Diamant pour les composants de puissance. Elle a coordonné le projet ANR MOVeToDiam (2017 - 2022). Ces projets nationaux ont l’avantage de fédérer tous les acteurs français de la filière technologique diamant, du matériau au packaging, en passant par le composant. Elle a participé à la supervision de plusieurs 8 thèses de doctorat dont 2 sont en cours. Elle est co-auteur de plus de 32 publications dans des revues scientifiques, 38 dans des conférences internationales et 23 dans des conférences nationales. Expert membre de l'OMNT de 2012 à 2018 (Observatoire des micro et nanotechnologies), sur le thème des matériaux à large bande interdite.
Elle enseigne au sein du département EEA (Électronique, Énergie Électrique et Automatique) de la Faculté des Science et Ingénierie (FSI) de l'Université Toulouse III.3 dans les domaines suiavnts :
• L’électronique numérique au niveau L1 et L3
• L’électronique au sens pratique, c’est à dire l’utilisation des appareils de mesures et la mise en œuvre des concepts pour réaliser des systèmes. Ces enseignements sont réalisés en L1, L2 et L3
• La physique des semiconducteurs et des composants, thématiques en lien avec son activité de recherche, enseignements dispensés en Master 1 et 2
Domaines de recherche
Compétences
Publications
Publications
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Fabrication et caractérisation de diodes Schottky diamant haute tension protégées par plaque de champ avec empilement Al2O3 /Si3N4SGE 2025 - Symposium de Génie Électrique, cnrs, ups, Jul 2025, Toulouse, France |
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Mesures µ-OBIC sur diode bipolaire Diamant : une première !Symposium de Génie Electrique (SGE 2025), Jul 2025, Toulouse, France |
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Dopage par épitaxie localisée de nanostructures pour les dispositifs de puissance en GaNSymposium de Génie Électrique SGE 2025, cnrs, ups, Jul 2025, Toulouse, France |
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Développement de la gravure plasma O2 pour la réalisation de composants de puissance diamantSysmpsoium de Génie électrique SGE 2023, Université de Lille, Jul 2023, LILLE, France |
Vertical pin diodes on large freestanding (100) diamond film2023 EUROPEAN MATERIALS RESEARCH SOCIETY Spring Meeting, EUROPEAN MATERIALS RESEARCH SOCIETY, May 2023, Strasbourg, France |
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Locally ion Implantation and annealing effects in DiamondEuropean Materials Research Society (EMRS) Spring Meeting, Symposium R (Diamond for electronics, sensors and detectors V), May 2023, Strasbourg, France |
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Epitaxie localisée de P-GaN par EJM pour la fabrication de HEMTs AlGaN/GaN normally-offSymposium de génie électrique SGE 2023, Université de Lille, Jul 2023, Lille, France |
Locally Ion Implantation and Annealing Effects in DiamondE-MRS 2022 Fall Meeting., Sep 2022, Warsaw, Poland |
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Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs based on selective area regrowth of a P-GaN gate in nanostructured patternsEMRS-2022 Fall Meeting European Materials Research Society, Sep 2022, Varsovie, Poland |
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Multiphysics Characterizations of Vertical GaN Schottky Diodes2022 Compound Semiconductor Week (CSW), Jun 2022, Ann Arbor, United States. pp.1-2, ⟨10.1109/CSW55288.2022.9930447⟩ |
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Caractérisation par spectroscopie micro-Raman de diodes GaN SchottkyConférence Internationale Matériaux, Oct 2022, Lille, France |
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Design Optimization of a New Nanostructured P-GaN Gate for Normally-off GaN HEMTs29th International Conference on Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES 2022), Jun 2022, Wroclaw, Poland. ⟨10.23919/MIXDES55591.2022.9838389⟩ |
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Toward an Innovative Monolithic Integration of Vertical and Lateral GaN DevicesConférence Euro-méditerranéenne Matériaux, Composants et Systèmes EMCM-DS, Oct 2022, Fes, Morocco |
High voltage (6kV) diamond TMBS diode design31st International Conference On Diamond and Carbon Materials, Sep 2021, Palma, Mallorca, Spain |
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Fabrication and characterization of Si3N4-MIS structures on p-type diamond31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2021, On line, Spain |
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Développement de briques technologiques pour la fabrication de composants MOS diamant : contacts ohmiques et capacités MIS sur diamant de type PSYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2020), Jul 2021, Nantes, France |
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Conception de diodes TMBS haute tension (6kV) en diamantSYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2020), Jul 2021, Nantes, France |
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Recessed and P-GaN regrowth gate development for normally-off AlGaN/GaN HEMTs28 International Conference MIXED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, Jun 2020, Wroclow, Poland |
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Développement technologique d'un HEMT normally- off avec une grille à barrière P-GaNSYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2020), Jul 2021, Nantes, France |
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Optimisation des techniques de microfabrication sur diamantJournées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique (JNRDM 2019), Jun 2019, Montpellier, France. pp.691 - 697 |
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Développement technologique d'un HEMT normally-off avec une grille à barrière P-GaNJournées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique (JNRDM), Jun 2019, Montpellier, France |
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Ohmic contacts study of P + N diodes on (111) and (100) diamond13th IEEE International Conference on Power Electronics and Drive Systems (PEDS 2019), Jul 2019, Toulouse, France |
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Développement de briques technologiques pour la réalisation de composants de puissance sur diamantConférence des Jeunes Chercheurs en Génie Electrique (JCGE 2019), Jun 2019, Oléron, France |
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Première démonstration expérimentale d’un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterréeSymposium de Génie Electrique (SGE 2018), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. pp.3 - 5 |
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Robustesse de MESFET SiC face aux décharges électrostatiquesSGE Symposium de Génie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France |
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Mesure de résistance dynamique de HEMT en GaN à l'échelle de la centaine de nanosecondesSymposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France |
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Fiabilité de MESFET SiC face aux décharges électrostatiquesSymposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France |
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Diodes Schottky diamant fonctionnant à 200°CSymposium de Génie Electrique, G2Elab, Jun 2016, Grenoble, France |
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Dynamic of power-GaN-HEMT electrical parameters: Why DC characterization might be misleading18th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'2016), Sep 2016, Karlsruhe, Germany. ⟨10.1109/EPE.2016.7695492⟩ |
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An Electrostatic-Discharge-Protection Solution for Silicon-Carbide MESFETEOS/ESD Symposium, Sep 2015, Reno, United States |
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An improved junction termination design using deep trenches for superjunction power devicesInternational Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES 2015), Jun 2015, Torùn, Poland. ⟨10.1109/MIXDES.2015.7208583⟩ |
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Analyse du mécanisme d'un défaut ESD sur un MESFET en SiCJournées Nationales du Réseau de Doctorants en Microélectronique, Jun 2015, Bordeaux, France |
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Optimisation de la diode à Superjonction à tranchées profondes pour des applications à 600VSymposium de Génie Electrique 2014, Jul 2014, Cachan, France |
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Optimisation de la terminaison d'une diode Schottky diamant haute tensionSymposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France |
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Wide bandgap semiconductors for ultra high voltage devices. Design and characterization aspectsCAS, Oct 2014, Sinaia, Romania. pp.35 - 40, ⟨10.1109/SMICND.2014.6966383⟩ |
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Durcissement des IGBT planar contre le déclenchement de " Single-Event BurnoutSymposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France |
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New termination architecture for 1700 V diamond schottky diode2013 15th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE), Sep 2013, Lille, France. pp.1-8 |
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Field plate termination for high voltage diamond Schottky diodeInternational Conference on Microelectronics ( ICM ) 2013, Dec 2013, Beyrouth, Lebanon. pp.25-28 |
Using a two step plasma etching process for diamond power devicesInternational Conference on Diamond and Carbon Materials Granada, SPAIN, 2012, Granada, Spain |
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Impact of a backside Schottky contact on the thyristor characteristics at high temperatureInternational Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Aug 2012, Pragues, Czech Republic. pp.131 à 136 |
Electrical characteristics (I-V) of field plate protected vertical diamond Schottky diodesInternational Conference on Diamond and Carbon Materials Granada, SPAIN, 2012, Granada, Spain |
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Analysis study of sensitive volume and triggering criteria of SEB in super-junction MOSFETsInternational Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Aug 2012, Pragues, Czech Republic. 6 p |
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Analysis and optimization of a novel high voltage striped STI-LDMOS transistor on SOI CMOS technologyInternational Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Aug 2012, Pragues, Czech Republic. pp.122-128 |
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Amélioration des performances du thyristor à l'état bloqué en haute températureConférence Electronique de Puissance du Futur (EPF 2012), Jul 2012, BORDEAUX, France. 4 p |
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Réalisation et caractérisation de diodes Schottky en diamant monocristallin protégées par plaque de champ sur Si3N414ème EPF, Jul 2012, Bordeaux, France. 4 p |
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Protection périphérique pour composants de puissance en diamant13ème EPF, Jun 2010, Saint-Nazaire, France. 4p |
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Simulation and design of junction termination structures for diamond Schottky diodesEuropean Conference on Diamond Diamond-like Materials Carbon Nanotubes and Nitrides (DIAMOND 2010), Sep 2010, Budapest, Hungary |
Analysis of the C-V characteristic in SiO2/GaN MOS capacitors7th Spanish Conference on Electron Devices, Feb 2009, Santiago de Compostela, Spain. pp.254 |
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A new junction termination technique: The Deep Trench Termination (DT²)21st International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), 2009., Jun 2009, Barcelona, Spain. pp.176-179, ⟨10.1109/ISPSD.2009.5158030⟩ |
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The DT-SJMOSFET : a new power MOSFET strucure for high-voltage applications2nd International Conference on Automotive Power Electronics (APE 2007), Sep 2007, PARIS, France. 8 p |
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Étude de faisabilité d'une terminaison de jonction basée sur des tranchées profondes pour des composants haute tension (1200 V)XIIème colloque Electronique de Puissance du Futur (EPF 2008), Jul 2008, TOURS, France. 4 p |
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Réalisation et caractérisation de contacts ohmiques sur diamant CVDXIIème colloque Electronique de Puissance du Futur (EPF 2008), Jul 2008, TOURS, France. 5 p |
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Le Diamant pour l'Electronique de Puissance - Développement des Technologies AssociéesMGE 2008 4ème Colloque Matériaux du Génie Electrique, May 2008, TOULOUSE, France. 4 p |
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Le Nitrure de Gallium : un Matériau d'Avenir pour la Conception de Composants de Puissance Haute Tension et Haute TempératureMGE 2008 4ème Colloque Matériaux du Génie Electrique, May 2008, TOULOUSE, France. 4 p |
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Étude paramétrique des performances statiques du transistor DT-SJMOS 1200 VXIIème colloque Electronique de Puissance du Futur (EPF 2008), Jul 2008, TOURS, France. 4 p |
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Performances dynamiques des transistors FLYMOSTM 65 Volts à canal NElectronique de Puissance du Futur (EPF'2006), Jul 2006, GRENOBLE, France. 5 p |
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Switching Performance of 65 Volts Vertical N-Channel FLYMOSFETs8th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'06, Aug 2006, Pragues, Czech Republic. pp.117-122 |
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Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) à tranchées profondesISP3D, Oct 2006, Montpellier, France |
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Experimental validation of the "FLoating Island" concept: A 95 Volts Vertical breakdown voltage FLIDiode7th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'04), Aug 2004, Pragues, Czech Republic. pp.47-50 |
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Validation expérimentale du concept des "îlots flottants": réalisation d'une FLIdiodes verticale 95 voltsSeminario Annual de Automática, Electronica Industrial e Instrumentación Electronique de Puissance du Futur, Sep 2004, TOULOUSE, France. pp.4 PAGES |
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Study of suitable dielectric material properties for high electric field and high temperature power semiconductor environment10th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'2003), Sep 2003, Toulouse, France |
Study of 6H-SiC high voltage bipolar diodes under reverse biasesEuropean Materials Research Society (E-MRS Spring Meeting) 2001, Jun 2001, Strasbourg, France |
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A comparative study of high temperature Aluminium post-implantation annealing in 6H and 4H-SiC, non-uniformity temperature effectsICSCRM, Oct 2001, Tsukuba, Japan |
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4H-SiC bipolar power diodes realized by ion implantationCAS 2001 International Semiconductor Conference, Oct 2001, Sinaia, Romania. pp.349-352, ⟨10.1109/SMICND.2001.967481⟩ |
Bipolar silicon carbide power diodes realized by aluminum implantations and high temperature rf-annealing43rd Electronic Materials Conference (EMC 2001), Jun 2001, Notre Dame, IN, United States |
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Fabrication et caractérisation de diodes Schottky 1 kV avec protection par plaque de champ en Al2O3 /Si3N4Journée Scientifique PEPR Électronique 2025, Mar 2025, Paris, France. 2025 |
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Secondary ion mass spectrometry (SIMS) analysis of (113) PIN & NIP diamond structuresHasselt Diamond Workshop 2025 SBDD XXIX, Mar 2025, Hässelt, Belgium |
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Diode PIN verticale sur diamant (100) autosupporté à base de couches i et n dopées phosphoreSymposium de Génie Électrique SGE 2025, Jul 2025, TOULOUSE, France. 2025 |
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Reactive ion etching of 100 and 113 diamond for development of power devices34th International conference on Diamond and carbon materials (ICDCM 2024), Sep 2024, Dresde, Germany. 2024 |
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FrenchDiam: The French diamond industry for power electronicsJournée PEPR Electronique - kick off projets AAP 2023, Jul 2024, Paris (en ligne), France. 2024 |
Locally Ion Implantation and Annealing Effects in DiamondHasselt Diamond Workshop 2023 - SBDD XXVII, Mar 2023, Hässelt, Belgium |
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Locally Ion Implantation and Annealing Effects in DiamondHasselt Diamond Workshop 2023 - SBDD XXVII, Mar 2023, Hässelt, Belgium |
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Realization and characterization of vertical PIN diode on 100 diamond33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2023, Palma, Spain. , 2023 |
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Locally Ion Implantation and Annealing Effects in Diamond3rd MOMENTOM INTERNATIONAL CONGRESS, Mar 2023, Gif-sur-yvette, France. 2023 |
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Design and Fabrication of AlGaN/GaN normally-off HEMTs10th IRP NextPV International workshop, Jan 2023, Toulouse, France. 2023 |
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Conception et réalisation technologique de structures HEMTs AlGaN/GaN normally-off à grille P-GaNJEP 2022: Journées des Electroniques de Puissance, Mar 2022, Grenoble, France |
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Ohmic contacts by phosphorous ion implantation on (111) N-type CVD Diamond31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2021, ONLINE, Spain. , 2021 |
Study of Ti/Pt/Au ohmic contacts on P-type boron doped (100) diamond with linear and circular TLM structures31st International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep 2021, ONLINE, Spain. 2021 |
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Protection ESD pour MESFET SiCJournées Intégration et Systèmes de Puissance 3D (ISP3D), Mar 2015, Tours, France. 2015 |