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Karine Isoird

Maître de Conférences Université Paul Sabatier / LAAS-CNRS
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Karine ISOIRD (ORCID : 0000-0002-2878-6952) est née à Sète (France) en 1973. Son doctorat obtenu en 2001 à l'INSA-LYON, portait sur la caractérisation électrique et OBIC des composnats de puissance SiC haute température et haute tension. Depuis 2003, elle est maître de conférences (MCF) à l'Université Paul Sabatier de Toulouse (Toulouse III) et a intégré l'équipe ISGE (Intégration des Systèmes pour la Gestion de l'Energie) au sein du laboratoire LAAS, équipe dont elle est responsable depuis 2021. Elle a rejoint le LAAS sur le thème des nouvelles structures MOS en silicium. Depuis 2006, ses recherches se sont étendues et concentrées sur les dispositifs semiconducteurs à large bande interdite (GaN, SiC et diamant) et principalement sur le diamant au travers de plusieurs projets ANR DIAMOOND, MOVeToDiam et LAPIN113 et FUI DIAMONIX, DIAMONIX2 sur le développement de la filière Diamant pour les composants de puissance. Elle a coordonné le projet ANR MOVeToDiam (2017 - 2022). Ces projets nationaux ont l’avantage de fédérer tous les acteurs français de la filière technologique diamant, du matériau au packaging, en passant par le composant. Elle a participé à la supervision de plusieurs 8 thèses de doctorat dont 2 sont en cours. Elle est co-auteur de plus de 32 publications dans des revues scientifiques, 38 dans des conférences internationales et 23 dans des conférences nationales. Expert membre de l'OMNT de 2012 à 2018 (Observatoire des micro et nanotechnologies), sur le thème des matériaux à large bande interdite. Elle enseigne au sein du département EEA (Électronique, Énergie Électrique et Automatique) de la Faculté des Science et Ingénierie (FSI) de l'Université Toulouse III.3 dans les domaines suiavnts : • L’électronique numérique au niveau L1 et L3 • L’électronique au sens pratique, c’est à dire l’utilisation des appareils de mesures et la mise en œuvre des concepts pour réaliser des systèmes. Ces enseignements sont réalisés en L1, L2 et L3 • La physique des semiconducteurs et des composants, thématiques en lien avec son activité de recherche, enseignements dispensés en Master 1 et 2

Domaines de recherche

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Compétences

Simulation, Fabrication et Caractérisation de composant de puissance à semiconducteur grand gap

Publications

"henri-schneider"
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High termination efficiency using polyimide trench for high voltage diamond Schottky diode

Houssam Arbess , Karine Isoird , Moustafa Zerarka , Henri Schneider , Marie-Laure Locatelli
Diamond and Related Materials, 2015, 58, pp.149-154. ⟨10.1016/j.diamond.2015.07.006⟩
Article dans une revue hal-01218796v1
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An assessment of contact metallization for high power and high temperature diamond Schottky devices

Sodjan Koné , Henri Schneider , Karine Isoird , Fabien Thion , Jocelyn Achard
Diamond and Related Materials, 2012, vol. 27-28, pp. 23-28. ⟨10.1016/j.diamond.2012.05.007⟩
Article dans une revue hal-00881007v1

Thick boron doped diamond single crystals for high power electronics

J. Achard , F. Silva , R. Issaoui , O. Brinza , A. Tallaire
Diamond and Related Materials, 2011, 20 (2), pp.145-152. ⟨10.1016/j.diamond.2010.11.014⟩
Article dans une revue hal-02441198v1
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Diode Schottky sur diamant CVD. Simulation, réalisation technologique et étude de protection périphérique

Sojan Koné , Hui Ding , Fabien Thion , Henri Schneider , Karine Isoird
European Journal of Electrical Engineering, 2011, 14 (5), pp.553 - 567. ⟨10.3166/ejee.14.553-567⟩
Article dans une revue hal-01627761v1

Mise en place d'une filière pour la réalisation de composants de puissance en diamant

Gabriel Civrac , Henri Schneider , Hui Ding , Karine Isoird , Sodjan Koné
Revue Internationale de Génie Électrique, 2009, 12 (2), pp.237-253. ⟨10.3166/ejee.12.237-253⟩
Article dans une revue hal-03575920v1

Using a two step plasma etching process for diamond power devices

F. Thion , K. Isoird , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , Henri Schneider
International Conference on Diamond and Carbon Materials Granada, SPAIN, 2012, Granada, Spain
Communication dans un congrès hal-03966086v1
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Réalisation et caractérisation de diodes Schottky en diamant monocristallin protégées par plaque de champ sur Si3N4

Fabien Thion , Karine Isoird , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , Henri Schneider
14ème EPF, Jul 2012, Bordeaux, France. 4 p
Communication dans un congrès hal-01005917v1

Electrical characteristics (I-V) of field plate protected vertical diamond Schottky diodes

F. Thion , K. Isoird , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , Henri Schneider
International Conference on Diamond and Carbon Materials Granada, SPAIN, 2012, Granada, Spain
Communication dans un congrès hal-03966084v1
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Le Diamant pour l'Electronique de Puissance - Développement des Technologies Associées

Gabriel Civrac , Henri Schneider , Marie-Laure Locatelli , Karine Isoird , Hui Ding
MGE 2008 4ème Colloque Matériaux du Génie Electrique, May 2008, TOULOUSE, France. 4 p
Communication dans un congrès hal-01002185v1
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Réalisation et caractérisation de contacts ohmiques sur diamant CVD

de Fabian Gabriel Civrac , Henri Schneider , Hui Ding , Karine Isoird , J. Achard
XIIème colloque Electronique de Puissance du Futur (EPF 2008), Jul 2008, TOURS, France. 5 p
Communication dans un congrès hal-01002267v1