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Karine Isoird
Maître de Conférences Université Paul Sabatier / LAAS-CNRS
71%
Libre accès
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Documents
Affiliations actuelles
Identifiants chercheurs
- karine-isoird
- 0000-0002-2878-6952
- IdRef : 069501416
Présentation
Karine ISOIRD (ORCID : 0000-0002-2878-6952) est née à Sète (France) en 1973. Son doctorat obtenu en 2001 à l'INSA-LYON, portait sur la caractérisation électrique et OBIC des composnats de puissance SiC haute température et haute tension.
Depuis 2003, elle est maître de conférences (MCF) à l'Université Paul Sabatier de Toulouse (Toulouse III) et a intégré l'équipe ISGE (Intégration des Systèmes pour la Gestion de l'Energie) au sein du laboratoire LAAS, équipe dont elle est responsable depuis 2021. Elle a rejoint le LAAS sur le thème des nouvelles structures MOS en silicium. Depuis 2006, ses recherches se sont étendues et concentrées sur les dispositifs semiconducteurs à large bande interdite (GaN, SiC et diamant) et principalement sur le diamant au travers de plusieurs projets ANR DIAMOOND, MOVeToDiam et LAPIN113 et FUI DIAMONIX, DIAMONIX2 sur le développement de la filière Diamant pour les composants de puissance. Elle a coordonné le projet ANR MOVeToDiam (2017 - 2022). Ces projets nationaux ont l’avantage de fédérer tous les acteurs français de la filière technologique diamant, du matériau au packaging, en passant par le composant. Elle a participé à la supervision de plusieurs 8 thèses de doctorat dont 2 sont en cours. Elle est co-auteur de plus de 32 publications dans des revues scientifiques, 38 dans des conférences internationales et 23 dans des conférences nationales. Expert membre de l'OMNT de 2012 à 2018 (Observatoire des micro et nanotechnologies), sur le thème des matériaux à large bande interdite.
Elle enseigne au sein du département EEA (Électronique, Énergie Électrique et Automatique) de la Faculté des Science et Ingénierie (FSI) de l'Université Toulouse III.3 dans les domaines suiavnts :
• L’électronique numérique au niveau L1 et L3
• L’électronique au sens pratique, c’est à dire l’utilisation des appareils de mesures et la mise en œuvre des concepts pour réaliser des systèmes. Ces enseignements sont réalisés en L1, L2 et L3
• La physique des semiconducteurs et des composants, thématiques en lien avec son activité de recherche, enseignements dispensés en Master 1 et 2
Domaines de recherche
Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Compétences
Simulation, Fabrication et Caractérisation de composant de puissance à semiconducteur grand gap
Publications
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Study of 4H-SiC High-Voltage Bipolar Diodes under Reverse Bias Using Electrical and OBIC CharacterizationMaterials Science Forum, 2002, 389-393, pp.1289-1292. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1289⟩
Article dans une revue
hal-02151720v1
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A Comparative Study of High-Temperature Aluminum Post-Implantation Annealing in 6H- and 4H-SiC, Non-Uniform Temperature EffectsMaterials Science Forum, 2002, 389-393, pp.827-830. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.827⟩
Article dans une revue
hal-02151714v1
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Study of 6H-SiC high voltage bipolar diodes under reverse biasesApplied Surface Science, 2001, 184 (1-4), pp.477-482. ⟨10.1016/S0169-4332(01)00537-2⟩
Article dans une revue
hal-00140118v1
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Study of 6H-SiC high voltage bipolar diodes under reverse biasesEuropean Materials Research Society (E-MRS Spring Meeting) 2001, Jun 2001, Strasbourg, France
Communication dans un congrès
hal-03712596v1
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Bipolar silicon carbide power diodes realized by aluminum implantations and high temperature rf-annealing43rd Electronic Materials Conference (EMC 2001), Jun 2001, Notre Dame, IN, United States
Communication dans un congrès
hal-02275712v1
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A comparative study of high temperature Aluminium post-implantation annealing in 6H and 4H-SiC, non-uniformity temperature effectsICSCRM, Oct 2001, Tsukuba, Japan
Communication dans un congrès
hal-02476227v1
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4H-SiC bipolar power diodes realized by ion implantationCAS 2001 International Semiconductor Conference, Oct 2001, Sinaia, Romania. pp.349-352, ⟨10.1109/SMICND.2001.967481⟩
Communication dans un congrès
hal-02145397v1
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