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Karine Isoird

Maître de Conférences Université Paul Sabatier / LAAS-CNRS
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Karine ISOIRD (ORCID : 0000-0002-2878-6952) est née à Sète (France) en 1973. Son doctorat obtenu en 2001 à l'INSA-LYON, portait sur la caractérisation électrique et OBIC des composnats de puissance SiC haute température et haute tension. Depuis 2003, elle est maître de conférences (MCF) à l'Université Paul Sabatier de Toulouse (Toulouse III) et a intégré l'équipe ISGE (Intégration des Systèmes pour la Gestion de l'Energie) au sein du laboratoire LAAS, équipe dont elle est responsable depuis 2021. Elle a rejoint le LAAS sur le thème des nouvelles structures MOS en silicium. Depuis 2006, ses recherches se sont étendues et concentrées sur les dispositifs semiconducteurs à large bande interdite (GaN, SiC et diamant) et principalement sur le diamant au travers de plusieurs projets ANR DIAMOOND, MOVeToDiam et LAPIN113 et FUI DIAMONIX, DIAMONIX2 sur le développement de la filière Diamant pour les composants de puissance. Elle a coordonné le projet ANR MOVeToDiam (2017 - 2022). Ces projets nationaux ont l’avantage de fédérer tous les acteurs français de la filière technologique diamant, du matériau au packaging, en passant par le composant. Elle a participé à la supervision de plusieurs 8 thèses de doctorat dont 2 sont en cours. Elle est co-auteur de plus de 32 publications dans des revues scientifiques, 38 dans des conférences internationales et 23 dans des conférences nationales. Expert membre de l'OMNT de 2012 à 2018 (Observatoire des micro et nanotechnologies), sur le thème des matériaux à large bande interdite. Elle enseigne au sein du département EEA (Électronique, Énergie Électrique et Automatique) de la Faculté des Science et Ingénierie (FSI) de l'Université Toulouse III.3 dans les domaines suiavnts : • L’électronique numérique au niveau L1 et L3 • L’électronique au sens pratique, c’est à dire l’utilisation des appareils de mesures et la mise en œuvre des concepts pour réaliser des systèmes. Ces enseignements sont réalisés en L1, L2 et L3 • La physique des semiconducteurs et des composants, thématiques en lien avec son activité de recherche, enseignements dispensés en Master 1 et 2

Domaines de recherche

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Compétences

Simulation, Fabrication et Caractérisation de composant de puissance à semiconducteur grand gap

Publications

"marie-laure-locatelli"
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High termination efficiency using polyimide trench for high voltage diamond Schottky diode

Houssam Arbess , Karine Isoird , Moustafa Zerarka , Henri Schneider , Marie-Laure Locatelli
Diamond and Related Materials, 2015, 58, pp.149-154. ⟨10.1016/j.diamond.2015.07.006⟩
Article dans une revue hal-01218796v1
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Diode Schottky sur diamant CVD. Simulation, réalisation technologique et étude de protection périphérique

Sojan Koné , Hui Ding , Fabien Thion , Henri Schneider , Karine Isoird
European Journal of Electrical Engineering, 2011, 14 (5), pp.553 - 567. ⟨10.3166/ejee.14.553-567⟩
Article dans une revue hal-01627761v1
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Simulation and design of junction termination structures for diamond Schottky diodes

Fabien Thion , Karine Isoird , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , Hui Ding
Diamond and Related Materials, 2011, 20 (5-6), pp.729-732. ⟨10.1016/j.diamond.2011.03.011⟩
Article dans une revue hal-00661491v1
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A Comparative Study of High-Temperature Aluminum Post-Implantation Annealing in 6H- and 4H-SiC, Non-Uniform Temperature Effects

Mihai Lazar , Christophe Raynaud , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , K. Isoird
Materials Science Forum, 2002, 389-393, pp.827-830. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.827⟩
Article dans une revue hal-02151714v1
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Study of 4H-SiC High-Voltage Bipolar Diodes under Reverse Bias Using Electrical and OBIC Characterization

K. Isoird , Mihai Lazar , Marie-Laure Locatelli , Christophe Raynaud , Dominique Planson
Materials Science Forum, 2002, 389-393, pp.1289-1292. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1289⟩
Article dans une revue hal-02151720v1
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Study of 6H-SiC high voltage bipolar diodes under reverse biases

Karine Isoird , Mihai Lazar , Laurent Ottaviani , Marie-Laure Locatelli , Christophe Raynaud
Applied Surface Science, 2001, 184 (1-4), pp.477-482. ⟨10.1016/S0169-4332(01)00537-2⟩
Article dans une revue hal-00140118v1
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Study of the Breakdown Voltage of Protected or Non-Protected 6H-SiC Bipolar Diodes by OBIC Characterisation

Karine Isoird , Laurent Ottaviani , Marie-Laure Locatelli , Dominique Planson , Christophe Raynaud
Materials Science Forum, 2000, 338-342, pp.1363-1366. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.1363⟩
Article dans une revue hal-02281030v1

P-N Junction creation in 6H-SiC by aluminum implantation

Laurent Ottaviani , Marie-Laure Locatelli , Dominique Planson , Karine Isoird , Jean-Pierre Chante
Materials Science and Engineering: B, 1999, 61 (2), pp.424-428
Article dans une revue hal-00141527v1

Using a two step plasma etching process for diamond power devices

F. Thion , K. Isoird , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , Henri Schneider
International Conference on Diamond and Carbon Materials Granada, SPAIN, 2012, Granada, Spain
Communication dans un congrès hal-03966086v1

Electrical characteristics (I-V) of field plate protected vertical diamond Schottky diodes

F. Thion , K. Isoird , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , Henri Schneider
International Conference on Diamond and Carbon Materials Granada, SPAIN, 2012, Granada, Spain
Communication dans un congrès hal-03966084v1
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Réalisation et caractérisation de diodes Schottky en diamant monocristallin protégées par plaque de champ sur Si3N4

Fabien Thion , Karine Isoird , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , Henri Schneider
14ème EPF, Jul 2012, Bordeaux, France. 4 p
Communication dans un congrès hal-01005917v1
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Simulation and design of junction termination structures for diamond Schottky diodes

Fabien Thion , Karine Isoird , Dominique Planson , M-L Locatelli , H Ding
European Conference on Diamond Diamond-like Materials Carbon Nanotubes and Nitrides (DIAMOND 2010), Sep 2010, Budapest, Hungary
Communication dans un congrès hal-03656932v1
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Protection périphérique pour composants de puissance en diamant

Fabien Thion , Karine Isoird , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli
13ème EPF, Jun 2010, Saint-Nazaire, France. 4p
Communication dans un congrès hal-00618708v1
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Le Diamant pour l'Electronique de Puissance - Développement des Technologies Associées

Gabriel Civrac , Henri Schneider , Marie-Laure Locatelli , Karine Isoird , Hui Ding
MGE 2008 4ème Colloque Matériaux du Génie Electrique, May 2008, TOULOUSE, France. 4 p
Communication dans un congrès hal-01002185v1
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Study of suitable dielectric material properties for high electric field and high temperature power semiconductor environment

Marie-Laure Locatelli , Karine Isoird , Sorin Dinculescu , Vincent Bley , Thierry Lebey
10th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'2003), Sep 2003, Toulouse, France
Communication dans un congrès hal-02492270v1

Study of 6H-SiC high voltage bipolar diodes under reverse biases

Karine Isoird , Mihai Lazar , Laurent Ottaviani , Marie-Laure Locatelli , Christophe Raynaud
European Materials Research Society (E-MRS Spring Meeting) 2001, Jun 2001, Strasbourg, France
Communication dans un congrès hal-03712596v1

Bipolar silicon carbide power diodes realized by aluminum implantations and high temperature rf-annealing

Mihai Lazar , Karine Isoird , Laurent Ottaviani , Marie-Laure Locatelli , Christophe Raynaud
43rd Electronic Materials Conference (EMC 2001), Jun 2001, Notre Dame, IN, United States
Communication dans un congrès hal-02275712v1
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4H-SiC bipolar power diodes realized by ion implantation

M. Lazar , Dominique Planson , K. Isoird , Marie-Laure Locatelli , Christophe Raynaud
CAS 2001 International Semiconductor Conference, Oct 2001, Sinaia, Romania. pp.349-352, ⟨10.1109/SMICND.2001.967481⟩
Communication dans un congrès hal-02145397v1
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A comparative study of high temperature Aluminium post-implantation annealing in 6H and 4H-SiC, non-uniformity temperature effects

M. Lazar , Christophe Raynaud , Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , K. Isoird
ICSCRM, Oct 2001, Tsukuba, Japan
Communication dans un congrès hal-02476227v1