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Karine Isoird

Maître de Conférences Université Paul Sabatier / LAAS-CNRS
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Karine ISOIRD (ORCID : 0000-0002-2878-6952) est née à Sète (France) en 1973. Son doctorat obtenu en 2001 à l'INSA-LYON, portait sur la caractérisation électrique et OBIC des composnats de puissance SiC haute température et haute tension. Depuis 2003, elle est maître de conférences (MCF) à l'Université Paul Sabatier de Toulouse (Toulouse III) et a intégré l'équipe ISGE (Intégration des Systèmes pour la Gestion de l'Energie) au sein du laboratoire LAAS, équipe dont elle est responsable depuis 2021. Elle a rejoint le LAAS sur le thème des nouvelles structures MOS en silicium. Depuis 2006, ses recherches se sont étendues et concentrées sur les dispositifs semiconducteurs à large bande interdite (GaN, SiC et diamant) et principalement sur le diamant au travers de plusieurs projets ANR DIAMOOND, MOVeToDiam et LAPIN113 et FUI DIAMONIX, DIAMONIX2 sur le développement de la filière Diamant pour les composants de puissance. Elle a coordonné le projet ANR MOVeToDiam (2017 - 2022). Ces projets nationaux ont l’avantage de fédérer tous les acteurs français de la filière technologique diamant, du matériau au packaging, en passant par le composant. Elle a participé à la supervision de plusieurs 8 thèses de doctorat dont 2 sont en cours. Elle est co-auteur de plus de 32 publications dans des revues scientifiques, 38 dans des conférences internationales et 23 dans des conférences nationales. Expert membre de l'OMNT de 2012 à 2018 (Observatoire des micro et nanotechnologies), sur le thème des matériaux à large bande interdite. Elle enseigne au sein du département EEA (Électronique, Énergie Électrique et Automatique) de la Faculté des Science et Ingénierie (FSI) de l'Université Toulouse III.3 dans les domaines suiavnts : • L’électronique numérique au niveau L1 et L3 • L’électronique au sens pratique, c’est à dire l’utilisation des appareils de mesures et la mise en œuvre des concepts pour réaliser des systèmes. Ces enseignements sont réalisés en L1, L2 et L3 • La physique des semiconducteurs et des composants, thématiques en lien avec son activité de recherche, enseignements dispensés en Master 1 et 2

Domaines de recherche

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Compétences

Simulation, Fabrication et Caractérisation de composant de puissance à semiconducteur grand gap

Publications

"tanguy-phulpin"
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Robustesse de MESFET SiC face aux décharges électrostatiques

Tanguy Phulpin , David Trémouilles , Karine Isoird , Patrick Austin , M Vellvehi
SGE Symposium de Génie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France
Communication dans un congrès hal-01310299v1
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Fiabilité de MESFET SiC face aux décharges électrostatiques

Tanguy Phulpin , Karine Isoird , David Trémouilles , Patrick Austin , Javier Leon
Symposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France
Communication dans un congrès hal-01361658v1
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Analyse du mécanisme d'un défaut ESD sur un MESFET en SiC

Tanguy Phulpin , David Trémouilles , Karine Isoird , Dominique Tournier , Philippe Godignon
Journées Nationales du Réseau de Doctorants en Microélectronique, Jun 2015, Bordeaux, France
Communication dans un congrès hal-01339803v1
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An Electrostatic-Discharge-Protection Solution for Silicon-Carbide MESFET

Tanguy Phulpin , David Trémouilles , Karine Isoird , Dominique Tournier , Philippe Godignon
EOS/ESD Symposium, Sep 2015, Reno, United States
Communication dans un congrès hal-01178266v1
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Durcissement des IGBT planar contre le déclenchement de " Single-Event Burnout "

Moustafa Zerarka , Patrick Austin , Frédéric Morancho , Karine Isoird , Josiane Tasselli
Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès hal-01065194v1
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Protection ESD pour MESFET SiC

Tanguy Phulpin , Karine Isoird , David Trémouilles , Patrick Austin
Journées Intégration et Systèmes de Puissance 3D (ISP3D), Mar 2015, Tours, France. 2015
Poster de conférence hal-01339804v1