
Sébastien Vinnac
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CIRCUITS ELECTRONIQUES D’ACQUISITION DE LA TENSION DE SEUIL D’UN TRANSISTOR DE PUISSANCEFrance, N° de brevet: FR2400800. 2024
Brevet
hal-04774347
v1
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Dispositif de commande, de protection et de surveillance de d'état de santé d’un transistor de puissanceFrance, Patent n° : FR2207714 // Priorité 27/07/22. 2023
Brevet
hal-04765219
v1
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DEVICE FOR CONTROLLING, PROTECTING AND MONITORING THE STATE OF HEALTH OF A POWER TRANSISTORFrance, Patent n° : WO2023FR51145 20230724. 2022
Brevet
hal-04778732
v1
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Détecteur de court-circuit pour transistor de puissance par surveillance du courant de sa grilleFrance, N° de brevet: FR3116161. 2020
Brevet
hal-04778705
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Quasi-Flying Gate Concept Used for Short-Circuit Detection on SiC Power MOSFETs Based on a Dual-Port Gate DriverIEEE Transactions on Power Electronics, 2023, pp.1-4. ⟨10.1109/TPEL.2023.3258640⟩
Article dans une revue
hal-04039921
v1
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Commande électronique avancée d'un transistor de puissance au carbure de silicium - Protection extrême et surveillance de l'état de santé de l'oxyde de grilleLa Revue de l'électricité et de l'électronique, 2023, Vol. 4
Article dans une revue
hal-04301091
v1
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Over-voltage and cross-conduction hard switching stress on schottky gate-type p-GaN HEMT in half-bridge operation. Experimental and physical approachesMicroelectronics Reliability, 2023, 150, pp.115172. ⟨10.1016/j.microrel.2023.115172⟩
Article dans une revue
hal-04242294
v1
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Preconditioning of p-GaN power HEMT for reproducible V measurementsMicroelectronics Reliability, 2023, 144, pp.114955. ⟨10.1016/j.microrel.2023.114955⟩
Article dans une revue
hal-04049626
v1
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