
Stephanie Anceau
Présentation
Ingenieur chercheur au CEA-LETI depuis 2006, j'ai un Bac+8 comme ingénieur-docteur en materiaux et physique des semiconducteurs , j'ai 17 ans d’expérience professionnelle dans le domaine de la sécurité et des technologies de l’information et de la communication. Je m'ocupe de la gestion de projets (animation, reporting, suivi financier technique et humain, communication, Gestion des risques, du planning et remontée des points de blocage). Je participe au montage de nouveaux projets en lien avec la thématique des effacements et pertubations par rayons X. Je participe à l'etablissement de liens internes CEA sur la thématique rayons X pour l'élargissement de la portée des travaux des projets et l'identification de synergies possibles.
2014-2020 : Chef de projet R&D en sécurité des cartes à puce au sein du CESTI : Attaques et Modification des circuits par rayons X focalisés à l‘ESRF 2017 : Responsable du projet d’acquisition d’un nouveau FIB V400 (1 Million euros) au CESTI pour les attaques en face arrière et les attaques à l‘ESRF 2009-2016 : Evaluations sécuritaires selon différents schémas (Critères Communs, EMV) sur des produits de type circuits intégrés, cartes à puce applicatives (Recherche de chemins d’attaques, Caractérisation des composants, Préparation et attaques intrusives sur les composants sécurisés, Réalisation des tests par modification de circuits au FIB et en perturbations de signaux (tâche AVA-VAN pour évaluation sécuritaire) 2006-2009 : Equipe de recherche et développement sur la sécurité des cartes à puce : Préparation des composants sur le projet MARITE, Analyse et test de pénétration des boitiers des circuits intégrés, Etude relative à l’analyse de vulnérabilité des capteurs biométriques.
16 articles dans des conférences internationales (le travail d’évaluation dans le domaine de la cyber sécurité ne permet pas de publier la majeur partie des travaux effectués dans des revues scientifiques à cause des problèmes de confidentialité). Tout cela donne un indice H d'environ 7.
Domaines de recherche
Compétences
Publications
Publications
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Nanofocused X-ray beam to reprogram secure circuitsLecture Notes in Computer Science, 2017, Cryptographic Hardware and Embedded Systems - CHES 2017, 10529, pp.175-188. ⟨10.1007/978-3-319-66787-4_9⟩
Article dans une revue
cea-03986080
v1
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Determination of built-in electric fields in quaternary InAlGaN heterostructures.Applied Physics Letters, 2003, 82 (10), pp.1541. ⟨10.1063/1.1559948⟩
Article dans une revue
hal-01303282
v1
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Time-resolved spectroscopy of (Al,Ga,In)N based quantum wells: Localization effects and effective reduction of internal electric fields.Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2002, 66 (19), pp.195330. ⟨10.1103/PhysRevB.66.195330⟩
Article dans une revue
hal-01303261
v1
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X ray nanoprobe for fault attacks and circuit edits on 28-nm integrated circuitsDFT 2023 - 2023 IEEE International Symposium on Defect and Fault Tolerance in VLSI and Nanotechnology Systems, IEEE, Oct 2023, Juan-Les-Pins, France. pp.1-6, ⟨10.1109/DFT59622.2023.10313553⟩
Communication dans un congrès
cea-04371893
v1
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Laboratory X-rays Operando Single Bit Attacks on Flash Memory CellsInternational Conference on Smart Card Research and Advanced Applications, Nov 2021, Lübeck, Germany. pp.139-150, ⟨10.1007/978-3-030-97348-3_8⟩
Communication dans un congrès
cea-04649368
v1
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Backside Shield against Physical Attacks for Secure ICs.Device Packaging Conference Presentations, Oct 2017, Raleigh NC, United States. pp.1-15, ⟨10.4071/2017DPC-WP1_Presentation2⟩
Communication dans un congrès
hal-04649569
v1
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Electrical Modeling of the Effect of Photoelectric Laser Fault Injection on Bulk CMOS DesignISTFA 2013, Nov 2013, Califonia, United States. pp.361-368, ⟨10.31399/asm.cp.istfa2013p0361⟩
Communication dans un congrès
cea-04649398
v1
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Optical properties of ZnO nanorods and nanowiresE-MRS Spring Meeting, May 2005, Strasbourg, France. pp.358, ⟨10.1016/j.spmi.2005.08.079⟩
Communication dans un congrès
istex
hal-00389990
v1
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Enhancement of localization and confinement effects in quaternary group-III nitride multi-quantum wells on SiC substrateEXMATEC'04 - 7th Int. Conf. on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies., Jun 2004, Montpellier, France. pp.642, ⟨10.1002/pssa.200460455⟩
Communication dans un congrès
istex
hal-01310242
v1
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Surprisingly low built-in electric fields in quaternary InAlGaN heterostructures.1st E-MRS Fall Meeting ., European Materials Research Society, Sep 2003, Varsovie, Poland. pp.190-194, ⟨10.1002/pssa.200303980⟩
Communication dans un congrès
istex
hal-01312293
v1
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Small Built-in Electric Fields in Quaternary InAlGaN HeterostructuresInternational Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002), Jul 2002, Aix-la-Chapelle, Germany. pp.764-768, ⟨10.1002/1521-3951(200212)234:3<764::AID-PSSB764>3.0.CO;2-0⟩
Communication dans un congrès
istex
hal-01319469
v1
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Amélioration de l’efficacité radiative dans les puits quantiques à base d’(Al,Ga,In)N pour les composants optoélectroniquesJournées du GDR "Semiconducteurs à Grands Gaps"., May 2004, Fréjus, France
Poster de conférence
hal-01312280
v1
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Evolution of internal electric fields with the wel thickness of quaternary InAlGaN quantum wellsJoint 19th AIRAPT - 41th EHPRG Int. Conf. on High Pressure Science and Technology , Jul 2003, Bordeaux, France
Poster de conférence
hal-01312667
v1
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Small internal electric fields in quaternary InGaAlN heterostructuresMichael Shur; Arturas Zukauskas. NATO Advanced Research Workshop on UV Solid State Light Emitters and Detectors., Jun 2003, Vilnius, Lithuania. Kluwer Academic Publisher, Dordrecht, Pays-Bas.; lOS Press, Amsterdam, Pays-Bas.; NATO Scientific Affairs Division., 144, pp.215-222, UV Solid-State Light Emitters and Detectors. NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry. ⟨10.1007/978-1-4020-2103-9⟩
Poster de conférence
hal-01312494
v1
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Internal electric fields in quaternary InAlGaN heterostructures5th International Conference on Nitride Semiconductors - ICNS 5., May 2003, Nara, Japan.
Poster de conférence
hal-01312665
v1
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