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Bilal BEYDOUN

Professeur - Enseignant/chercheur -Responsable des recherches : fiabilités des systèmes électroniques
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Documents

Présentation

Domaines de recherche

Systèmes embarqués Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Compétences

 Expert en Micro et Nano électronique (Conception, simulation et test de fiabilités)  Professeur des universités en électronique  Expert et Coordinateur des programmes internationaux de formation et de collaboration scientifique

Publications

Localized buried P-doped region for E-mode GaN MISHEMTs

Saleem Hamady , Frédéric Morancho , Bilal Beydoun
Journal of Computational Electronics, 2022, 22, pp.190-198. ⟨10.1007/s10825-022-01990-x⟩
Article dans une revue hal-04014012v1
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Enhancement mode HEMT using fluorine implantation below the channel

Saleem Hamady , Frédéric Morancho , Bilal Beydoun , Patrick Austin , Mathieu Gavelle
European Physical Journal: Applied Physics, 2015, 70 (3), pp.30102. ⟨10.1051/epjap/2015150062⟩
Article dans une revue hal-01955606v1

Robust Timing Synchronization Preamble for MIMO-OFDM Systems Using Mapped CAZAC Sequences

Ali Rachini , Fabienne Nouvel , Bilal Beydoun
International Journal On Advances in Networks and Services, 2015, 2015 vol 8 nr 1&2, 8 (1&2), pp.12-22
Article dans une revue hal-01153222v1

A Novel Timing Synchronization Method for MIMO-OFDM Systems

Ali Rachini , Bilal Beydoun
International Journal On Advances in Telecommunications, 2014, 7 (1&2), pp.22-33
Article dans une revue hal-01151655v1
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Méthodologie d'approche pour la conception des transistors VDMOS de puissance

B. Beydoun , Henri Tranduc , F. Oms , A. Peyre Lavigne , P. Rossel
Journal de Physique III, 1994, 4 (10), pp.1939-1955. ⟨10.1051/jp3:1994249⟩
Article dans une revue jpa-00249234v1
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Evaluation des performances du transistor MOS de puissance sur carbure de silicium. Compromis résistance passante, tenue en tension et vitesse de commutation

B. Beydoun , P. Rossel , Henri Tranduc , G. Charitat
Journal de Physique III, 1994, 4 (8), pp.1383-1396. ⟨10.1051/jp3:1994207⟩
Article dans une revue jpa-00249191v1

A solution for channel electron migration in normally-off MIS-HEMT with buried fluorine ions

Frédéric Morancho , Saleem Hamady , Bilal Beydoun
29th International Conference on Microelectronics (ICM 2017), Dec 2017, Beirut, Lebanon. ⟨10.1109/ICM.2017.8268868⟩
Communication dans un congrès hal-01710524v1
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Scalable normally-off MIS-HEMT using Fluorine implantation below the channel

Saleem Hamady , Frédéric Morancho , Bilal Beydoun , Patrick Austin , Mathieu Gavelle
SPEEDAM 2014, Jun 2014, Ischia, Italy
Communication dans un congrès hal-01054228v1
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Normally-Off AlGaN/GaN HEMT using fluorine implantation below the channel

Saleem Hamady , Frédéric Morancho , Bilal Beydoun , Patrick Austin , Mathieu Gavelle
Symposium en Génie Electrique 2014 (SGE 2014), Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès hal-01955720v1
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Hybrid normally-off AlGaN/GaN HEMT using GIT technique with a p-region below the channel

Saleem Hamady , Frédéric Morancho , Bilal Beydoun , Patrick Austin , Mathieu Gavelle
CSW 2014, May 2014, Montpellier, France
Communication dans un congrès hal-01054235v1
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P-doped region below the AlGaN/GaN interface for normally-off HEMT

Saleem Hamady , Frédéric Morancho , Bilal Beydoun , Patrick Austin , Mathieu Gavelle
16th Conference on Power Electronics and Applications, EPE’14-ECCE Europe, Aug 2014, Lappeenranta, Finland. pp.1 - 8, ⟨10.1109/EPE.2014.6910769⟩
Communication dans un congrès hal-01108922v1
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HEMT with fluorine implanted below the AlGaN/GaN interface for normally-off operation

Saleem Hamady , Frédéric Morancho , Bilal Beydoun , Patrick Austin , Mathieu Gavelle
20th LAAS International Science Conference Advanced Research for Better Tomorrow, Mar 2014, Hadath, Lebanon
Communication dans un congrès hal-00994826v1
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Un interrupteur GaN HEMT normally-off grâce à des ions fluor implantés sous l'interface AlGaN/GaN

Saleem Hamady , Frédéric Morancho , Bilal Beydoun , Patrick Austin , Mathieu Gavelle
Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès hal-01065392v1
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New concepts for normally-off power Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT)

Saleem Hamady
Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Universite Toulouse III Paul Sabatier, 2014. English. ⟨NNT : ⟩
Thèse tel-01132563v1