Bilal BEYDOUN

Professeur - Enseignant/chercheur Responsable des recherches : fiabilités des systèmes électroniques
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Documents

Présentation

Domaines de recherche

Systèmes embarqués Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Compétences

 Expert en Micro et Nano électronique (Conception, simulation et test de fiabilités)  Professeur des universités en électronique  Expert et Coordinateur des programmes internationaux de formation et de collaboration scientifique

Publications

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Publications

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TCAD-Based Analysis on the Impact of AlN Interlayer in Normally-off AlGaN/GaN MISHEMTs with Buried p-Region

Saleem Hamady , Bilal Beydoun , Frédéric Morancho
Electronics, 2025, 14 (2), pp.313. ⟨10.3390/electronics14020313⟩
Article dans une revue hal-04887718 v1

Localized buried P-doped region for E-mode GaN MISHEMTs

Saleem Hamady , Frédéric Morancho , Bilal Beydoun
Journal of Computational Electronics, 2022, 22, pp.190-198. ⟨10.1007/s10825-022-01990-x⟩
Article dans une revue hal-04014012 v1

A solution for channel electron migration in normally-off MIS-HEMT with buried fluorine ions

Saleem Hamady , Bilal Beydoun , Frederic Morancho
ICM '11 International Conference on Microelectronics, 2017, pp.1-4. ⟨10.1109/ICM.2017.8268868⟩
Article dans une revue hal-04106678 v1

Robust Timing Synchronization Preamble for MIMO-OFDM Systems Using Mapped CAZAC Sequences

Ali Rachini , Fabienne Nouvel , Bilal Beydoun
International Journal On Advances in Networks and Services, 2015, 2015 vol 8 nr 1&2, 8 (1&2), pp.12-22
Article dans une revue hal-01153222 v1
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Enhancement mode HEMT using fluorine implantation below the channel

Saleem Hamady , Frédéric Morancho , Bilal Beydoun , Patrick Austin , Mathieu Gavelle
European Physical Journal: Applied Physics, 2015, 70 (3), pp.30102. ⟨10.1051/epjap/2015150062⟩
Article dans une revue istex hal-01955606 v1

A Novel Timing Synchronization Method for MIMO-OFDM Systems

Ali Rachini , Bilal Beydoun
International Journal On Advances in Telecommunications, 2014, 7 (1&2), pp.22-33
Article dans une revue hal-01151655 v1

A new concept of enhanced-mode GaN HEMT using fluorine implantation in the GaN layer

Saleem Hamady , Frederic Morancho , Bilal Beydoun , Patrick Austin , Mathieu Gavelle
European conference on Power electronics and applications, 2013, pp.1-6. ⟨10.1109/EPE.2013.6631904⟩
Article dans une revue hal-04106650 v1

Characterization and simulation of SiGe HBT degradation induced by electromagnetic field stress

A. Alaeddine , M. Kadi , K. Daoud , B. Beydoun , D. Blavette
IEEE international symposium on the physical and failure analysis of integrated circuits, 2010, pp.751-755. ⟨10.1109/IPFA.2009.5232729⟩
Article dans une revue hal-04106715 v1

Characteristics degradation of the SiGe HBT under electromagnetic field stress

A. Alaeddine , M. Kadi , K. Daoud , B. Beydoun
Microelectronics Reliability, 2010, 50 (12), pp.1961-1966. ⟨10.1016/j.microrel.2010.07.002⟩
Article dans une revue istex hal-04106699 v1

Bias temperature instability from gate charge characteristics investigations in N-Channel Power MOSFET

M. Alwan , B. Beydoun , K. Ketata , M. Zoaeter
Microelectronics Journal, 2007, 38 (6-7), pp.727-734. ⟨10.1016/j.mejo.2007.04.015⟩
Article dans une revue istex hal-04106696 v1

Bias temperature instability from gate charge characteristics investigations in N-Channel Power MOSFET

M. Alwan , B. Beydoun , K. Ketata , M. Zoaeter
Microelectronics Journal, 2007, 38 (6-7), pp.727-734. ⟨10.1016/j.mejo.2007.04.015⟩
Article dans une revue istex hal-04106633 v1

Gate charge behaviors in N-channel power VDMOSFETs during HEF and PBT stresses

M. Alwan , B. Beydoun , K. Ketata , M. Zoaeter
Microelectronics Reliability, 2007, 47 (9-11), pp.1406-1410. ⟨10.1016/j.microrel.2007.07.096⟩
Article dans une revue istex hal-04106734 v1

Analysis and Simulation of Functional Stress Degradation on VDOMS Power Transistors

M. Zoaeter , B. Beydoun , M. Hajjar , M. Debs , J-P Charles
Active and Passive Electronic Components, 2002, 25 (3), pp.215-223. ⟨10.1080/08827510213500⟩
Article dans une revue hal-04106688 v1
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Evaluation des performances du transistor MOS de puissance sur carbure de silicium. Compromis résistance passante, tenue en tension et vitesse de commutation

B. Beydoun , P. Rossel , Henri Tranduc , G. Charitat
Journal de Physique III, 1994, 4 (8), pp.1383-1396. ⟨10.1051/jp3:1994207⟩
Article dans une revue istex jpa-00249191 v1
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Méthodologie d'approche pour la conception des transistors VDMOS de puissance

B. Beydoun , Henri Tranduc , F. Oms , A. Peyre Lavigne , P. Rossel
Journal de Physique III, 1994, 4 (10), pp.1939-1955. ⟨10.1051/jp3:1994249⟩
Article dans une revue istex jpa-00249234 v1

A solution for channel electron migration in normally-off MIS-HEMT with buried fluorine ions

Frédéric Morancho , Saleem Hamady , Bilal Beydoun
29th International Conference on Microelectronics (ICM 2017), Dec 2017, Beirut, Lebanon. ⟨10.1109/ICM.2017.8268868⟩
Communication dans un congrès hal-01710524 v1
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Hybrid normally-off AlGaN/GaN HEMT using GIT technique with a p-region below the channel

Saleem Hamady , Frédéric Morancho , Bilal Beydoun , Patrick Austin , Mathieu Gavelle
CSW 2014, May 2014, Montpellier, France
Communication dans un congrès hal-01054235 v1
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HEMT with fluorine implanted below the AlGaN/GaN interface for normally-off operation

Saleem Hamady , Frédéric Morancho , Bilal Beydoun , Patrick Austin , Mathieu Gavelle
20th LAAS International Science Conference Advanced Research for Better Tomorrow, Mar 2014, Hadath, Lebanon
Communication dans un congrès hal-00994826 v1
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P-doped region below the AlGaN/GaN interface for normally-off HEMT

Saleem Hamady , Frédéric Morancho , Bilal Beydoun , Patrick Austin , Mathieu Gavelle
16th Conference on Power Electronics and Applications, EPE’14-ECCE Europe, Aug 2014, Lappeenranta, Finland. pp.1 - 8, ⟨10.1109/EPE.2014.6910769⟩
Communication dans un congrès hal-01108922 v1
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Normally-Off AlGaN/GaN HEMT using fluorine implantation below the channel

Saleem Hamady , Frédéric Morancho , Bilal Beydoun , Patrick Austin , Mathieu Gavelle
Symposium en Génie Electrique 2014 (SGE 2014), Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès hal-01955720 v1
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Un interrupteur GaN HEMT normally-off grâce à des ions fluor implantés sous l'interface AlGaN/GaN

Saleem Hamady , Frédéric Morancho , Bilal Beydoun , Patrick Austin , Mathieu Gavelle
Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès hal-01065392 v1
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Scalable normally-off MIS-HEMT using Fluorine implantation below the channel

Saleem Hamady , Frédéric Morancho , Bilal Beydoun , Patrick Austin , Mathieu Gavelle
SPEEDAM 2014, Jun 2014, Ischia, Italy
Communication dans un congrès hal-01054228 v1
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New concepts for normally-off power Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT)

Saleem Hamady
Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Universite Toulouse III Paul Sabatier, 2014. English. ⟨NNT : ⟩
Thèse tel-01132563 v1
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Caractérisation et Simulation des Transistors MOS sous Stress Electrique et Thermique

B. Beydoun
Sciences de l'ingénieur [physics]. Université Paul Sabatier (Toulouse 3), 2007
HDR tel-04620434 v1