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Bilal BEYDOUN
Professeur - Enseignant/chercheur
-Responsable des recherches : fiabilités des systèmes électroniques
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Documents
Présentation
Domaines de recherche
Systèmes embarqués
Sciences de l'ingénieur [physics]
Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Compétences
Expert en Micro et Nano électronique (Conception, simulation et test de fiabilités)
Professeur des universités en électronique
Expert et Coordinateur des programmes internationaux de formation et de collaboration scientifique
Publications
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A solution for channel electron migration in normally-off MIS-HEMT with buried fluorine ions29th International Conference on Microelectronics (ICM 2017), Dec 2017, Beirut, Lebanon. ⟨10.1109/ICM.2017.8268868⟩
Communication dans un congrès
hal-01710524v1
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Scalable normally-off MIS-HEMT using Fluorine implantation below the channelSPEEDAM 2014, Jun 2014, Ischia, Italy
Communication dans un congrès
hal-01054228v1
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Normally-Off AlGaN/GaN HEMT using fluorine implantation below the channelSymposium en Génie Electrique 2014 (SGE 2014), Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès
hal-01955720v1
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Hybrid normally-off AlGaN/GaN HEMT using GIT technique with a p-region below the channelCSW 2014, May 2014, Montpellier, France
Communication dans un congrès
hal-01054235v1
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P-doped region below the AlGaN/GaN interface for normally-off HEMT16th Conference on Power Electronics and Applications, EPE’14-ECCE Europe, Aug 2014, Lappeenranta, Finland. pp.1 - 8, ⟨10.1109/EPE.2014.6910769⟩
Communication dans un congrès
hal-01108922v1
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HEMT with fluorine implanted below the AlGaN/GaN interface for normally-off operation20th LAAS International Science Conference Advanced Research for Better Tomorrow, Mar 2014, Hadath, Lebanon
Communication dans un congrès
hal-00994826v1
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Un interrupteur GaN HEMT normally-off grâce à des ions fluor implantés sous l'interface AlGaN/GaNSymposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès
hal-01065392v1
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New concepts for normally-off power Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT)Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Universite Toulouse III Paul Sabatier, 2014. English. ⟨NNT : ⟩
Thèse
tel-01132563v1
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