
Geoffrey Avit
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Publications
Publications
The HVPE technique for the growth of III-As and III-N micro and nanostructuresJournées croissance cristalline Renatech, Nov 2024, Toulouse, France
Communication dans un congrès
hal-04903858
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III-As and III-N nanowires grown by hydride vapor phase epitaxyJournées nationales du réseau CRISTECH, Oct 2024, Angers, France
Communication dans un congrès
hal-04903865
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Selective area growth of well-ordered (In,Ga)N nanowires grown by HVPEGdR MATEPI, Jul 2023, Paris, France
Communication dans un congrès
hal-04903846
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Croissance sélective de GaN par épitaxie en phase vapeur par la méthode aux hydrures (HVPE)Session plénière GDR PULSE, Oct 2017, Paris, France
Communication dans un congrès
hal-01659756
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Homogeneous and high-quality InGaN nanowires with different indium compositionsJournées nationales des nanofils, Nov 2017, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-01659721
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Highlights of the HVPE for the frowth of GaN and InGaN nanowires15th Akasaki Research Center Symposium, Nov 2017, Nagoya, Japan
Communication dans un congrès
hal-01659801
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Vapor Phase Epitaxy growth of III-V nanostructures for high performance devices8th International Conference and Exhibition on LASERS, OPTICS & PHOTONICS, Nov 2017, Las Vegas, United States
Communication dans un congrès
hal-01659747
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Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) growth of III-V and III-Nitrides nanowires on siliconEnergy Materials Nanotechnology EMN Epitaxy, EMN Europe Meetings, Sep 2017, Barcelone, Spain
Communication dans un congrès
hal-01658883
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III-nitride-based photovoltaic applications on silicon: Comparison between axial and coreshell InGaN nanowire devicesICNS 12 - 12th International Conference on Nitride Semiconductors, Jul 2017, Strasbourg, France
Communication dans un congrès
hal-01659491
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Defect-free InGaN nanowires on silicon whatever the indium compositionRÉUNION PLÉNIÈRE DU GDR PULSE 2017, Oct 2017, Paris, France
Poster de conférence
hal-01659715
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Defect-free InGaN nanowires on silicon whatever the indium compositionICNS 12 - 12th International Conference on Nitride Semiconductors, Jul 2017, Strasbourg, France
Poster de conférence
hal-01659728
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Micro- et nanofils de Ga (In)N et GaAs par épitaxie en phase vapeur par la méthode aux hydrures (HVPE)Autre [cond-mat.other]. Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand II, 2014. Français. ⟨NNT : 2014CLF22530⟩
Thèse
tel-01166333
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