Jean-Daniel Arnould
Publications
Publications
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Error Term Analysis in 16-Term Calibration: Enhancing SiGe HBT S-Parameter Accuracy up to 330 GHz2025 20th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Sep 2025, Utrecht, Netherlands. pp.242-245, ⟨10.23919/EuMIC65284.2025.11234505⟩ |
Design Methodology for Wideband Class-E Sequential Load Modulated Balanced Amplifiernewcas, Jun 2025, Paris, France. pp.401-404, ⟨10.1109/NewCAS64648.2025.11106994⟩ |
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Sonde haute fréquence avec couplage réduit pour la mesure on-waferXXIIIèmes Journées Nationales Microondes, Jun 2024, Antibes Juan-Les-Pins, France |
Comparaison des Modèles de Calibrage pour l'Extraction Précise des Performances RF d'un Transistor HBT SiGe en haute fréquence1ères Journées techniques du Radio Frequency Test Facility Network : Workshop Calibrage, P. Besnier, Nov 2024, Lille, France |
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Die-to-Wafer Hybrid Bonding Impact at MM-Wave FrequenciesInternational 3D Systems Integration Conference (3DIC 2024), Sep 2024, Sendai, Japan. ⟨10.1109/3DIC63395.2024.10830066⟩ |
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Extension of Quasi-Load Insensitive Class-E Doherty Operation with Complex Load Trajectories19th Conference on Ph.D Research in Microelectronics and Electronics (PRIME 2024), Jun 2024, Larnaca, Cyprus. ⟨10.1109/PRIME61930.2024.10559702⟩ |
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Mesures de Guides SIW dans un Empilement Microélectronique 3D dans la Bande Millimétrique DJournées Nationales Microondes (JNM 2024), Jun 2024, Antibes Juan-Les-Pins, France |
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Diviseur de puissance 1 vers 4 compact basé sur des lignes couplées en technologie BiCMOS à 28 GHzJournées Nationales Microondes (JNM 2024), Jun 2024, Antibes Juan-Les-Pins, France |
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WM-02 Mechanical Investigations for High Frequency Probe Design2024 European Microwave Week: Workshop: On-wafer measurements and material characterisation for communications and quantum applications, Xiaobang Shang, Nick Ridler, Sep 2024, Paris, France |
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Transformateur d'impédance basé sur des lignes couplées en technologie alumine nanoporeuse 3DJournées Nationales Microondes (JNM 2024), Jun 2024, Antibes Juan-Les-Pins, France |
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Substrate Integrated Waveguide in 3D Integrated Technology for D-Band Applications19th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC 2024), Sep 2024, Paris, France. ⟨10.23919/EuMIC61603.2024.10732684⟩ |
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Réseaux d'adaptation utilisant des lignes couplées en technologie CMOS en bande millimétriqueJournées Nationales Microondes (JNM 2024), Jun 2024, Antibes Juan-Les-Pins, France |
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Integrated test circuit for off-state dynamic drain stress evaluationIRPS 2023 - IEEE International Reliability Physics Symposium, Mar 2023, Monterey, United States. pp.10.1109/IRPS48203.2023.10117885, ⟨10.1109/IRPS48203.2023.10117885⟩ |
What causes the fluctuations in fmax with respect to frequency?35th BipAK 2023 (Bipolar Arbeit Kreis ), Nov 2023, Corbeil-Essonnes, France |
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Switched-Mode Power Supply Impact on a Bluetooth Low Energy Receiver Inside a Microcontroller53rd European Microwave Conference (EuMC 2023), Sep 2023, Berlin, Germany. ⟨10.23919/EuMC58039.2023.10290583⟩ |
Méthode de conception d’amplificateurs distribués millimétriques basée sur la matrice chaîne (ABCD) 4 ports22èmes Journées Nationales Microondes, Jun 2022, Limoges, France |
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Analysis of input receiver transistors behavior during a CDM event44th Annual EOS/ESD Symposium (EOS/ESD 2022), Sep 2022, Reno, United States. ⟨10.23919/EOS/ESD54763.2022.9928471⟩ |
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Comprehensive Analysis of RF Hot-Carrier Reliability Sensitivity and Design Explorations for 28GHz Power Amplifier ApplicationsIEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022), IEEE, Mar 2022, Dallas, United States. pp.4B.2-1-4B.2-6, ⟨10.1109/IRPS48227.2022.9764535⟩ |
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Intégration d’une alimentation à découpage et d’un émetteur-récepteur Bluetooth Low Energy dans un même système sur puceJournées Nationales Microondes (JNM 2022), Jun 2022, Limoges, France |
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Integrated Wideband Millimeter-Wave Bias-Tee – Application to Distributed Amplifier Biasing19th IEEE International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS 2021), Jun 2021, Toulon, France. pp.1-4, ⟨10.1109/NEWCAS50681.2021.9462766⟩ |
Estimation of Oxide Breakdown Voltage During a CDM Event Using Very Fast Transmission Line Pulse and Transmission Line Pulse MeasurementsIEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2021), Mar 2021, Monterey, CA, United States. ⟨10.1109/IRPS46558.2021.9405110⟩ |
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Study of Inter-Power Domain Failures during a CDM EventIEEE 42nd EOS/ESD symposium (ESDA 2020), Sep 2020, Virginia St, Reno, United States |
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A fully-integrated high-isolation transfer switch for G-band in-situ reflectometer applicationsIEEE MTT-S International Conference on Microwaves for Intelligent Mobility, ICMIM 2020, Nov 2020, Linz, Austria. 4 p., ⟨10.1109/ICMIM48759.2020.9299098⟩ |
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A 3.2–3.6GHz SOI-LDMOS Dual-Input Doherty Power AmplifierIEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S 2019), Oct 2019, San Jose (CA), United States. ⟨10.1109/S3S46989.2019.9320747⟩ |
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A fully <i>in-situ</i> reflectometer in G band in 55 nm SiGe BiCMOSINMMIC 2018 - International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits, Jul 2018, Brive La Gaillarde, France. pp.1-3, ⟨10.1109/INMMIC.2018.8430015⟩ |
Output matching network design for broadband class B/J power amplifier2017 13th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), Jun 2017, Giardini Naxos - Taormina, Italy. pp.41-44 |
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Système de mesure intégré millimétrique en bande G :140-220GHzGDR ONDES, Mar 2017, Grenoble, France |
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Thru-load de-embedding method for millimeter wave transmission lines2017 USNC-URSI Radio Science Meeting (Joint with AP-S Symposium), Jul 2017, San Diego, United States. pp.87-88 |
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Réseau d'adaptation pour amplificateur de puissance large bande en classe B/J continueGDR ONDES, Mar 2017, Grenoble, France |
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A G band frequency quadrupler in 55 nm BiCMOS for bist applications2017 Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits Workshop (INMMiC), Apr 2017, Graz, Austria. pp.1-4, ⟨10.1109/INMMIC.2017.7927310⟩ |
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A G band +2 dBm balanced frequency doubler in 55 nm SiGe BiCMOS2017 IEEE 17th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF), Jan 2017, Phoenix, AZ, United States. pp.60-63, ⟨10.1109/SIRF.2017.7874371⟩ |
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Premier Système de Mesure Petit Signaux Deux Ports Complètement Intégré en Bande GJournées Nationales Micro-ondes, May 2017, Saint Malo, France |
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Contributions to dedicated gate driver circuitry for very high switching speed high temperature power devicesPower Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2016 28th International Symposium on, Jun 2016, Prague, Czech Republic |
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Contributions aux circuits de commande gate driver dédiés à la haute température et aux très fortes vitesses de commutationSymposium de Génie Electrique (SGE'16), Jun 2016, Grenoble, France |
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Contributions aux circuits de « gate-driver » dédiés aux transistors de puissance à forte vitesse de commutation dans un environnement haute temperatureSymposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France |
A 130-nm SOI CMOS reconfigurable multimode multiband power amplifier for 2G/3G/4G handset applications2016 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), May 2016, San Francisco, United States. pp.254-257 |
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Conception d'un doubleur de fréquence +4 dBm en technologie BiCMOS 55 nm en bande WJournées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique, May 2016, Toulouse, France |
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Conception d'un quadrupleur de fréquence en technologie BiCMOS 55 nm en bande GGDR ONDES, Oct 2015, Lyon, France |
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Un Amplificateur de Puissance Multimode Multibande reconfigurable en technologie CMOS SOI19èmes Journées Nationales Micro-ondes, Jun 2015, Bordeaux, France |
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A SOI CMOS reconfigurable output matching network for multimode multiband power amplifiers2015 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS2015), May 2015, Phoenix, United States. pp.1-4 |
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Un réseau d'adaptation reconfigurable en technologie CMOS SOI pour amplificateur de puissance multimode multi-bandes19èmes Journées Nationales Micro-ondes, Jun 2015, Bordeaux, France |
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Integrated gate driver circuits with an ultra-compact design and high level of galvanic isolation for power transistorsInternational Conference on Integrated Power Electronics Systems (CIPS 2014), Feb 2014, Nuremberg, Germany. ISBN 978-3-8007-3578-5, pp 348-353 |
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Half-Thru de-embedding method for millimeter-wave and sub-millimeter-wave integrated circuits2014 10th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), Jun 2014, Grenoble, France. pp.1-4 |
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Modeling and characterization of 0.35 μm CMOS coreless transformer for gate driversISPSD 2014, Apr 2014, Hawai, United States |
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Comparison of De-embedding Methods for Long Millimeter and Sub-Millimeter-Wave Integrated CircuitsJCMM 2014, 13èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, Nantes, 24-26 Mars 2014, Mar 2014, Nantes, France. pp.id 31 |
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Transfert isolé des signaux de commande dans le contexte de l'intégration pour les composants actifs d'électronique de puissanceSymposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France |
Amplificateur de puissance à réseau de charge accordable en technologie SOI CMOS pour station de base Femtocell 4G18èmes journées nationales micro-ondes, May 2013, Paris, France. pp.JNM'13 |
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General Expression for Tunable Matching Network Efficiency in the case of complex impedancesInternational Microwave and Optical Conference, IMOC 2013, Aug 2013, Rio de Janeiro, Brazil. pp.1-4 |
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A 2.14GHz Watt-level Power Amplifier with Passive Load Modulation in a SOI CMOS technologyEuropean Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC), Sep 2013, Bucarest, Romania. pp.1-4 |
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Rendement des réseaux d'adaptation d'impédances accordables18èmes journées nationales micro-ondes, May 2013, Paris, France. pp.JNM'13 |
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Conception d'un Réseau d'Adaptation Accordable en technologie CMOS SOI 130 nm pour amplificateur de puissance linéaire18èmes journées nationales micro-ondes, May 2013, Paris, France. pp.JNM'13 |
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Méthode de synthèse et conception de réseaux d'adaptation accordables et performants pour des applications à 2,4 GHzJNM'11, May 2011, Brest, France |
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Silicon High Frequency Test Structures Improvement for Millimeter Wave Varactors Characterization Optimization and ModelingIEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Apr 2011, Amsterdam, Netherlands |
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Silicon high frequency test structures improvement for millimeter wave varactors characterization, optimization and modeling24th IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, ICMTS 2011, 2011, Amsterdam, Netherlands. pp.101-104, ⟨10.1109/ICMTS.2011.5976868⟩ |
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Modeling a SCR-based protection structure for RF-ESD co-design simulationsIEEE International Microwave Theory and Techniques Symposium, MTT-S 2011, Jun 2011, Baltimore, United States |
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Design and characterization of a signal insulation coreless transformer integrated in a CMOS gate driver chipDesign and characterization of a signal insulation coreless transformer integrated in a CMOS gate driver chip, May 2011, San Diego, United States. pp.360-363 |
Design and characterization of an integrated coreless transformer onto a CMOS gate driver for gate signal insulation purposesIEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), May 2011, San Diego, United States |
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Modeling a SCR-based protection structure for RF-ESD co-design simulationsMTT-S 2011, Jun 2011, Baltimore, United States |
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Theoretical Analysis and Design of Efficient Tunable Matching NetworksInternational Microwave and Optical Conference, IMOC 2011, Natal, Oct 2011, Natal, Brazil |
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Scalable Modeling Studies on the SCR ESD Protection DeviceProc. of the 33th EOS/ESD 2011 Symposium, Sep 2011, Anaheim, United States |
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Modélisation à Haute Fréquence de Dispositifs de Protection Contre la Décharge ElectrostatiqueJNM'11, May 2011, Brest, France |
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A Novel Physical Model for the SCR ESD protection deviceProc. of the 32th EOS/ESD 2010 Symposium, Oct 2010, Reno, United States |
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Filtre ULB basé sur des structures périodiques sinusoïdales11ème Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux JCMM'10, Mar 2010, Brest, France |
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Spurious Supression Semi-lumped UWB Bandpass Filter"Spurious Supression Semi-lumped UWB Bandpass Filter, Nov 2009, Toulouse, France |
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Filtre passe-bande à Ultra Large Bande miniaturisé avec réjection des lobes secondairesFiltre passe-bande à Ultra Large Bande miniaturisé avec réjection des lobes secondaires, May 2009, Grenoble, France |
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Spurious Supression Semi-lumped UWB Bandpass Filter2009 International Workshop on Microwave Filters, Nov 2009, Toulouse, France |
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Filtre passe-bande à Ultra Large Bande miniaturisé avec réjection des lobes secondaires16èmes Journées Nationales Microondes, May 2009, Grenoble, France |
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Caractérisation électrique et électromagnétique de capacités MIM entre 40 MHz et 110 GHz en technologie standard CMOS 120 nm10èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, Apr 2008, France, France |
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Potentialités des structures magnétiques pour les fonctions RF reconfigurablesJournées scientifiques Hypermag, 2006, TOURS, France. pp.XX |
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Extraction of equivalent electrical models for damascene MIM capacitors in a standard 120~nm CMOS technology for ultra wide band applicationsIEEE IECON Conference, 2006, PARIS, France. pp.XX |
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Matériaux nouveaux pour l'intégration de composants passifs dans les circuits intégrés avancésJCMM, 2006, Grenoble, France. pp.XX |
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Design of a miniaturized ultra wideband bandpass filter based on a hybrid lumped capacitors - distributed transmission lines topology36th European Microwave Conference, EuMC'06, 2006, MANCHESTER, United Kingdom. pp.XX |
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Caractérisation électrique de l'isolant inter-armature de capacités Cu-Si3N4-Cu entre 45 MHz et 40 GHz en technologie CMOS 120nmJCMM 2006, 2006, Grenoble, France. pp.XX |
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Caractérisation de capacités MIM Cu-Si3N4-Cu en technologie CMOS 0,12 µm pour des applications radiofréquences.Telecom'2005 & 4èmes Journées Franco-Maghrébines des Microondes et leurs Applications, 2005, RABAT, Morocco. pp.XX |
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Contrôle optique pour fonctionnalités microondesJournée Thématique du club EEA : Optique Intégrée et Photonique, 2005, GRENOBLE, France. pp.XX |
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MIM capacitors model determination and analysis of parameter influenceIEEE International Symposium on Industrial Electronics, 2005, DUBROVNIK, Croatia. pp.XX |
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Analyse tridimensionnelle de l'injection optique pour les dispositifs opto-microondes14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, NANTES, France. pp.XX |
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Filtres passe-bas fixes ou accordables à base de structures périodiques14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, NANTES, France. pp.XX |
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Modélisation analytique tridimensionnelle de l'injection optique de porteurs dans un substrat semiconducteurTelecom'2005 & 4èmes Journées Franco-Maghrébines des Microondes et leurs Applications, 2005, France. pp.XX |
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Contribution à la modélisation par la méthode des éléments finis de composants hyperfréquences contrôlés optiquement.Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Institut National Polytechnique de Grenoble - INPG, 2002. Français. ⟨NNT : ⟩ |
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Dispositifs accordables en radiofréquenceMicro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Grenoble, 2012 |