Mathieu Moreau

Maître de conférences à l’IUT du Limousin, Université de Limoges, département Génie Electrique et Informatique Industrielle (GEII), campus universitaire de Brive-La-Gaillarde.
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Documents

Présentation

Activités pédagogiques

· Maître de conférences à l’IUT du Limousin, Université de Limoges, département Génie Electrique et Informatique Industrielle (GEII), campus universitaire de Brive-La-Gaillarde. Enseignements dans les formations :

-BUT GEII (BAC+1, BAC+2) : CM, TD, TP de systèmes électroniques (montages AOP, MOSFET, filtrage actif et passif, oscillateur, PLL, modulation d’amplitude, transmission en bande de base et transposée, …) ; CM, TD, TP d'automatique (asservissements linéaires continus invariant dans le temps : modélisation et outils mathématique, stabilité et performances des systèmes, correction des systèmes aservis) ; TP d'électronique RF et HF (analyseur de réseau scalaire et vectoriel, CAO adaptation d'impédance, mesures d'antennes, mesures de puissance RF) ;TD, TP d’électricité et énergie (Lois de Kirchhoff, théorèmes des circuits linéaires, circuits électriques en complexes, diagramme de Bode, régimes permanent et transitoire, transformation de Fourier, …) ; TP de Systèmes d’Information Numérique (porte logique de base, logique combinatoire et séquentielle, machine d’état, langage VHDL) ; CM, TD de Physique Appliquée (thermique, capteurs) ; formation à l'habilitation électrique (B0, B1V, B2V, BR) ; Tuteur de stage et d'alternant (suivi de 2 à 4 étudiants).

-Licences Professionnelles (BAC+3): Cours, TD et TP de Traitement numérique du signal ; Projet tuteurés (Réalisation d’une modulation numérique sur DSP ; étude et mise en œuvre d’un émetteur/récepteur RF) ; Tuteur de stage (suivi de 1 à 2 étudiants).

Activités scientifiques

· Modélisation, simulation et mesure des phénomènes électriques et thermiques dans les composants et circuits télécoms (Diode, High Electron Mobility Transistor HEMT)

· Conception et Design de circuits innovants à base de cellules mémoires non volatiles émergentes de types résistives [Oxyde Resistive RAM (OXRRAM), Conductive Bridge RAM (CBRAM)]. Développement d’architectures spécifiques telles que : architectures « beyond Von Neumann » type neuro-inspiré ; cellules mémoires distribuées dans les cœurs de calcul ; plan mémoire matriciel ; intégration dans les circuits sur support souple à base de matériaux polymères

· Etude de transistors organiques sur supports souples à base de matériaux polymères semiconducteur par la modélisation analytique des caractéristiques statiques et dynamiques pour une implémentation dans des outils numériques de CAO afin de concevoir des blocs électroniques élémentaires utilisés dans les puces des tags RFID.

· Développement de simulateurs numériques (en langage fortran) et de modèles compacts (avec Mathcad) pour évaluer l'impact des phénomènes physiques (effets électrostatiques et effets quantiques) dans les composants microélectroniques actifs avancés (capacité MOS, transistor MOSFET en architecture multi-grilles).

· Etude de l'influence des matériaux innovants tels que les diélectriques de grille à forte permittivité "high-k" (HfO2, Al2O3, ...) et les semiconducteurs à forte mobilitité (Ge et semiconducteurs III-V) dans les composants microélectroniques actifs avancés (capacité MOS, transistor MOSFET en architecture multi-grilles).

Publications

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Publications

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STATE: A Test Structure for Rapid and Reliable Prediction of Resistive RAM Endurance

H. Aziza , J. Postel-Pellerin , M. Moreau
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2022, 22 (4), pp.500-505. ⟨10.1109/TDMR.2022.3213191⟩
Article dans une revue hal-03941082 v1
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Experimental Analysis of Oxide-Based RAM Analog Synaptic Behavior

Hassan Aziza , Jeremy Postel-Pellerin , Mathieu Moreau
Electronics, 2022, 12 (1), pp.49. ⟨10.3390/electronics12010049⟩
Article dans une revue hal-03941057 v1
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Density Enhancement of RRAMs using a RESET Write Termination for MLC Operation

Hassen Aziza , Said Hamdioui , Moritz Fieback , Mottaqiallah Taouil , Mathieu Moreau et al.
Microelectronics Reliability, 2021, 126, pp.1877-1880. ⟨10.23919/DATE51398.2021.9473967⟩
Article dans une revue hal-03504284 v1
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Multi-Level Control of Resistive RAM (RRAM) Using a Write Termination to Achieve 4 Bits/Cell in High Resistance State

Hassen Aziza , Said Hamdioui , Moritz Fieback , Mottaqiallah Taouil , Mathieu Moreau et al.
Electronics, 2021, 10 (18), pp.2222. ⟨10.3390/electronics10182222⟩
Article dans une revue lirmm-03377249 v1
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Performances and Stability Analysis of a novel 8T1R Non-volatile SRAM (NVSRAM) versus Variability

Hussein Bazzi , Hassen Aziza , Mathieu Moreau , Adnan Harb
Journal of Electronic Testing: : Theory and Applications, 2021, 37 (4), pp.515-532. ⟨10.1007/s10836-021-05965-x⟩
Article dans une revue hal-03501909 v1
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RRAM-based non-volatile SRAM cell architectures for ultra-low-power applications

Hussein Bazzi , Adnan Harb , Hassen Aziza , Mathieu Moreau , Abdallah Kassem
Analog Integrated Circuits and Signal Processing, 2021, 106 (2), pp.351-361. ⟨10.1007/s10470-020-01587-z⟩
Article dans une revue hal-03504286 v1
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An Energy-Efficient Current-Controlled Write and Read Scheme for Resistive RAMs (RRAMs)

Hassen Aziza , M. Moreau , M. Fieback , M. Taouil , S. Hamdioui
IEEE Access, 2020, 8, pp.137263-137274. ⟨10.1109/ACCESS.2020.3011647⟩
Article dans une revue hal-03504829 v1
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Write Termination circuits for RRAM : A Holistic Approach From Technology to Application Considerations

Alexandre Levisse , Marc Bocquet , Marco Rios , Mouhamad Alayan , Mathieu Moreau et al.
IEEE Access, 2020, pp.109297-109308. ⟨10.1109/ACCESS.2020.3000867⟩
Article dans une revue hal-02863232 v1
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Non-volatile SRAM memory cells based on ReRAM technology

Hussein Bazzi , Adnan Harb , Hassen Aziza , Mathieu Moreau
SN Applied Sciences, 2020, 2 (9), ⟨10.1007/s42452-020-03267-z⟩
Article dans une revue hal-03504289 v1
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True Random Number Generator Integration in a Resistive RAM Memory Array Using Input Current Limitation

Hassen Aziza , Jeremy Postel-Pellerin , Hussein Bazzi , Pierre Canet , Mathieu Moreau et al.
IEEE Transactions on Nanotechnology, 2020, 19, pp.214-222. ⟨10.1109/TNANO.2020.2976735⟩
Article dans une revue hal-03504843 v1
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Switching Event Detection and Self-Termination Programming Circuit for Energy Efficient ReRAM Memory Arrays

M. Alayan , E. Muhr , A. Levisse , Marc Bocquet , M. Moreau et al.
IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, 2019, 66 (5), pp.748-752. ⟨10.1109/TCSII.2019.2908967⟩
Article dans une revue hal-02158840 v1
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Design and Simulation of a 128 kb Embedded Nonvolatile Memory Based on a Hybrid RRAM (HfO$_2$ )/28 nm FDSOI CMOS Technology

Jean-Michel Portal , Marc Bocquet , Santhosh Onkaraiah , Mathieu Moreau , Hassen Aziza et al.
IEEE Transactions on Nanotechnology, 2017, 16, pp.677 - 686. ⟨10.1109/TNANO.2017.2703985⟩
Article dans une revue hal-01745418 v1
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A Built-In Self-Test Structure (BIST) for Resistive RAMs Characterization: Application to Bipolar OxRRAM

Hassen Aziza , Marc Bocquet , Mathieu Moreau , Jean-Michel Portal
Solid-State Electronics, 2015, 103, pp.73 - 78. ⟨10.1016/j.sse.2014.09.005⟩
Article dans une revue hal-01737300 v1

Synchronous Non-Volatile Logic Gate Design Based on Resistive Switching Memories

Weisheng Zhao , Mathieu Moreau , Erya Deng , Yue Zhang , Jean-Michel Portal et al.
IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, 2014, 61 (2), pp.443 - 454. ⟨10.1109/TCSI.2013.2278332⟩
Article dans une revue hal-01743999 v1

An Overview of Non-Volatile Flip-Flops Based on Emerging Memory Technologies

Jean-Michel Portal , Marc Bocquet , Mathieu Moreau , Hassen Aziza , Damien Deleruyelle et al.
Journal of Electronic Science and Technology, 2014, 12 (2), pp.173 - 181. ⟨10.3969/j.issn.1674-862X.2014.02.007⟩
Article dans une revue hal-01745646 v1

Design and analysis of crossbar architecture based on complementary resistive switching non-volatile memory cells

W. Zhao , M. Portal , W. Kang , Mathieu Moreau , Y. Zhang et al.
Journal of Parallel and Distributed Computing, 2014, 74 (6), pp.2484 - 2496. ⟨10.1016/j.jpdc.2013.08.004⟩
Article dans une revue hal-01744000 v1

A novel test structure for OxRRAM process variability evaluation

Hassen Aziza , Marc Bocquet , Jean-Michel Portal , Mathieu Moreau , Christophe Muller
Microelectronics Reliability, 2013, 53 (9-11), pp.1208 - 1212. ⟨10.1016/j.microrel.2013.07.012⟩
Article dans une revue istex hal-01745650 v1

Quantum Compact Model of Drain Current in Independent Double-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

Daniela Munteanu , Jean-Luc Autran , Mathieu Moreau
Japanese Journal of Applied Physics, 2011, 50 (2), ⟨10.1143/JJAP.50.024301⟩
Article dans une revue hal-01430093 v1

Effects of localized gate stack parasitic charge on current-voltage characteristics of double-gate MOSFETs with high-permittivity dielectrics and Ge-channel

Daniela Munteanu , Mathieu Moreau , Jean-Luc Autran
Journal of Non-Crystalline Solids, 2011, 357 (8-9, SI), pp.1879-1883. ⟨10.1016/j.jnoncrysol.2010.12.046⟩
Article dans une revue istex hal-01430098 v1

Simulation study of Short-Channel Effects and quantum confinement in double-gate FinFET devices with high-mobility materials

Mathieu Moreau , Daniela Munteanu , Jean-Luc Autran
Microelectronic Engineering, 2011, 88 (4), pp.366-369. ⟨10.1016/j.mee.2010.08.026⟩
Article dans une revue istex hal-01430097 v1

Electron transport through high-kappa dielectric barriers: A non-equilibrium Green's function (NEGF) study

Daniela Munteanu , Jean-Luc Autran , Mathieu Moreau , M. Houssa
Journal of Non-Crystalline Solids, 2009, 355 (18-21), pp.1180-1184. ⟨10.1016/j.jnoncrysol.2009.03.006⟩
Article dans une revue istex hal-01430113 v1

Investigation of capacitance-voltage characteristics in Ge/high-kappa MOS devices

Mathieu Moreau , Daniela Munteanu , Jean-Luc Autran , F. Bellenger , J. Mitard et al.
Journal of Non-Crystalline Solids, 2009, 355 (18-21), pp.1171-1175. ⟨10.1016/j.jnoncrysol.2009.01.056⟩
Article dans une revue istex hal-01430114 v1
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Quantum Simulation of C-V and I-V Characteristics in Ge and III-V Materials/High-κ MOS Devices

Mathieu Moreau , Daniela Munteanu , Jean-Luc Autran , Florence Bellenger , Jérome Mitard et al.
MRS Online Proceedings Library, 2009, 1194, pp.1194-A02-02. ⟨10.1557/PROC-1194-A02-02⟩
Article dans une revue hal-01745840 v1
Image document

A Compact Model for the Ballistic Subthreshold Current in Ultra-Thin Independent Double-Gate MOSFETs

Daniela Munteanu , Mathieu Moreau , Jean-Luc Autran
Molecular Simulation, 2009, 35 (06), pp.491-497. ⟨10.1080/08927020902801548⟩
Article dans une revue hal-00515080 v1

Simulation of Gate Tunneling Current in Metal-Insulator-Metal Capacitor with Multi layer High-kappa Dielectric Stack Using the Non-equilibrium Green's Function Formalism

Mathieu Moreau , Daniela Munteanu , Jean-Luc Autran
Japanese Journal of Applied Physics, 2009, 48 (11), ⟨10.1143/JJAP.48.111409⟩
Article dans une revue hal-01430110 v1
Image document

Simulation Analysis of Quantum Confinement and Short-Channel Effects in Independent Double-Gate Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors

Mathieu Moreau , Daniela Munteanu , Jean-Luc Autran
Japanese Journal of Applied Physics, 2008, 47 (9), pp.7013 - 7018. ⟨10.1143/JJAP.47.7013⟩
Article dans une revue hal-01745615 v1

Using of the 2D materials signature for thermal Raman measurements of power devices

Mohammed Boussekri , Mathieu Moreau , Raphaël Sommet , Dominique Carisetti , Julie Cholet et al.
18th European Advanced Technology Workshop on Micropackaging and Thermal management, IMAPS, Mar 2025, La Rochelle, France
Communication dans un congrès hal-05029086 v1
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STATE: A Test Structure for Rapid Prediction of Resistive RAM Electrical Parameter Variability

Hassen Aziza , Jeremy Postel-Pellerin , Hussein Bazzi , Mathieu Moreau , Adnan Harb
IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) 2022, May 2022, Austin, United States. pp.3532-3536, ⟨10.1109/ISCAS48785.2022.9937716⟩
Communication dans un congrès hal-03941188 v1
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Storage class memory with computing row buffer: A design space exploration

Valentin Egloff , Jean-Philippe Noel , Maha Kooli , Bastien Giraud , Lorenzo Ciampolini et al.
2021 Design, Automation & Test in Europe Conference & Exhibition (DATE), Feb 2021, grenoble, France. pp.1-6, ⟨10.23919/DATE51398.2021.9473992⟩
Communication dans un congrès cea-03605068 v1
Image document

Resistive RAM SET and RESET Switching Voltage Evaluation as an Entropy Source for Random Number Generation

Hussein Bazzi , Jeremy Postel-Pellerin , Hassen Aziza , Mathieu Moreau , Adnan Harb
2020 IEEE International Symposium on Defect and Fault Tolerance in VLSI and Nanotechnology Systems (DFT), Oct 2020, Frascati, Italy. pp.1-4, ⟨10.1109/DFT50435.2020.9250726⟩
Communication dans un congrès hal-03504288 v1
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Design of a Novel Hybrid CMOS Non-Volatile SRAM Memory in 130nm RRAM Technology

Hussein Bazzi , Hassen Aziza , Mathieu Moreau , Adnan Harb
Design, Technology, and Test of Integrated Circuits and Systems, Apr 2020, virtual, Morocco. ⟨10.1109/DTIS48698.2020.9081153⟩
Communication dans un congrès hal-03504830 v1

A Capacitor-Less CMOS Neuron Circuit for Neuromemristive Networks

Hassen Aziza , Mathieu Moreau , Jean-Michel Portal , Arnaud Virazel , Patrick Girard
NEWCAS 2019 - 17th IEEE International Conference on Electronics Circuits and Systems, Jun 2019, Munich, Germany. ⟨10.1109/NEWCAS44328.2019.8961278⟩
Communication dans un congrès lirmm-02395325 v1
Image document

An Augmented OxRAM Synapse for Spiking Neural Network (SNN) Circuits

Hassen Aziza , H. Bazzi , J. Postel-Pellerin , P. Canet , M. Moreau et al.
2019 14th International Conference on Design & Technology of Integrated Systems In Nanoscale Era (DTIS), Apr 2019, Mykonos, France. ⟨10.1109/DTIS.2019.8735057⟩
Communication dans un congrès hal-02306907 v1
Image document

True random number generation exploiting SET voltage variability in resistive RAM memory arrays

Jérémy Postel-Pellerin , Hussein Bazzi , Hassen Aziza , Pierre Canet , Mathieu Moreau et al.
2019 19th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS), Oct 2019, Durham, France. pp.1-5, ⟨10.1109/NVMTS47818.2019.9043369⟩
Communication dans un congrès hal-03504849 v1

ReRAM ON/OFF resistance ratio degradation due to line resistance combined with device variability in 28nm FDSOI technology

Hassen Aziza , P. Canet , J. Postel-Pellerin , Mathieu Moreau , Jean-Michel Portal et al.
2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Apr 2017, Athens, Greece. ⟨10.1109/ULIS.2017.7962594⟩
Communication dans un congrès hal-01745666 v1

High density emerging resistive memories: What are the limits?

A. Levisse , B. Giraud , J.P. Noel , M. Moreau , Jean-Michel Portal
2017 IEEE 8th Latin American Symposium on Circuits & Systems (LASCAS), Feb 2017, Bariloche, Argentina. ⟨10.1109/LASCAS.2017.7948104⟩
Communication dans un congrès hal-01788136 v1
Image document

Architecture, design and technology guidelines for crosspoint memories

Alexandre Levisse , P. Royer , Bastien Giraud , J.P. Nöel , Mathieu Moreau et al.
2017 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH), Jul 2017, Newport, United States. pp.677 - 686, ⟨10.1109/NANOARCH.2017.8053733⟩
Communication dans un congrès hal-01788148 v1

Capacitor based SneakPath compensation circuit for transistor-less ReRAM architectures

Alexandre Levisse , Bastien Giraud , Jean-Philippe Noel , Mathieu Moreau , Jean-Michel Portal
Proceedings of the 2016 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH), Jul 2016, Beijing, China. pp.7-12, ⟨10.1145/2950067.2950073⟩
Communication dans un congrès hal-01435118 v1

Multilevel Operation in Oxide Based Resistive RAM with SET voltage modulation

Hassen Aziza , H. Ayari , S. Onkaraiah , Mathieu Moreau , Jean-Michel Portal et al.
2016 11TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON DESIGN & TECHNOLOGY OF INTEGRATED SYSTEMS IN NANOSCALE ERA (DTIS), Apr 2016, Istanbul, Turkey. pp.1-5, ⟨10.1109/DTIS.2016.7483892⟩
Communication dans un congrès hal-01434981 v1
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SneakPath compensation circuit for programming and read operations in RRAM-based CrossPoint architectures

Alexandre Levisse , Bastien Giraud , Jean-Philippe Noel , Mathieu Moreau , Jean-Michel Portal
2015 15th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS), Oct 2015, Beijing, China. ⟨10.1109/NVMTS.2015.7457426⟩
Communication dans un congrès hal-01745689 v1
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Oxide based resistive RAM: ON/OFF resistance analysis versus circuit variability

Hassen Aziza , Haytem Ayari , Santhosh Onkaraiah , Jean-Michel Portal , Mathieu Moreau et al.
2014 IEEE International Symposium on Defect and Fault Tolerance in VLSI and Nanotechnology Systems (DFT), Oct 2014, Amsterdam, Netherlands. ⟨10.1109/DFT.2014.6962107⟩
Communication dans un congrès hal-01745718 v1
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A Built-In Self-Test Structure (BIST) for Resistive RAMs Characterization: Application to Bipolar OxRRAMs

Hassen Aziza , Marc Bocquet , Mathieu Moreau , Jean-Michel Portal
International Semiconductor Device Research Symposium, Dec 2013, Bethesda, United States
Communication dans un congrès hal-01745729 v1
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Analytical study of complementary memristive synchronous logic gates

Jean-Michel Portal , Mathieu Moreau , Marc Bocquet , Hassen Aziza , Damien Deleruyelle et al.
2013 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH), Jul 2013, Brooklyn, United States. ⟨10.1109/NanoArch.2013.6623047⟩
Communication dans un congrès hal-01745759 v1

Single-ended sense amplifier robustness evaluation for OxRRAM technology

Hassen Aziza , Marc Bocquet , Mathieu Moreau , Jean-Michel Portal
2013 IEEE Design and Test Symposium (IDT), Dec 2013, Marrakesh, Morocco. ⟨10.1109/IDT.2013.6727097⟩
Communication dans un congrès hal-01745737 v1
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Analytical study of complementary memristive synchronous logic gates

Jean-Michel Portal , M. Moreau , Marc Bocquet , Hassen Aziza , D. Deleruyelle et al.
2013 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH), Jul 2013, Brooklyn, France. ⟨10.1109/NanoArch.2013.6623047⟩
Communication dans un congrès hal-01827052 v1
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Synchronous Full-Adder based on Complementary Resistive Switching Memory Cells

Y Zhang , Erya y Deng , Jacques-Olivier O Klein , Damien Querlioz , Dafiné Ravelosona et al.
11th International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS), Jun 2013, Paris, France. ⟨10.1109/NEWCAS.2013.6573578⟩
Communication dans un congrès hal-01840795 v1

Effects of gate stack parasitic charge on current-voltage characteristics of high-k/SiO2/Ge-channel Double-Gate MOSFETs

Daniela Munteanu , Mathieu Moreau , Jean-Luc Autran
8th Symposium SiO2, Advanced Dielectrics and Related Devices (2010), Jun 2010, Varenna, Italy
Communication dans un congrès hal-04393620 v1

Simulation study of short-channel effects and quantum confinement in Double-Gate FinFET devices with high-mobility materials

Mathieu Moreau , Daniela Munteanu , Jean-Luc Autran
European-Material Research Society (E-MRS) 2010 Spring Meeting, Jun 2010, Strasbourg, France
Communication dans un congrès hal-04393626 v1

Compact Model of the Ballistic Subthreshold Current in Independent Double-Gate MOSFETs

Daniela Munteanu , M. Moreau , Jean-Luc Autran
NSTI NANOTECH 2008, VOL 3, TECHNICAL PROCEEDINGS: MICROSYSTEMS, PHOTONICS, SENSORS, FLUIDICS, MODELING, AND SIMULATION, 2008, Unknown, Unknown Region. pp.877+
Communication dans un congrès hal-01759433 v1
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3D Simulation Analysis of Bipolar Amplification in Planar Double-Gate and FinFET with Independent Gates

Daniela Munteanu , Jean-Luc Autran , Mathieu Moreau
Conference on Radiation Effects on Components and Systems (RADECS), Sep 2008, Jyväskylä, Finland. pp.280-283, ⟨10.1109/RADECS.2008.5782727⟩
Communication dans un congrès hal-01841105 v1
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Modélisation et simulation numérique des nano-transistors multi-grilles à matériaux innovants

Mathieu Moreau
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Provence - Aix-Marseille I, 2010. Français. ⟨NNT : ⟩
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