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Mohamed Lemine Dedew
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Affiliations actuelles
- IRT Saint Exupéry - Institut de Recherche Technologique
- Université Paris-Saclay
- Systèmes et Applications des Technologies de l'Information et de l'Energie (SATIE)
Identifiants chercheurs
Publications
Publications
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Failure mechanisms of GaN HEMTs in single event destructive short-circuit at different VDS voltage levelsMicroelectronics Reliability, 2026, 179, pp.116059. ⟨10.1016/j.microrel.2026.116059⟩ |
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Dependence between drain current saturation level and short-circuit robustness of p-GaN HEMTsMicroelectronics Reliability, 2025, 171, pp.115794. ⟨10.1016/j.microrel.2025.115794⟩ |
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Failure Mechanisms of GaN HEMTs in Single Event Destructive Short-Circuit at Different VDS Voltage LevelsESREF 2025 : 36th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, 2025, Université de Bordeaux, ADERA, Oct 2025, Bordeaux, France |
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Niveau de saturation du courant de drain et son impact sur la robustesse des transistors GaN en régime de court-circuit répétitifSymposium de Génie Électrique SGE 2025, CNRS, UPS, Jul 2025, Toulouse, France |
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Effet de la résistance de grille sur la robustesse de transistors GaN en régime de court-circuitJournées couplées du GDR SEEDS et de la conférence JCGE - Jeunes Chercheurs en Génie Electrique, GDR SEEDS, Jun 2024, 44490 Le Croisic, France |
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