
Pierre BROSSELARD
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Publications
Publications
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Using SiC JBS diode as voltage clamping in SSCB application: performances and limitationsThe 26th European Conference on Power Electronics and Applications, GDR SEEDS France & EPE Association, Mar 2025, Paris, France. ⟨10.34746/epe2025-0169⟩
Communication dans un congrès
hal-05108353
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Physical and electrical characterization of wide band gap for power electronic applicationSociété Française de Physique, Jun 2025, Troyes, France
Communication dans un congrès
hal-05097944
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Characterization of β-Ga2O3 and device fabricationSociété Française de Physique, Jun 2025, Troyes, France
Communication dans un congrès
hal-05099267
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Electrical characterization of HV (10 kV) Power 4H-SiC Bipolar Junction TransistorInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Sep 2024, Raleigh (North Carolina), United States. pp.126-128
Communication dans un congrès
hal-04677764
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Matching physical and electrical measurements (OBIC) to simulation (FEM) on high voltage bipolar diodesInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Sep 2024, Raleigh (North Carolina), United States. pp.591-592
Communication dans un congrès
hal-04680725
v1
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Design and Characterization of an Optical 4H-SiC Bipolar Junction TransistorICSCRM 2023 - International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2023, Sorrente, Italy
Communication dans un congrès
hal-04222211
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Visualization of P$^+$ JTE embedded rings used for peripheral protection of high voltage Schottky diodes by the Optical Beam Induced Current (OBIC) techniqueICSCRM 2023 - International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2023, Sorrente, Italy
Communication dans un congrès
hal-04218429
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FilSiC – De l'épitaxie au module de puissanceSymposium de Génie Electrique (SGE'16), Jun 2016, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-01361598
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Étude en simulation et conception d'un transistor bipolaire (BJT) 10 kV en 4H-SiCSymposium de Génie Electrique (SGE'16), Jun 2016, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-01361668
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Precise Automated Semiconductor Characterization under Ambient Control for testing wide band gap semiconductorsInternational Symposium on High Voltage Engineering (ISH) 2015, Aug 2015, Pilsen, Czech Republic
Communication dans un congrès
hal-02428642
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4H-SiC VJFETs with Self-Aligned ContactsECSCRM'14, Sep 2014, Grenoble, France. pp.WE-P-75
Communication dans un congrès
hal-02133681
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Etude sur les transistors MOSFETs en Carbure de Silicium - Potentiel d'utilisation dans les Applications Hautes TempératuresSymposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès
hal-01065420
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Imagerie 2D du champ électrique dans les diodes SiC-4H haute tension par la technique OBICSymposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès
hal-01065307
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Conception de thyristors SiC permettant l'étude de l'amplification interne de l'allumageSymposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès
hal-01065352
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Modélisation phénoménologique de la caractéristique IV en direct de diodes Schottky/JBS en carbure de siliciumSymposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès
hal-01065193
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Wide bandgap semiconductors for ultra high voltage devices. Design and characterization aspectsCAS, Oct 2014, Sinaia, Romania. pp.35 - 40, ⟨10.1109/SMICND.2014.6966383⟩
Communication dans un congrès
hal-01388002
v1
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Impact of design on electrical characteristics of 3.5 kV 4H-SiC JBS diodeInternational Silicon Carbide Hetero-Epitaxy HeteroSiC and Workshop on Advanced Semiconductor Materials and devices for Power Electronics WASMPE, Jun 2013, Nice, France
Communication dans un congrès
hal-04022951
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Influence of process parameters on electrical properties of PiN diodes fabricated with a highly p-type doped layer selectively grown by VLS transportInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials ICSCRM 2013, Sep 2013, Miyazaki, Japan
Communication dans un congrès
hal-04011693
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Study of the Nucleation of p-doped SiC in Selective Epitaxial Growth using VLS TransportECSCRM 2012, Sep 2012, Saint-Pétersbourg, Russia. 4p
Communication dans un congrès
hal-04362529
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3D TCAD Simulations for More Efficient SiC Power Devices DesignElectro Chemical Society 224th meeting, Oct 2013, San Francisco, United States. ⟨10.1149/05804.0331ecst⟩
Communication dans un congrès
hal-04240572
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Electrical characterization of PiN diodes fabricated on a p layer selectively grown by VLS transportProceedings of the 2012 European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ECSCRM, Sep 2012, Saint-Pétersbourg, Russia. 4p
Communication dans un congrès
hal-04366810
v1
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Protections périphériques des composants 1200 V14ème EPF, Jul 2012, Bordeaux, France. 4 p
Communication dans un congrès
hal-04560447
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Physical modelling of 4H-SiC PiN diodesCSCRM, Sep 2011, Cleveland, United States. pp.993-996, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.993⟩
Communication dans un congrès
hal-00747601
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Protections périphériques de diodes bipolaires 10 kV en SiC-4H14ème Conférence Electronique de Puissance du Futur (EPF 2012), Jul 2012, Bordeaux, France
Communication dans un congrès
hal-04560471
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Diode PiN 6500V en SiC-4H14ème EPF, Jul 2012, Bordeaux, France. 4 p
Communication dans un congrès
hal-04573111
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600 V PiN diodes fabricated using on-axis 4H silicon carbideInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2011 (ICSCRM 2011), Sep 2011, Cleveland, United States. pp.969-972, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.969⟩
Communication dans un congrès
hal-00747295
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Integration of temperature and current sensors in 4H-SiC VDMOSCSCRM, Sep 2011, Cleveland, United States
Communication dans un congrès
hal-00747607
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Design and characterization of a novel 3.3 kV 4H-SiC JFETProceedings of the 2012 European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ECSCRM, Sep 2012, Saint-Pétersbourg, Russia. 4p
Communication dans un congrès
hal-04048180
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Buried selective growth of p-doped SiC by VLS epitaxyCSCRM, Sep 2011, Cleveland, United States
Communication dans un congrès
hal-00747294
v1
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PASChAC, système automatisé de caractérisation de composants sur waferElectronique de Puissance du Futur 2012, Jul 2012, Bordeaux, France
Communication dans un congrès
hal-02282734
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High temperature capability of high voltage 4H-SiC JBSHeteroSiC & WASMPE 2011, Jun 2011, Tours, France. pp.124-128, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.711.124⟩
Communication dans un congrès
hal-00747613
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Wide Band Gap Semiconductors Benefits for High Power, High Voltage and High Temperature ApplicationsCIMA, Mar 2011, Beyrouth, Lebanon. pp.CD
Communication dans un congrès
hal-00661500
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Influence of the Masking Material and Geometry on the 4H-SiC RIE Etched Surface StateCSCRM, Aug 2010, Oslo, Norway. pp.477-480, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.477⟩
Communication dans un congrès
hal-00661443
v1
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A Step Toward High Temperature Intelligent Power Modules Using 1.5kV SiC-BJTCSCRM, Oct 2009, Nuremberg, Germany. pp.1155-1158, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.1155⟩
Communication dans un congrès
hal-00496976
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SiC BJT driver applied to a 2 kW inverter: Performances and limitations6th CIPS, Mar 2010, Nuremberg, Germany
Communication dans un congrès
hal-00579223
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Novel Structures of 3.3kV 4H-SiC BJTs to Reduce the Stacking Faults ExpansionISPSD, Jun 2009, Barcelone, Spain. à paraître
Communication dans un congrès
hal-00375323
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Accelerated Test for Reliability Analysis of SiC DiodesISPSD, Jun 2009, Barcelone, Spain. à paraître
Communication dans un congrès
hal-00380318
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Temperature Dependence lifetime measurements on 3.3kV 4H-SiC PiN Diodes using OCVD TechniqueECSCRM European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2008, Barcelone, Spain. pp.703-706, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.703⟩
Communication dans un congrès
hal-00391369
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High Power Density SiC 450A AccuMOSFET for Current Limiting ApplicationsCSCRM, Sep 2008, Barcelone, Spain. pp.911-914, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.911⟩
Communication dans un congrès
hal-00391376
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Characterization of 4H-SiC junction barrier Schottky diodes by admittance vs. temperature analysesEuropean Conference on Silicon Carbide and Related Materials ECSCRM 2008, Sep 2008, Barcelone, Spain
Communication dans un congrès
hal-03331775
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1.2 kV Rectifiers Thermal Behaviour: comparison between Si PiN, 4H-SiC Schottky and JBS diodesECPEA 2007, Sep 2007, Aalborg, Denmark. pp.1 - 9, ⟨10.1109/EPE.2007.4417474⟩
Communication dans un congrès
hal-00369523
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The effect of the temperature on the Bipolar Degradation of 3.3 kV 4H-SiC PiN diodesISPSD '08, May 2008, Orlando, FL, United States. pp.237 - 240, ⟨10.1109/ISPSD.2008.4538942⟩
Communication dans un congrès
hal-00369518
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Protection périphérique d’une diode bipolaire SiC-4H. Simulation électrique de JTE à dopage variable12ème colloque Electronique de Puissance du Futur, Jul 2008, Tours, France
Communication dans un congrès
hal-04606517
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Composant de protection série en SiC 450A de forte densité de puissance12ème colloque Electronique de Puissance du Futur, Jul 2008, Tours, France
Communication dans un congrès
hal-04624757
v1
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1.2 kV pin diodes with SiCrystal epiwaferCSCRM, Sep 2006, Newcastle upon Tyne, United Kingdom. pp.901-904, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.901⟩
Communication dans un congrès
hal-00358819
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Numerical and Experimental Investigation on Bipolar Operation of 4H-SIC Normally-on Vertical JFETsInternational Semiconductor Conference, Sep 2006, Sinaia, Romania. pp.297 - 300, ⟨10.1109/SMICND.2006.284002⟩
Communication dans un congrès
hal-00369507
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New diode designs compatible with vertical 4H-SiC JFET fabrication processCSCRM, Sep 2006, Newcastle upon Tyne, United Kingdom. pp.1003-1006, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.1003⟩
Communication dans un congrès
hal-00391386
v1
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High temperature behaviour of 3.5 kV 4H-SiC JBS diodesISPSD '07, May 2007, Jeju Island, South Korea. pp.285 - 288, ⟨10.1109/ISPSD.2007.4294988⟩
Communication dans un congrès
hal-00369526
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High Temperature Characterization of 41-SiC Normally-On Vertical JFETs with Buried Gate and Buried Field RingsISPSD, 2006, Naples, Italy. pp.1 - 4, ⟨10.1109/ISPSD.2006.1666096⟩
Communication dans un congrès
hal-00369512
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Diode PiN SiC-4H 1,2kV sur épi-wafer SiCrystal11ème colloque Electronique de Puissance du Futur, Jul 2006, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-04618792
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Deep SiC etching with RIEE-MRS 2006, May 2006, Nice, France. pp.3886392
Communication dans un congrès
hal-03305997
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Optimisation de la structure double RESURF d’un transistor JFET latéral SiC-4H pour le développement de convertisseurs de puissance intégrés11ème colloque Electronique de Puissance du Futur, Jul 2006, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-04619604
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Ni-Al Ohmic contact to p-type 4H-SiC2006 Spring Meeting of the European Materials Research Society (E-MRS 2006), May 2006, Nice, France. ⟨10.1016/j.spmi.2006.08.004⟩
Communication dans un congrès
hal-03316263
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Gravure RIE profonde du SiC pour la réalisation de composants de puissance3eme colloque sur les Matériaux du Génie Electrique, Dec 2005, Lyon, France
Communication dans un congrès
hal-04620248
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SiC-based current limiter devicesInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM'2003), Oct 2003, Lyon, France. pp.951-956, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.951⟩
Communication dans un congrès
hal-04032970
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HIGH VOLTAGE AND SPECIFIC POWER SILICON CARBIDE DEVICES10ème colloque Electronique de Puissance du Futur, Sep 2004, Toulouse, France
Communication dans un congrès
hal-04621819
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Conception d'un transistor JFET 5 kV en SiC-4H10ème colloque Electronique de Puissance du Futur, Sep 2004, Toulouse, France
Communication dans un congrès
hal-04621465
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Influence of different peripheral protections on the breakover voltage of a 4H-SiC GTO thyristorInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM'2003), Oct 2003, Lyon, France
Communication dans un congrès
hal-02503456
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Silicon Carbide specific components for power electronics system protectionInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM'2003), Oct 2003, Lyon, France
Communication dans un congrès
hal-02503449
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Design and simulation of a planar anode GTO thyristor on SiCCAS (International Semiconductor Conference), Sep 2003, Sinaia, Romania. pp.222, ⟨10.1109/SMICND.2003.1252421⟩
Communication dans un congrès
hal-00410085
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Optical Beam Induced Current Measurements: principles and applications to SiC device characterisationPeter Friedrichs, Tsunenobu Kimoto, Lothar Ley, Gerhard Pensl. Silicon Carbide: Volume 1: Growth, Defects, and Novel Applications, Wiley, 319-340 (chapitre 12), 2009
Chapitre d'ouvrage
hal-00661529
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STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE POUR INTERRUPTEUR ELECTRONIQUE DE PUISSANCEFrance, N° de brevet: FR2963479. 2012, pp.22
Brevet
hal-00786379
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