Pierre BROSSELARD

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Physical and electrical characterizations of low n-doped MOCVD GaN-on-sapphire layers for power electronics applications

Ndembi Ignoumba-Ignoumba , Camille Sonneville , Adrien Bidaud , Pierre Brosselard , Eric Frayssinet et al.
Power Electronic Devices and Components, 2025, 11, pp.100100. ⟨10.1016/j.pedc.2025.100100⟩
Article dans une revue hal-05099383 v1
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Design and Characterization of an Optical 4H-SiC Bipolar Junction Transistor

Pierre Brosselard , Dominique Planson , Dominique Tournier , Pascal Bevilacqua , Camille Sonneville et al.
Solid State Phenomena, 2024, 360, pp.127-131. ⟨10.4028/p-sj87Lx⟩
Article dans une revue hal-04677726 v1
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Visualization of P+ JTE embedded rings used for peripheral protection of high voltage Schottky diodes by the Optical Beam Induced Current (OBIC) technique

Dominique Planson , Dominique Tournier , Pascal Bevilacqua , Camille Sonneville , Pierre Brosselard et al.
Solid State Phenomena, 2024, 360, pp.119-125. ⟨10.4028/p-d65YuN⟩
Article dans une revue hal-04677706 v1
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Breakdown voltage capability of vertical 4H–SiC power devices

Philippe Godignon , Jérôme Biscarrat , Miya Tranchesset , Romain Lavieville , Pierre Brosselard et al.
Materials Science in Semiconductor Processing, 2024, 178, pp.108347. ⟨10.1016/j.mssp.2024.108347⟩
Article dans une revue cea-04742479 v1
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Design, Fabrication and Characterization of 10 kV 4H-SiC BJT for the Phototransistor Target

Ali Ammar , Mihai Lazar , Bertrand Vergne , Sigo Scharnholz , Luong Viêt Phung et al.
Romanian Journal of Information Science and Technology, 2023, 26 (2), pp.193-204. ⟨10.59277/ROMJIST.2023.2.06⟩
Article dans une revue hal-04276812 v1
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Surge Driven Evolution of Schottky Barrier Height on 4H-SiC JBS Diodes

Besar Asllani , Jean Baptiste Fonder , Pascal Bevilacqua , Dominique Planson , Luong Viet Phung et al.
Materials Science Forum, 2018, 924, pp.593 - 596. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.924.593⟩
Article dans une revue hal-01857352 v1
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Modeling of Inhomogeneous 4H-SiC Schottky and JBS Diodes in a Wide Temperature Range

Besar Asllani , Maxime Berthou , Dominique Tournier , Pierre Brosselard , Phillippe Godignon
Materials Science Forum, 2016, 858, pp.741 - 744. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.858.741⟩
Article dans une revue hal-01646323 v1
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Cryogenic to High Temperature Exploration of 4H-SiC W-SBD

Maxime Berthou , Besar Asllani , Pierre Brosselard , Philippe Godignon
Materials Science Forum, 2015, 821-823, pp.583-587. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.583⟩
Article dans une revue hal-01646326 v1
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Impact of Design on Electrical Characteristics of 3.5 kV 4H-SiC JBS Diode

Pierre Brosselard , Florian Chevalier , Benjamin Proux , Nicolas Thierry-Jebali , Pascal Bevilacqua et al.
Materials Science Forum, 2015, 806, pp.117-120. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.806.117⟩
Article dans une revue hal-02133670 v1

Study of the Nucleation of p-Doped SiC in Selective Epitaxial Growth Using VLS Transport

Davy Carole , Arthur Vo-Ha , Anthony Thomas , Mihai Lazar , Nicolas Thierry-Jebali et al.
Materials Science Forum, 2013, 740-742, pp.177-180. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.177⟩
Article dans une revue hal-00803058 v1

Edge Termination Design Improvements for 10 kV 4H-SiC Bipolar Diodes

Duy Minh Nguyen , Runhua Huang , Luong Viet Phung , Dominique Planson , Maxime Berthou et al.
Materials Science Forum, 2013, 740-742, pp.609 - 612. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.609⟩
Article dans une revue hal-01627801 v1

Design and Characterization of a Novel Dual-Gate 3.3 Kv 4H-Sic JFET

Florian Chevalier , Pierre Brosselard , Dominique Tournier , G. Grosset , L. Dupuy et al.
Materials Science Forum, 2013, 740-742, pp.938-941. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.938⟩
Article dans une revue hal-00803057 v1

Electrical Characterization of PiN Diodes with p<sup>+</sup> Layer Selectively Grown by VLS Transport

Nicolas Thierry-Jebali , Mihai Lazar , Arthur Vo Ha , Davy Carole , Véronique Soulière et al.
Materials Science Forum, 2013, 740-742, pp.911 - 914. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.911⟩
Article dans une revue hal-01627792 v1

Buried selective growth of p-doped SiC by VLS epitaxy

Davy Carole , Stéphane Berckmans , Arthur Vo-Ha , Mihai Lazar , Dominique Tournier et al.
Materials Science Forum, 2012, 717-720, pp.169-172. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.169⟩
Article dans une revue hal-00803061 v1
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600 V PiN diodes fabricated using on-axis 4H silicon carbide

Gabriel Civrac , Farah Laariedh , Nicolas Thierry-Jebali , Mihai Lazar , Dominique Planson et al.
Materials Science Forum, 2012
Article dans une revue hal-02126341 v1

Integration of temperature and current sensors in 4H-SiC VDMOS

Maxime Berthou , Philippe Godignon , Pierre Brosselard , Dominique Tournier , José Millán
Materials Science Forum, 2012, 717-720, pp.1093-1096. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.1093⟩
Article dans une revue hal-00803062 v1

SiC Schottky diodes for harsh environment space applications

Philippe Godignon , Xavier Jordà , Miquel Vellvehi , Xavier Perpina , Viorel Banu et al.
IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2011, 58 (7), pp.2582 - 2590. ⟨10.1109/TIE.2010.2080252⟩
Article dans une revue hal-00747617 v1
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Influence of the Masking Material and Geometry on the 4H-SiC RIE Etched Surface State

Mihai Lazar , Fabrice Enoch , Farah Laariedh , Dominique Planson , Pierre Brosselard
Materials Science Forum, 2011, 679-680, pp.477-480. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.477⟩
Article dans une revue hal-04343373 v1

Experimental determination of impact ionization coefficients in 4H-SiC

Duy Minh Nguyen , Christophe Raynaud , Nicolas Dheilly , Mihai Lazar , Dominique Tournier et al.
Diamond and Related Materials, 2011, 20 (3), pp.395-397. ⟨10.1016/j.diamond.2011.01.039⟩
Article dans une revue istex hal-00661429 v1

Wide Band Gap Semiconductors Benefits for High Power, High Voltage and High Temperature Applications

Dominique Tournier , Pierre Brosselard , Christophe Raynaud , Mihai Lazar , Hervé Morel et al.
Advanced Materials Research, 2011, Advances in Innovative Materials and Applications, pp.46-51. ⟨10.4028/www.scientific.net/AMR.324.46⟩
Article dans une revue hal-00799902 v1
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Extreme dielectric strength in boron doped homoepitaxial diamond

Pierre-Nicolas Volpe , Pierre Muret , Julien Pernot , Franck Omnès , Tokuyuki Teraji et al.
Applied Physics Letters, 2010, 97 (22), pp.223501. ⟨10.1063/1.3520140⟩
Article dans une revue hal-00734714 v1

High breakdown voltage Schottky diodes synthesized on p-type CVD diamond layer

Pierre-Nicolas Volpe , Pierre Muret , Julien Pernot , Franck Omnès , Tokuyuki Teraji et al.
Physica Status Solidi A (applications and materials science), 2010, 207 (9), pp.2088-2092. ⟨10.1002/pssa.201000055⟩
Article dans une revue istex hal-00739492 v1
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A Step Toward High Temperature Intelligent Power Modules Using 1.5kV SiC-BJT

Dominique Tournier , Pascal Bevilacqua , Pierre Brosselard , Dominique Planson
Materials Science Forum, 2010, 645-648, pp.1155-1158. ⟨10.4028/WWW.scientific.net/MSF.645-648.1155⟩
Article dans une revue hal-02168907 v1

Characterization of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes by Admittance vs Temperature Analyses

Christophe Raynaud , Duy Minh Nguyen , Pierre Brosselard , Amador Pérez-Tomás , Dominique Planson et al.
Materials Science Forum, 2009, 615-617, pp.671-674. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.671⟩
Article dans une revue hal-00391462 v1

High Power Density SiC 450A AccuMOSFET for Current Limiting Applications

Dominique Tournier , Pascal Bevilacqua , Dominique Planson , Hervé Morel , Pierre Brosselard et al.
Materials Science Forum, 2009, MATERIALS SCIENCE FORUM, 615-617, pp.911-914. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.911⟩
Article dans une revue hal-04368124 v1
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Temperature Dependence lifetime measurements on 3.3kV 4H-SiC PiN Diodes using OCVD Technique

Nicolas Dheilly , Dominique Planson , Pierre Brosselard , Jawad Ul Hassan , Pascal Bevilacqua et al.
Materials Science Forum, 2009, MATERIALS SCIENCE FORUM, 615-617, pp.703-706. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.703⟩
Article dans une revue hal-04368136 v1

Optical beam induced current measurements: principles and applications to SiC device characterization

Christophe Raynaud , Duy Minh Nguyen , Nicolas Dheilly , Dominique Tournier , Pierre Brosselard et al.
Physica Status Solidi A (applications and materials science), 2009, 206 (10), pp.2273-2283. ⟨10.1002/pssa.200825183⟩
Article dans une revue istex hal-00398971 v1

Comparaison de diodes SiC-4H Schottky et bipolaires 3 kV-20 A

Pierre Brosselard , M. Berthou , Xavier Jordà , Philippe Godignon , José del R. Millán
European Journal of Electrical Engineering, 2009, 12 (2), pp.225-236. ⟨10.3166/ejee.12.225-236⟩
Article dans une revue istex hal-00403379 v1
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Bipolar Conduction Impact on Electrical Characteristics and Reliability of 1.2- and 3.5-kV 4H-SiC JBS Diodes

Pierre Brosselard , Nicolas Camara , Viorel Banu , Xavier Jordà , Miquel Vellvehi et al.
IEEE Transactions on Electron Devices, 2008, 55 (8), pp.1847 - 1856. ⟨10.1109/TED.2008.926636⟩
Article dans une revue hal-00369497 v1
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1.2 kV pin diodes with SiCrystal epiwafer

Heu Vang , Christophe Raynaud , Pierre Brosselard , Mihai Lazar , Pierre Cremillieu et al.
Materials Science Forum, 2007, MATERIALS SCIENCE FORUM, 556-557, pp.901-904. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.901⟩
Article dans une revue hal-04369138 v1

Edge termination strategies for a 4 kV 4H-SiC thyristor

Pierre Brosselard , Dominique Planson , Sigo Scharnholz , Christophe Raynaud , V. Zorngiebel et al.
Solid-State Electronics, 2006, 50 (7-8), pp.1183-1188
Article dans une revue hal-00140104 v1
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Deep SiC etching with RIE

Mihai Lazar , Heu Vang , Pierre Brosselard , Christophe Raynaud , Pierre Cremilleu et al.
Superlattices and Microstructures, 2006, 40 (4-6), pp.388-392. ⟨10.1016/j.spmi.2006.06.015⟩
Article dans une revue hal-00179458 v1
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Composants de puissance en SiC. Etat de l'art

Dominique Planson , Christophe Raynaud , Pierre Brosselard , Dominique Bergogne , Mihai Lazar et al.
European Journal of Electrical Engineering, 2006, 9 (4-5), pp.595-611
Article dans une revue hal-04371563 v1
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Fabrication and Characterisation of High Voltage SiC-Thyristors

Volker Zorngiebel , Sigo Scharnholz , Emil Spahn , Pierre Brosselard , N. Arssi et al.
Materials Science Forum, 2003, 433-436, pp.883-886. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.433-436.883⟩
Article dans une revue hal-02489305 v1
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Using SiC JBS diode as voltage clamping in SSCB application: performances and limitations

Dominique Tournier , Pierre Brosselard , Pascal Bevilacqua , Jean Francois de Palma
The 26th European Conference on Power Electronics and Applications, GDR SEEDS France & EPE Association, Mar 2025, Paris, France. ⟨10.34746/epe2025-0169⟩
Communication dans un congrès hal-05108353 v1
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Physical and electrical characterization of wide band gap for power electronic application

Camille Sonneville , Enora Vuillermet , Ndembi Ignoumba-Ignoumba , Maroun Dagher , Nhan Tran et al.
Société Française de Physique, Jun 2025, Troyes, France
Communication dans un congrès hal-05097944 v1

Characterization of β-Ga2O3 and device fabrication

Enora Vuillermet , Changzi Lu , Camille Sonneville , Pierre Brosselard , Jean-Marie Bluet et al.
Société Française de Physique, Jun 2025, Troyes, France
Communication dans un congrès hal-05099267 v1
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Electrical characterization of HV (10 kV) Power 4H-SiC Bipolar Junction Transistor

Pierre Brosselard , Brenda Fosso-Sob , Dominique Planson , Pascal Bevilacqua , Camille Sonneville et al.
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Sep 2024, Raleigh (North Carolina), United States. pp.126-128
Communication dans un congrès hal-04677764 v1
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Matching physical and electrical measurements (OBIC) to simulation (FEM) on high voltage bipolar diodes

Dominique Planson , Camille Sonneville , Pascal Bevilacqua , Pierre Brosselard , Mihai Lazar et al.
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024), Sep 2024, Raleigh (North Carolina), United States. pp.591-592
Communication dans un congrès hal-04680725 v1
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Design and Characterization of an Optical 4H-SiC Bipolar Junction Transistor

Pierre Brosselard , Dominique Planson , D. Tournier , Pascal Bevilacqua , Camille Sonneville et al.
ICSCRM 2023 - International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2023, Sorrente, Italy
Communication dans un congrès hal-04222211 v1
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Visualization of P$^+$ JTE embedded rings used for peripheral protection of high voltage Schottky diodes by the Optical Beam Induced Current (OBIC) technique

Dominique Planson , D. Tournier , Pascal Bevilacqua , Camille Sonneville , Pierre Brosselard et al.
ICSCRM 2023 - International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2023, Sorrente, Italy
Communication dans un congrès hal-04218429 v1
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FilSiC – De l'épitaxie au module de puissance

Philippe Cussac , Cyrille Duchesne , Jean-Baptiste Fonder , Dominique Tournier , Pierre Brosselard et al.
Symposium de Génie Electrique (SGE'16), Jun 2016, Grenoble, France
Communication dans un congrès hal-01361598 v1
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Étude en simulation et conception d'un transistor bipolaire (BJT) 10 kV en 4H-SiC

Beverley Choucoutou , Luong Viet Phung , Pierre Brosselard , Michel Mermet-Guyennet , Dominique Planson
Symposium de Génie Electrique (SGE'16), Jun 2016, Grenoble, France
Communication dans un congrès hal-01361668 v1
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Precise Automated Semiconductor Characterization under Ambient Control for testing wide band gap semiconductors

Bertrand Vergne , Sigo Scharnholz , Dominique Planson , Dominique Tournier , Pierre Brosselard
International Symposium on High Voltage Engineering (ISH) 2015, Aug 2015, Pilsen, Czech Republic
Communication dans un congrès hal-02428642 v1
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4H-SiC VJFETs with Self-Aligned Contacts

Konstantinos Zekentes , Antonis Stavrinidis , George Konstantinidis , Maria Kayambaki , Konstantinos Vamvoukakis et al.
ECSCRM'14, Sep 2014, Grenoble, France. pp.WE-P-75
Communication dans un congrès hal-02133681 v1
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Etude sur les transistors MOSFETs en Carbure de Silicium - Potentiel d'utilisation dans les Applications Hautes Températures

Rémy Ouaida , Pierre Brosselard , Pascal Bevilacqua
Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès hal-01065420 v1
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Imagerie 2D du champ électrique dans les diodes SiC-4H haute tension par la technique OBIC

Hassan Hamad , Pascal Bevilacqua , Dominique Planson , Christophe Raynaud , Dominique Tournier et al.
Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès hal-01065307 v1
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Conception de thyristors SiC permettant l'étude de l'amplification interne de l'allumage

Sigo Scharnholz , Luong Viêt Phung , Dominique Tournier , Bertrand Vergne , Ralf Hassdorf et al.
Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès hal-01065352 v1
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Modélisation phénoménologique de la caractéristique IV en direct de diodes Schottky/JBS en carbure de silicium

Besar Asllani , Shiqin Niu , Patrick Denis , Maxime Berthou , Dominique Tournier et al.
Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France
Communication dans un congrès hal-01065193 v1
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Wide bandgap semiconductors for ultra high voltage devices. Design and characterization aspects

Dominique Planson , Pierre Brosselard , Karine Isoird , Mihai Lazar , Luong Viêt Phung et al.
CAS, Oct 2014, Sinaia, Romania. pp.35 - 40, ⟨10.1109/SMICND.2014.6966383⟩
Communication dans un congrès hal-01388002 v1
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Impact of design on electrical characteristics of 3.5 kV 4H-SiC JBS diode

Pierre Brosselard , F Chevalier , B Proux , N Thierry-Jebali , Pascal Bevilacqua et al.
International Silicon Carbide Hetero-Epitaxy HeteroSiC and Workshop on Advanced Semiconductor Materials and devices for Power Electronics WASMPE, Jun 2013, Nice, France
Communication dans un congrès hal-04022951 v1
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Influence of process parameters on electrical properties of PiN diodes fabricated with a highly p-type doped layer selectively grown by VLS transport

N Thierry-Jebali , Mihai Lazar , A Vo-Ha , D Carole , V Soulière et al.
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials ICSCRM 2013, Sep 2013, Miyazaki, Japan
Communication dans un congrès hal-04011693 v1
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Study of the Nucleation of p-doped SiC in Selective Epitaxial Growth using VLS Transport

Davy Carole , Arthur Vo-Ha , Anthony Thomas , Mihai Lazar , Nicolas Thierry Thierry-Jebali et al.
ECSCRM 2012, Sep 2012, Saint-Pétersbourg, Russia. 4p
Communication dans un congrès hal-04362529 v1

3D TCAD Simulations for More Efficient SiC Power Devices Design

Luong Viêt Phung , Dominique Planson , Pierre Brosselard , Dominique Tournier , Christian Brylinski
Electro Chemical Society 224th meeting, Oct 2013, San Francisco, United States. ⟨10.1149/05804.0331ecst⟩
Communication dans un congrès hal-04240572 v1
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Electrical characterization of PiN diodes fabricated on a p layer selectively grown by VLS transport

Nicolas Thierry-Jebali , Mihai Lazar , Arthur Vo-Ha , Davy Carole , Véronique Soulière et al.
Proceedings of the 2012 European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ECSCRM, Sep 2012, Saint-Pétersbourg, Russia. 4p
Communication dans un congrès hal-04366810 v1
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Protections périphériques des composants 1200 V

Florian Chevalier , Pierre Brosselard , D. Tournier , Bertrand Vergne , Nicolas Dheilly et al.
14ème EPF, Jul 2012, Bordeaux, France. 4 p
Communication dans un congrès hal-04560447 v1

Physical modelling of 4H-SiC PiN diodes

Craig A. Fischer , Michael R. Jennings , Angus T. Bryant , Amador Pérez-Tomás , Peter M. Gammon et al.
CSCRM, Sep 2011, Cleveland, United States. pp.993-996, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.993⟩
Communication dans un congrès hal-00747601 v1
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Protections périphériques de diodes bipolaires 10 kV en SiC-4H

Duy Minh Nguyen , Runhua Huang , Bertrand Vergne , Pascal Bevilacqua , Philippe Godignon et al.
14ème Conférence Electronique de Puissance du Futur (EPF 2012), Jul 2012, Bordeaux, France
Communication dans un congrès hal-04560471 v1
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Diode PiN 6500V en SiC-4H

Pierre Brosselard , Runhua Huang , Duy Minh Nguyen , Dominique Planson , Lionel Dupuy et al.
14ème EPF, Jul 2012, Bordeaux, France. 4 p
Communication dans un congrès hal-04573111 v1
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600 V PiN diodes fabricated using on-axis 4H silicon carbide

Gabriel Civrac , Farah Laariedh , Nicolas Thierry-Jebali , Mihai Lazar , Dominique Planson et al.
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2011 (ICSCRM 2011), Sep 2011, Cleveland, United States. pp.969-972, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.969⟩
Communication dans un congrès hal-00747295 v1

Integration of temperature and current sensors in 4H-SiC VDMOS

Maxime Berthou , Philippe Godignon , Pierre Brosselard , Dominique Tournier , José Millán
CSCRM, Sep 2011, Cleveland, United States
Communication dans un congrès hal-00747607 v1
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Design and characterization of a novel 3.3 kV 4H-SiC JFET

Florian Chevalier , Pierre Brosselard , D. Tournier , Grégory Grosset , Lionel Dupuy et al.
Proceedings of the 2012 European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ECSCRM, Sep 2012, Saint-Pétersbourg, Russia. 4p
Communication dans un congrès hal-04048180 v1

Buried selective growth of p-doped SiC by VLS epitaxy

Davy Carole , Stéphane Berckmans , Arthur Vo-Ha , Mihai Lazar , Dominique Tournier et al.
CSCRM, Sep 2011, Cleveland, United States
Communication dans un congrès hal-00747294 v1
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PASChAC, système automatisé de caractérisation de composants sur wafer

Bertrand Vergne , Gontran Pâques , Claudia Maurer , Sigo Scharnholz , Pierre Brosselard et al.
Electronique de Puissance du Futur 2012, Jul 2012, Bordeaux, France
Communication dans un congrès hal-02282734 v1

High temperature capability of high voltage 4H-SiC JBS

Maxime Berthou , Philippe Godignon , Bertrand Vergne , Pierre Brosselard
HeteroSiC & WASMPE 2011, Jun 2011, Tours, France. pp.124-128, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.711.124⟩
Communication dans un congrès hal-00747613 v1

Wide Band Gap Semiconductors Benefits for High Power, High Voltage and High Temperature Applications

Dominique Tournier , Pierre Brosselard , Christophe Raynaud , Mihai Lazar , Hervé Morel et al.
CIMA, Mar 2011, Beyrouth, Lebanon. pp.CD
Communication dans un congrès hal-00661500 v1
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Influence of the Masking Material and Geometry on the 4H-SiC RIE Etched Surface State

Mihai Lazar , Fabrice Enoch , Farah Laariedh , Dominique Planson , Pierre Brosselard
CSCRM, Aug 2010, Oslo, Norway. pp.477-480, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.477⟩
Communication dans un congrès hal-00661443 v1

A Step Toward High Temperature Intelligent Power Modules Using 1.5kV SiC-BJT

Dominique Tournier , Pascal Bevilacqua , Pierre Brosselard , Dominique Planson
CSCRM, Oct 2009, Nuremberg, Germany. pp.1155-1158, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.1155⟩
Communication dans un congrès hal-00496976 v1

SiC BJT driver applied to a 2 kW inverter: Performances and limitations

Dominique Tournier , Pascal Bevilacqua , Pierre Brosselard , Dominique Planson , Bruno Allard
6th CIPS, Mar 2010, Nuremberg, Germany
Communication dans un congrès hal-00579223 v1

Novel Structures of 3.3kV 4H-SiC BJTs to Reduce the Stacking Faults Expansion

Pierre Brosselard , Dominique Tournier , Viorel Banu , Xavier Jordà , Philippe Godignon et al.
ISPSD, Jun 2009, Barcelone, Spain. à paraître
Communication dans un congrès hal-00375323 v1

Accelerated Test for Reliability Analysis of SiC Diodes

Viorel Banu , Xavier Jordà , Josep Montserrat , Philippe Godignon , José del R. Millán et al.
ISPSD, Jun 2009, Barcelone, Spain. à paraître
Communication dans un congrès hal-00380318 v1

Temperature Dependence lifetime measurements on 3.3kV 4H-SiC PiN Diodes using OCVD Technique

Nicolas Dheilly , Dominique Planson , Pierre Brosselard , Hassan Jawad , Pascal Bevilacqua et al.
ECSCRM European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2008, Barcelone, Spain. pp.703-706, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.703⟩
Communication dans un congrès hal-00391369 v1

High Power Density SiC 450A AccuMOSFET for Current Limiting Applications

Dominique Tournier , Pascal Bevilacqua , Dominique Planson , Hervé Morel , Pierre Brosselard et al.
CSCRM, Sep 2008, Barcelone, Spain. pp.911-914, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.911⟩
Communication dans un congrès hal-00391376 v1
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Characterization of 4H-SiC junction barrier Schottky diodes by admittance vs. temperature analyses

Christophe Raynaud , D M Nguyen , Pierre Brosselard , A Pérez-Tomás , Dominique Planson et al.
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials ECSCRM 2008, Sep 2008, Barcelone, Spain
Communication dans un congrès hal-03331775 v1

1.2 kV Rectifiers Thermal Behaviour: comparison between Si PiN, 4H-SiC Schottky and JBS diodes

Pierre Brosselard , Xavier Jordà , Miquel Vellvehi , Amador Pérez-Tomás , Philippe Godignon et al.
ECPEA 2007, Sep 2007, Aalborg, Denmark. pp.1 - 9, ⟨10.1109/EPE.2007.4417474⟩
Communication dans un congrès hal-00369523 v1

The effect of the temperature on the Bipolar Degradation of 3.3 kV 4H-SiC PiN diodes

Pierre Brosselard , A. P. Tomas , Nicolas Camara , J. Hassan , Xavier Jordà et al.
ISPSD '08, May 2008, Orlando, FL, United States. pp.237 - 240, ⟨10.1109/ISPSD.2008.4538942⟩
Communication dans un congrès hal-00369518 v1
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Protection périphérique d’une diode bipolaire SiC-4H. Simulation électrique de JTE à dopage variable

Dominique Planson , Nicolas Dheilly , Pierre Brosselard , D. Tournier
12ème colloque Electronique de Puissance du Futur, Jul 2008, Tours, France
Communication dans un congrès hal-04606517 v1
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Composant de protection série en SiC 450A de forte densité de puissance

D. Tournier , Pascal Bevilacqua , Hervé Morel , Dominique Planson , Pierre Brosselard et al.
12ème colloque Electronique de Puissance du Futur, Jul 2008, Tours, France
Communication dans un congrès hal-04624757 v1

1.2 kV pin diodes with SiCrystal epiwafer

Heu Vang , Christophe Raynaud , Pierre Brosselard , Mihai Lazar , Pierre Cremilleu et al.
CSCRM, Sep 2006, Newcastle upon Tyne, United Kingdom. pp.901-904, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.901⟩
Communication dans un congrès hal-00358819 v1

Numerical and Experimental Investigation on Bipolar Operation of 4H-SIC Normally-on Vertical JFETs

A. Mihaila , F. Udrea , S. J. Rashid , Philippe Godignon , Pierre Brosselard et al.
International Semiconductor Conference, Sep 2006, Sinaia, Romania. pp.297 - 300, ⟨10.1109/SMICND.2006.284002⟩
Communication dans un congrès hal-00369507 v1

New diode designs compatible with vertical 4H-SiC JFET fabrication process

Pierre Brosselard , Dominique Tournier , Miquel Vellvehi , Josep Montserrat , Philippe Godignon et al.
CSCRM, Sep 2006, Newcastle upon Tyne, United Kingdom. pp.1003-1006, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.1003⟩
Communication dans un congrès hal-00391386 v1

High temperature behaviour of 3.5 kV 4H-SiC JBS diodes

Pierre Brosselard , Xavier Jordà , Miquel Vellvehi , Philippe Godignon , J. P. Bergman et al.
ISPSD '07, May 2007, Jeju Island, South Korea. pp.285 - 288, ⟨10.1109/ISPSD.2007.4294988⟩
Communication dans un congrès hal-00369526 v1

High Temperature Characterization of 41-SiC Normally-On Vertical JFETs with Buried Gate and Buried Field Rings

A. Mihaila , F. Udrea , S. J. Rashid , Philippe Godignon , Pierre Brosselard et al.
ISPSD, 2006, Naples, Italy. pp.1 - 4, ⟨10.1109/ISPSD.2006.1666096⟩
Communication dans un congrès hal-00369512 v1
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Diode PiN SiC-4H 1,2kV sur épi-wafer SiCrystal

Heu Vang , Christophe Raynaud , Pierre Brosselard , Mihai Lazar , Pierre Cremillieu et al.
11ème colloque Electronique de Puissance du Futur, Jul 2006, Grenoble, France
Communication dans un congrès hal-04618792 v1
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Deep SiC etching with RIE

Mihai Lazar , Heu Vang , Pierre Brosselard , Christophe Raynaud , Pierre Cremilleu et al.
E-MRS 2006, May 2006, Nice, France. pp.3886392
Communication dans un congrès hal-03305997 v1
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Optimisation de la structure double RESURF d’un transistor JFET latéral SiC-4H pour le développement de convertisseurs de puissance intégrés

Johnny Gié , Mihai Lazar , Pierre Brosselard , Dominique Planson , Christophe Raynaud
11ème colloque Electronique de Puissance du Futur, Jul 2006, Grenoble, France
Communication dans un congrès hal-04619604 v1
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Ni-Al Ohmic contact to p-type 4H-SiC

Heu Vang , Mihai Lazar , Pierre Brosselard , Christophe Raynaud , Pierre Cremilleu et al.
2006 Spring Meeting of the European Materials Research Society (E-MRS 2006), May 2006, Nice, France. ⟨10.1016/j.spmi.2006.08.004⟩
Communication dans un congrès hal-03316263 v1
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Gravure RIE profonde du SiC pour la réalisation de composants de puissance

Heu Vang , T. Morel , F. Chaboud , Pierre Brosselard , Pierre Cremillieu et al.
3eme colloque sur les Matériaux du Génie Electrique, Dec 2005, Lyon, France
Communication dans un congrès hal-04620248 v1
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SiC-based current limiter devices

Jean-Pierre Chante , Dominique Tournier , Dominique Planson , Christophe Raynaud , Mihai Lazar et al.
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM'2003), Oct 2003, Lyon, France. pp.951-956, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.951⟩
Communication dans un congrès hal-04032970 v1
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HIGH VOLTAGE AND SPECIFIC POWER SILICON CARBIDE DEVICES

Dominique Planson , Marie-Laure Locatelli , Mihai Lazar , Christophe Raynaud , Jean-Pierre Chante et al.
10ème colloque Electronique de Puissance du Futur, Sep 2004, Toulouse, France
Communication dans un congrès hal-04621819 v1
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Conception d'un transistor JFET 5 kV en SiC-4H

Pierre Brosselard , Dominique Planson , Léa Di Cioccio , Thierry Billon , Sigo Scharnholz et al.
10ème colloque Electronique de Puissance du Futur, Sep 2004, Toulouse, France
Communication dans un congrès hal-04621465 v1
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Influence of different peripheral protections on the breakover voltage of a 4H-SiC GTO thyristor

Pierre Brosselard , Volker Zorngiebel , Dominique Planson , Sigo Scharnholz , J.-P Chante et al.
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM'2003), Oct 2003, Lyon, France
Communication dans un congrès hal-02503456 v1

Silicon Carbide specific components for power electronics system protection

J.-P Chante , Dominique Planson , Christophe Raynaud , Marie-Laure Locatelli , M. Lazar et al.
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM'2003), Oct 2003, Lyon, France
Communication dans un congrès hal-02503449 v1
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Design and simulation of a planar anode GTO thyristor on SiC

Pierre Brosselard , Dominique Planson , Sigo Scharnholz , V. Zorngiebel , Mihai Lazar et al.
CAS (International Semiconductor Conference), Sep 2003, Sinaia, Romania. pp.222, ⟨10.1109/SMICND.2003.1252421⟩
Communication dans un congrès hal-00410085 v1

Optical Beam Induced Current Measurements: principles and applications to SiC device characterisation

Christophe Raynaud , Duy Minh Nguyen , Nicolas Dheilly , Dominique Tournier , Pierre Brosselard et al.
Peter Friedrichs, Tsunenobu Kimoto, Lothar Ley, Gerhard Pensl. Silicon Carbide: Volume 1: Growth, Defects, and Novel Applications, Wiley, 319-340 (chapitre 12), 2009
Chapitre d'ouvrage hal-00661529 v1