
Raphael Sommet
SOMMET Raphael :
Chargé de recherches CNRS XLIM,
Responsable de l'équipe Composant Circuit Sous ensemble Non Linéaire
Working on trap modeling and characterization as well as thermal modeling and charracterization
164
Documents
Affiliation actuelle
- Systèmes RF (XLIM-SRF)
Identifiants chercheurs
Domaines de recherche
Electronique
Compétences
simulation physique des semiconducteurs
mesures et modélisation thermiques de composants
Publications
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Publications
Thermal analysis of a FO-WLP SiP with Integrated GaN Power Amplifier and GaAs Low Noise Amplifier18eme European Advanced Technology Workshop on Micropackaging and Thermal management, IMAPS, Mar 2025, La Rochelle (France), France
Communication dans un congrès
hal-05029091
v1
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Using of the 2D materials signature for thermal Raman measurements of power devices18th European Advanced Technology Workshop on Micropackaging and Thermal management, IMAPS, Mar 2025, La Rochelle, France
Communication dans un congrès
hal-05029086
v1
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Multiscale thermal and thermomechanical analysis of a SiP using Fan Out Wafer Level Packaging (FO-WLP) technology18eme European Advanced Technology Workshop on Micropackaging and Thermal management, IMAPS, Mar 2025, La Rochelle, France
Communication dans un congrès
hal-05029052
v1
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Impact of GaN Cap Layer and Carbon-Doped Buffer Layer on Thermal Resistance of HEMTs GaN2024 30th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC), Sep 2024, Toulouse, France. pp.1-4, ⟨10.1109/THERMINIC62015.2024.10732655⟩
Communication dans un congrès
hal-04774322
v1
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Multi-scale simulation of GaN power Amplifier in FanOut Wafer Level Packaging technology (FOWLP)17th European Advanced Technology Workshop ON MICROPACKAGING AND THERMAL MANAGEMENT, IMAPS France, Jan 2024, La Rochelle, France
Communication dans un congrès
hal-04795870
v1
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Modélisation cohérente d'un HEMT AlGaN/GaN de 0.15μm basés sur l'approche ASM-HEMT en prenant en compte la thermique et les piègesXXIII èmes Journées Nationales MicroOndes, Jun 2024, Antibes - Juan les Pins, France
Communication dans un congrès
hal-04746963
v1
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Estimation de l’énergie d’activation réelle sous champ nul d’un piège dans la zone tampon des transistors HEMT dopés FeJournées nationales microondes, Jun 2024, Antibes (France), France
Communication dans un congrès
hal-04780965
v1
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Investigation of Thermal Resistance Extraction of GaN HEMTs through DCT Measurements Techniques and TCAD-Based Physical Simulations2024 19th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Sep 2024, Paris, France. pp.178-181, ⟨10.23919/EuMIC61603.2024.10732560⟩
Communication dans un congrès
hal-04920459
v1
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Inspection of Trapping and Detrapping Dynamics in Fe-and C-doped GaN-based RF HEMTs by Filling Pulse-Dependent DCT Spectroscopy8th IEEE Devices Technology and Manufaturing Conference (EDTM 2024), Mar 2024, Bengalore, India
Communication dans un congrès
hal-04519744
v1
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2D Materials for Raman Thermal Measurements on Power Electronics Devices2024 30th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC), Sep 2024, Toulouse, France. pp.1-7, ⟨10.1109/THERMINIC62015.2024.10732675⟩
Communication dans un congrès
hal-04774022
v1
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Inspection of Trapping and Detrapping Dynamics in Fe-and C-doped GaN-based RF HEMTs by Filling Pulse-Dependent DCT Spectroscopy2024 8th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), Mar 2024, Bangalore, France. pp.1-3, ⟨10.1109/EDTM58488.2024.10511773⟩
Communication dans un congrès
hal-04774086
v1
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Transient thermal simulation of a SiP FO-WLP embedding a GaN power amplifier2024 30th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC), Sep 2024, Toulouse, France. pp.1-6, ⟨10.1109/THERMINIC62015.2024.10732885⟩
Communication dans un congrès
hal-04774334
v1
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Advanced measurement techniques for GaN-based HEMTs: Trap investigation and innovative linearity characterizationXXII International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, IIT Madras, Dec 2023, Chennai (India), France
Communication dans un congrès
hal-04351536
v1
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Identification of Surface Traps and Buffer Trapping Induced Reduction in 2DEG of GaN-based HEMTsIdentification of Surface Traps and Buffer Trapping Induced Reduction in 2DEG of GaN-based HEMTs, Feb 2023, Chennai, India
Communication dans un congrès
hal-04195043
v1
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Thermoreflectance Measurement: Effect of GaN Cap Layer and Carbon Doped Buffer Layer on Thermal Resistance of HEMTsXXII International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, Dec 2023, Chennai (India), India
Communication dans un congrès
hal-04351485
v1
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Estimation of thermal resistance (RTH) and thermal time constant for AlGaN/GaN HEMTs using TCAD simulationXXII International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, IIT Madras, Dec 2023, Madras, India
Communication dans un congrès
hal-04351449
v1
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Thermal characterization of AlGaN/GaN HEMTs using thermoreflectance methodIndo-French Workshop on Microwave and Photonic Technologies, IIT Madras, Feb 2023, Chennai, India
Communication dans un congrès
hal-04194954
v1
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Combination of thermal measurements and simulation to extract the hotspot temperature of GaN HEMT transistorsC'NANO 2023, C'NANO, Mar 2023, Poitiers, France
Communication dans un congrès
hal-04997876
v1
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High frequency GaN HEMT Modeling with ASM-HEMT17th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMiC), Sep 2022, Milan, Italy
Communication dans un congrès
hal-03814218
v1
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Mesure de température par une méthode de thermoréflectance multispectraleXXIIèmes Journées Nationales Microondes (JNM) 2022, Jun 2022, Limoges, France
Communication dans un congrès
hal-03745093
v1
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Mesure temporelle de la température des dispositifs micro-ondes par thermoréflectanceXXIIèmes Journées Nationales Microondes, Jun 2022, Limoges, France
Communication dans un congrès
hal-03745096
v1
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HTRB Stress Effects on 0.15 µm AlGaN/GaN HEMT Performance2022 IEEE MTT-S International Conference on Electromagnetic and Multiphysics Modeling and Optimization (NEMO2022), Jul 2022, Limoges, France
Communication dans un congrès
hal-03746165
v1
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Thermal Simulation and Characterization of GaN HEMT using Gate Resistance Thermometry and Thermoreflectance imaging2022 IEEE MTT-S International Conference on Electromagnetic and Multiphysics Modeling and Optimization (NEMO2022), Jul 2022, Limoges, France
Communication dans un congrès
hal-03746163
v1
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GaN HEMTs thermal time constants: Theory and Measurements23rd International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE) 2022, Apr 2022, St Julian, Malta. pp.1-5, ⟨10.1109/EuroSimE54907.2022.9758888⟩
Communication dans un congrès
hal-03745004
v1
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La thermique des transistors GaN en régime transitoire : Théorie et mesuresXXIIèmes Journées Nationales Microondes, Jun 2022, Limoges, France
Communication dans un congrès
hal-03745103
v1
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Trap Characterization in InAlN/GaN and AlN/GaN based HEMTs with Fe- and C-doped Buffers2021 16th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Apr 2022, London, United Kingdom. pp.197-200, ⟨10.23919/EuMIC50153.2022.9783939⟩
Communication dans un congrès
hal-03745009
v1
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Effets du dopage fer et carbone dans la zone tampon GaN sur les constantes de temps de pièges dans les HEMTXXIIèmes Journées Nationales Microondes (JNM) 2022, Jun 2022, Limoges, France
Communication dans un congrès
hal-03745041
v1
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Surface and Buffer Trap Signatures in Fe-doped AlGaN/GaN HEMT Identified by LF S-parameter TCAD Simulations17th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMiC), Sep 2022, Milan, Italy
Communication dans un congrès
hal-03812830
v1
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Identification des pièges de surface et dans la zone tampon GaN des transistors HEMT dopés FeXXIIèmes Journées Nationales Microondes, Jun 2022, Limoges, France
Communication dans un congrès
hal-03745526
v1
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Etude de l’« Advanced Spice Model » pour la modélisation des transistor HEMT GaNXXIIèmes Journées Nationales Microondes, Jun 2022, Limoges, France
Communication dans un congrès
hal-03745063
v1
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Comparison of GaN HEMTs Thermal Results through Different Measurements Methodologies: Validation with 3D SimulationThermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC), Sep 2021, Berlin, Germany
Communication dans un congrès
hal-03432574
v1
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Impact of the Location of Iron Buffer Doping on Trap Signatures in GaN HEMTs2020 International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits (INMMiC), Jul 2020, Cardiff, United Kingdom. pp.1-3, ⟨10.1109/INMMiC46721.2020.9160114⟩
Communication dans un congrès
hal-02968583
v1
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Dual Approach for the characterization of the thermal impedance using 3omega and thermoreflectance methods2020 International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits (INMMiC), Jul 2020, Cardiff, United Kingdom. pp.1-3, ⟨10.1109/inmmic46721.2020.9160092⟩
Communication dans un congrès
hal-02968581
v1
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Thermal characterization of AlGaN/GaN HEMT using thermoreflectance methodIMAPS 15 th Workshop on Thermal Management 2020, Feb 2020, La Rochelle, France
Communication dans un congrès
hal-02532985
v1
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Evaluation of Thermal Impedance by 3omega Method for Power Amplifier Behavioral Modeling2020 International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits (INMMiC), Jul 2020, Cardiff, United Kingdom. pp.1-3, ⟨10.1109/INMMiC46721.2020.9160235⟩
Communication dans un congrès
hal-02968582
v1
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Time Domain Drain Lag Measurement and TCAD based Device Simulations of AlGaN/GaN HEMT: Investigation of Physical Mechanism2019 14 th European Microwave Conference, Oct 2019, PARIS, France
Communication dans un congrès
hal-02141245
v1
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Characterization of Different Technologies of GaN HEMTs of 0,15 µm Ultra-Short Gate Length: Identification of Traps Using TCAD Based 2D Physics-based Simulation2019 14th European Microwave Microwave Conference, Oct 2019, PARIS, France
Communication dans un congrès
hal-02141233
v1
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Model Order Reduction for thermal FE Analysis and global electrothermal approachIMAPS 14 th Workshop on Thermal Management 2019, Feb 2019, LA ROCHELLE, France
Communication dans un congrès
hal-02141267
v1
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Extraction de la signature des pièges sur les HEMT GaN à courte longueur de grille en utilisant deux techniques de mesures différentesJournées Nationales Microondes 2019, May 2019, CAEN, France
Communication dans un congrès
hal-02141194
v1
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Thermal Modeling Methodology of RF Power Devices to Improve System Level Simulations14th European Microwave Microwave Conference, Sep 2019, Paris, France
Communication dans un congrès
hal-02422398
v1
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Behavioral Electro-thermal Modeling of Power Amplifier for System-Level DesignINMMIC : The International Workshop On Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits, Jul 2018, Brive la Gaillarde, France
Communication dans un congrès
hal-01838045
v1
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Novel AlN/GaN HEMT Electrical Model including Trapping EffectsINMMIC 2018 : International Workshop On Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits, Jul 2018, Brive la Gaillarde, France
Communication dans un congrès
hal-01837070
v1
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Characterization and Electrical Modeling Including Trapping Effects of AIN/GaN HEMT 4×50μm on Silicon Substrate13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC 2018), Sep 2018, Madrid, Spain. pp.333-336, ⟨10.23919/EuMIC.2018.8539941⟩
Communication dans un congrès
hal-02356757
v1
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Thermal simulation modeling and measurements of GaN transistorsIMAPS, 13th European Advanced Technology Workshop on Micropackaging and Thermal management, Feb 2018, La Rochelle, France
Communication dans un congrès
hal-01838301
v1
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Identification de pièges dans le buffer des HEMTs AlGaN/GaN basée sur des mesures de paramètres S basse fréquence et sur des simulations physiques20èmes Journées Nationales Microondes, May 2017, Saint-Malo, France
Communication dans un congrès
hal-01661791
v1
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Thermal Analysis of AlN/GaN/AlGaN HEMTs grown on Si and SiC Substrate through TCAD Simulations and MeasurementsProceedings of the 46st European Microwave Conference, EuMW 2016, 2016, London, UK, United Kingdom. pp
Communication dans un congrès
hal-01395028
v1
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Systematic study of traps in AlN/GaN/AlGaN HEMTs on SiC substrate by numerical TCAD simulation2016 12th Conference on Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), Jun 2016, Lisbon, Portugal. pp.1-4, ⟨10.1109/PRIME.2016.7519485⟩
Communication dans un congrès
hal-01394909
v1
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A physics based analytical model and numerical simulation for current-voltage characteristics of microwave power AlGaN/GaN HEMT2016 IEEE MTT-S International Microwave and RF Conference (IMaRC), Dec 2016, New Delhi, France. ⟨10.1109/IMaRC.2016.7939610⟩
Communication dans un congrès
hal-01935799
v1
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Self heating and trap characterization and simulation for large signal GaN transistors modelingIMS 2015, 2015, Phoenix, Unknown Region
Communication dans un congrès
hal-01278916
v1
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Influence of parasitic effects of the "3omega" measurement setup to improve the determination of GaN HEMTs thermal impedance2014 9th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Oct 2014, ROME, Italy. pp.9--12, ⟨10.1109/EuMIC.2014.6997778⟩
Communication dans un congrès
hal-01288434
v1
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Understanding parasitic effects to improve the 3omega measurement of GaN HEMTs thermal impedanceIEEE Intersociety Conference on Thermal and Thermomechanical Phenomena in Electronic Systems (ITherm), May 2014, ORLANDO, United States. pp.942-946, ⟨10.1109/ITHERM.2014.6892383⟩
Communication dans un congrès
hal-01287697
v1
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Design of an Integrated Cascode Cell for Compact Ku-Band Power Amplifiers.Proceedings of the 42st European Microwave Conference, EuMW 2012, Oct 2012, Amsterdam, Norway. pp.1091 - 1094
Communication dans un congrès
hal-00757725
v1
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Caractérisation électrique de d'impédance thermique des transistors HEMTs GaN en utilisant " la méthode 3ω18 eme Journée Nationales Microondes, May 2013, Paris, France. pp.1-3
Communication dans un congrès
hal-00917723
v1
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Electro-thermal modeling and measurements of SiGe HBTsThermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC), 2012 18th International Workshop on, Sep 2012, Budapest, France. pp.1-4
Communication dans un congrès
hal-00917827
v1
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Electrothermal behavioral model identification and validation from time domain load pull measurement of a RF power amplifierMicrowave Symposium Digest (MTT), 2012 IEEE MTT-S International, Jun 2012, Montreal, Canada. pp.1-3, ⟨10.1109/MWSYM.2012.6259489⟩
Communication dans un congrès
hal-00917806
v1
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Low Frequency Parasitic Effects in RF Transistors and their Impact on Power Amplifier PerformancesIEEE Wireless and Microwave Technology Conference (WAMICON), Apr 2012, Cocoa Beach - Floride, United States. pp.1-5, ⟨10.1109/WAMICON.2012.6208471⟩
Communication dans un congrès
hal-00707903
v1
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Measurement of the thermal impedance of GaN HEMTs using "the 3ω methodThermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC), 2012 18th International Workshop on, Sep 2012, Busapest, France. pp.1-4
Communication dans un congrès
hal-00917819
v1
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Electro-thermal Behavioral Modeling of RF Power Amplifier taking into accountLoad-pull Effects for Narrow Band Radar ApplicationMicrowave Integrated Circuits Conference (EuMIC), 2011 European, Oct 2011, Manchester, United Kingdom. pp.264-267
Communication dans un congrès
hal-00701129
v1
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Modélisation électrothermique comportementale d'amplificateur de puissance avec prise en compte de l'effet load pull pour des applications radar à bande étroite17èmes Journées Nationales Microondes - JNM 2011, Jun 2011, Brest, France. pp.Session 7C- Poster 9
Communication dans un congrès
hal-00701139
v1
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Nouvelles cellules de puissance compactes pour des applications bande Ku en technologie MMIC17eme Journées Nationales Micro-ondes (JNM), May 2011, Brest, France. pp.1C3
Communication dans un congrès
hal-00700384
v1
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New compact power cells for Ku band applicationsIntegrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits (INMMIC 2011),, Apr 2011, Vienne, Austria. pp.41-44, ⟨10.1109/INMMIC.2011.5773317⟩
Communication dans un congrès
hal-00700371
v1
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Caractérisation électrique de l'impédance thermique de transistors Bipolaires17èmes Journées Nationales Microondes, Jun 2011, Brest, France. pp.Session 6E-Poster 44
Communication dans un congrès
hal-00701124
v1
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On The Determination of the Thermal Impedance of Microwave Bipolar TransistorsThermal and Thermomechanical Phenomena in Electronic Systems (ITherm), 2010 The Twelveth Intersociety Conference, Jun 2010, Las Vegas, United States. pp.1 - 8, ⟨10.1109/ITHERM.2010.5501346⟩
Communication dans un congrès
hal-00623728
v1
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Thermal modeling and measurements of AlGaN/GaN HEMTs including Thermal Boundary ResistanceThermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC), 2010 16th International Workshop on, Oct 2010, Barcelona, Spain. pp.1-5
Communication dans un congrès
hal-00917787
v1
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Thermal and trapping phenomena assessment on AlGaN/GaN microwave power transistorMicrowave Integrated Circuits Conference (EuMIC), 2010 European, Sep 2010, Paris, France. pp.110 - 113
Communication dans un congrès
hal-00917733
v1
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Nonlinear characterization and modeling of low frequency dispersive effects in power transistorsIMS 2009 Workshop, WMB, Jun 2009, Boston - Massachusetts, United States. pp.Inconnu
Communication dans un congrès
hal-00758884
v1
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Intégration d'un modèle électrothermique comportemental d'amplificateur de puissance RF sous l'environnement ouvert simulation système SCILAB/SCICOS16eme Journées Nationales Microondes, 2009, Unknown, Unknown Region
Communication dans un congrès
hal-01279569
v1
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Dual approach for HBT thermal impedance2008 14th International Workshop on Thermal Inveatigation of ICs and Systems (THERMINIC), Sep 2008, Rome, Italy. pp.190-194, ⟨10.1109/THERMINIC.2008.4669906⟩
Communication dans un congrès
hal-02358985
v1
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An Electrothermal Model of High Power HBTs for High Efficiency L/S Band Amplifiers2008 European Microwave Integrated Circuit Conference (EuMIC), Oct 2008, Amsterdam, Netherlands. pp.318-321, ⟨10.1109/EMICC.2008.4772293⟩
Communication dans un congrès
hal-02359013
v1
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Characterization and Modeling of Impact Ionization Effects on Small and Large Signal Characteristics of AlGaAs/GaInAs/GaAs PHEMTs2008 European Microwave Integrated Circuit Conference (EuMIC), 2008, Unknown, Unknown Region. pp.119--122
Communication dans un congrès
hal-01279570
v1
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Thermal Modelling of Microwave Bipolar Transistor from 3D finite Element SimulationESA, ESA, 2008, Amsterdam, Netherlands
Communication dans un congrès
hal-02359128
v1
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Spaceborne L Band High Efficiency 65W SSPA Demonstrator for Navigation and Radar ApplicationsESA Microwave Technology and Techniques Workshop, 2008, Amsterdam, Netherlands
Communication dans un congrès
hal-02359117
v1
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Behavioral Thermal Modeling for Microwave Power Amplifier Design.IEEE MTT-S International Microwave Symposium 2007., Jun 2007, Honolulu, Hawaii, United States
Communication dans un congrès
hal-00194870
v1
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Détermination d'impédance thermique de TBH SiGe par mesures électriques basses fréquences15ème Journées Nationales Micro-ondes, May 2007, TOULOUSE, France
Communication dans un congrès
hal-00197202
v1
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Simulation d'un limiteur bande S forte puissance a l'aide d'un nouveau modèle non-linéaire de diodes p-i-n.15èmes Journées Nationales Microondes., May 2007, TOULOUSE, France
Communication dans un congrès
hal-00196680
v1
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Thermal measurements of microwave transistors and MMICs within TARGET NoETARGET Days : from Ideas to Results, in the frame of the International Conference ISMOT-2007, 2007, Roma, Italy
Communication dans un congrès
hal-00285318
v1
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Modélisation électrothermique comportementale d'amplificateur de puissance pour des applications RADAR.15èmes Journées Nationales Microondes, May 2007, Toulouse, France
Communication dans un congrès
hal-00194867
v1
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High Power S Band Limiter Simulation with a.EuMIC, Oct 2007, Munich, France
Communication dans un congrès
hal-00196678
v1
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New Electrothermal System Level Model for RF Power Amplifier.EuMIC, Oct 2007, MUNICH, Germany. pp. 48 - 51
Communication dans un congrès
hal-00196386
v1
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A Physics-Based Nonlinear Model of Microwave P-I-N Diode for CAD2006 European Microwave Integrated Circuits Conference, Sep 2006, Manchester, United Kingdom. pp.285-288, ⟨10.1109/EMICC.2006.282808⟩
Communication dans un congrès
hal-02356495
v1
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Nonlinear Thermal Reduced Model for Power Semiconductor DevicesThermal and Thermomechanical 10th Intersociety Conference on Phenomena in Electronics Systems, 2006. ITHERM 2006., 2006, San Diego, United States. pp.638-644, ⟨10.1109/ITHERM.2006.1645405⟩
Communication dans un congrès
hal-02356489
v1
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SESSION Invitée 5-1 Avancées dans le domaine des oscillateurs MMIC à faible bruit de phase14 èmes Journées Nationales Microondes, May 2005, Nantes, France
Communication dans un congrès
hal-03812825
v1
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From 3D Thermal Simulation to the Thermal Model Integration into Circuit SimulatorTARGET Winter School, 2005, Unknown, Unknown Region
Communication dans un congrès
hal-01279370
v1
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Boite à outil Scilab simulation-physique circuit : comparaison des méthodes non linéaires temporelle et fréquencielleJNM, 2005, Nantes, France
Communication dans un congrès
hal-01279372
v1
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Modèle thermique non linéaire pour composants microondes de puissanceJNM, 2005, Nantes, France
Communication dans un congrès
hal-01279371
v1
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Implementation via a Model Order Reduction technique of physics-based non-linear thermal models for global CADEUMW, 2005, Paris, France
Communication dans un congrès
hal-01279369
v1
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Non linear electrothermal modelisation of LDMOS power transistor : on the definition scaling rulesHyper, R F, 2005, PARIS, Unknown Region
Communication dans un congrès
hal-01279373
v1
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Semiconductor device and noise sources modeling: design methods and tools oriented to nonlinear H.F. oscillator CADSecond International Symposium on Fluctuations and Noise, 2004, Maspalomas, Spain. pp.373, ⟨10.1117/12.546325⟩
Communication dans un congrès
hal-02356458
v1
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Ensemble d'outils cohérents pour la simulation physique et la caractérisation du bruit dans les composants semi-conducteurs dédiés à la CAO des circuits microondes non linéairesAS bruit, 2004, La Grande Motte, France
Communication dans un congrès
hal-01279423
v1
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Modélisation des composants semi-conducteurs et de leurs sources de bruit basse fréquence, outils et méthodes de conception, pour la CAO non linéaire des oscillateurs HFAS bruit, 2004, La Grande Motte, France
Communication dans un congrès
hal-01279424
v1
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Electrothermal model of transistors based on finite element analysis for Radar applicationsThermal and Thermomechanical Phenomena in Electronic Systems, 2004. ITHERM 2004. The Eighth Intersociety Conference on, 2004, Las Vegas, United States
Communication dans un congrès
hal-01279419
v1
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Coherent Tools for Physics-Based Simulation and Characterization of Noise in Semiconductor devices oriented to Nonlinear Microwave Circuit CADSPIE-2004 - invited paper, 2004, Unknown, Unknown Region
Communication dans un congrès
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Nonlinear thermal reduced model for Microwave Circuit Analysis12e GaAs Symposium, May 2004, Amsterdam, Netherlands
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hal-03814730
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LDMOSFET and SiGeC HBT integrated in a 0.25um BiCMOS technology for RF-PA applicationsBCTM, 2004, Unknown, Unknown Region
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Overview of research activities on the simulation of High frequency devices, circuits and systems using the Scilab/Scicos EnvironmentScilab International Conference,, 2004, Rocquencourt, France
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Non-Linear Electro Thermal Model of LDMOS Power Transistor Coupled to 3D Thermal Model in a Circuit SimulatorBCTM, 2003, Unknown, Unknown Region
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Modélisation thermique et technique de réduction pour la simulation de composants de puisance en régime transitoire13ème Journées Nationales Micro-ondes, 2003, Lille, Unknown Region
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Modélisation électrothermique non linéaire de transistors LDMOS de puissance, couplée à un modèle thermique 3D au sein d'un simulateur circuit13ème Journées Nationales Micro-ondes, 2003, Lille France 2003, Unknown Region. pp.6A6
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Approche clients-serveurs sur la grille de calcul pour la simulation intégréeJNM , 2003, Lille, France
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From 3D thermal simulation of HBT devices to their thermal model integration into circuit simulators via Ritz vectors reduction techniqueThermal and Thermomechanical Phenomena in Electronic Systems, 2002. ITHERM 2002. The Eighth Intersociety Conference on, 2002, San Diego, United States. pp.22--28
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Transient Analysis of Collector Current Collapse In Power HBTsGAAS, EUMW, 2002, Milan, Italy
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Electrothermal modeling of multi-fingered PHEMTs applying a global approachMicrowave Symposium Digest, 2002 IEEE MTT-S International, 2002, Unknown, Unknown Region. pp.2085--2088
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Apport des méthodes de l'automatique dans l'analyse et la conception des circuits électroniques non linéaires haute fréquenceJournées d'Etude Automatique et Electronique, 2002, Unknown, Unknown Region
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Modélisation thermique tridimensionnelle de TBH et technique de réduction pour la simulation circuitJNM, 2001, Unknown, Unknown Region
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Spice thermal subcircuit of multifinger HBT derived from ritz vector technique of 3D thermal simulation for electrothermal modellingGAAS - Londres, 2001, London, United Kingdom. pp.207--210
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New trends in characterization and modeling of high power RF devicesGAAS, 2001, London, United Kingdom. pp.263--266
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Electrothermal harmonic balance simulation of an InGaP/GaAs HBT based on 3D thermal and semiconductor transport modelsGAAS - Paris, 2000, Paris, France. pp.516--519
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Analyse de la stabilité thermique d'un transistor bipolaire à hétérojonction GaInP/GaAs à l'aide d'une implémentation parallèle d'un simulateur couplé à un simulateur de circuitNUMELEC, 2000, POITIERS, France
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Characterization and modeling of nonlinear trapping effects in power SiC MESFETsMicrowave Symposium Digest., 2000 IEEE MTT-S International, 2000, Unknown, Unknown Region. pp.765--768 vol.2
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Harmonic balance Techniques allow nonlinear simulations of microwave circuits from devices to subsystemsECCTD 99 - Stresa (Italie), 1999, Stresa, Italy. pp.333--336
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Couplage direct d'un modèle physique analytique de Transistor à Effet de Champ sur Carbure de Silicium avec un simulateur de circuit en équilibrage harmonique11ème Journées Nationales Microondes, 1999, Unknown, Unknown Region
Communication dans un congrès
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Evolution des techniques de conception des circuits RF et microondes : Intégration et ExpertiseXIèmes JNM Journées Nationales Microondes, May 1999, Arcachon, France
Communication dans un congrès
hal-01067017
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Couplage direct d'un modèle physique de transistor bipolaire à hétérojonction avec un simulateur de circuit en équilibrage harmonique10eme Journées Nationales Microondes, 1997, Saint-Malo, Unknown Region. pp.230--231
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Electrothermal modeling of semi-conductor devices for nonlinear RF and Microwave CADIEEE-MTTS Intermational Symposium on Microwave Theory and Techniques - Workshop on Nonlinear CAD, Jun 1997, Denver, CO, United States
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hal-01066957
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A pulsed-measurement based electrothermal model of HBT with thermal stability prediction capabilitiesMicrowave Symposium Digest, 1997., IEEE MTT-S International, 1997, Unknown, Unknown Region. pp.1515--1518 vol.3
Communication dans un congrès
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Coupled localized and distributed elements analysis applying an electromagnetic software in the frequency domainMicrowave Symposium Digest, 1997., IEEE MTT-S International, 1997, Unknown, Unknown Region. pp.1021--1024 vol.2
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hal-01279641
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Aide à la modélisation de composants hyperfréquences par l'analyse électomagnétique10eme Journées Nationales Microondes, 1997, Saint Malo, France. pp.3A3 282--283
Communication dans un congrès
hal-01279639
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A direct coupling between the semiconductor equations describing a GaInP/GaAs HBT in a circuit simulator for the co-design of microwave devices and circuitsGAAS, 1997, Bologne, Unknown Region. pp.149--152
Communication dans un congrès
hal-01279637
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A CAD electrothermal model for the nonlinear simulation of high power silicon bipolar transistor4 th International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimeterwave Circuits - DUISBURG, 1996, Unknown, Unknown Region
Communication dans un congrès
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A design method for high efficiency class F HBT amplifiersMicrowave Symposium Digest, 1996., IEEE MTT-S International, 1996, Unknown, Unknown Region. pp.855--858 vol.2
Communication dans un congrès
hal-01279783
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Les simulateurs intégrés : couplage transport et circuits passifs9eme Journées Nationales miccroondes, 1995, Paris, France
Communication dans un congrès
hal-01280053
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Un modèle électrothermique de transistor bipolaire forte puissance pour la simulation non linéaire9eme Journées Nationales miccroondes, 1995, Paris, France
Communication dans un congrès
hal-01280054
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Nonlinear RF caracterization and modelling of heterojonction bipolar transistors under pulsed conditions24 th European Microwawe Conference - CANNES, 1994, Unknown, Unknown Region. pp.1610--1615
Communication dans un congrès
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Caractérisation non linéaire et modèles analytiques des transistors micro-ondesSEE - Journées d'études, 1994, Paris, France
Communication dans un congrès
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Analisis mediante Balance Espectral del comportamiento Quasi-Periodico de Osciladores y Divisores de FrecuenciaURSI - ESPAGNE - 1994, 1994, Unknown, Spain
Communication dans un congrès
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A pulsed S-parameters measurement setup for the nonlinear characterization of FETs and bipolar power transistors23rd European Microwave Conference, Sep 1993, Madrid, Spain. pp. 489-493, ⟨10.1109/EUMA.1993.336603⟩
Communication dans un congrès
hal-01067054
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Analyse de la synchronisation des oscillateurs par la méthode de l'équilibrage spectral8eme Journée Nationales Microondes, 1993, Brest France
Communication dans un congrès
hal-01280058
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Approche intégrée pour la caractérisation et la modélisation des transistors micro-ondesJNM , 1993, Brest, France
Communication dans un congrès
hal-01274061
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Characterization and modeling of dispersive effectsCambridge. Nonlinear Transistor Model Parameter Extraction Techniques, Cambridge, pp.206-250, 2011, 9780521762106
Chapitre d'ouvrage
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Scilab/Scicos toolboxes for TelecommunicationsTsinghua University Press. Open source Software for Scientific Computation SCILAB, Research, Development and Applications, 2006
Chapitre d'ouvrage
hal-01279571
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Intégration d'un modèle physique de transistor bipolaire à hétérojonction dans l'environnement de la C. A. O. Non linéaire des circuits monolithiques microondesElectronique. Université de Limoges, 1996. Français. ⟨NNT : ⟩
Thèse
tel-02984557
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Modélisation multiphysiques pour la simulation couplée des composants, circuits, et systèmes électroniques microondesElectronique. Université de Limoges, 2020
HDR
tel-03023872
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