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Microstructural and emission properties induced by Na incorporation in pure sulphide CIGS absorber
Richel Dongmo
,
Rémi Demoulin
,
Nicolas Barreau
,
Léo Choubrac
,
Fabien Pineau
et al.
Article dans une revue
hal-05221794v1
|
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|
Boron distribution in two-phase superconducting silicon-on-insulator by atom probe tomography
P. Dumas
,
S. Duguay
,
D. Blavette
,
M. Opprecht
,
S. Kerdilès
et al.
Article dans une revue
hal-05201223v1
|
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|
Synthesis of relaxed Ge0.9Sn0.1/Ge by nanosecond pulsed laser melting
Enrico Di Russo
,
Francesco Sgarbossa
,
Pierpaolo Ranieri
,
Gianluigi Maggioni
,
Samba Ndiaye
et al.
Article dans une revue
hal-03885778v1
|
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|
Atom probe tomography of hyper-doped Ge layers synthesized by Sb in-diffusion by pulsed laser melting
Samba Ndiaye
,
Sébastien Duguay
,
François Vurpillot
,
Chiara Carraro
,
Gianluigi Maggioni
et al.
Article dans une revue
hal-04125505v1
|
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|
Ultrahigh Incorporation of Tin in SiSn Nanowires Grown via In-Plane Solid-Liquid-Solid Mechanism
Edy Azrak
,
Zhaoguo Xue
,
Shuai Liu
,
Wanghua Chen
,
Celia Castro
et al.
Article dans une revue
hal-04310644v1
|
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|
Composition of Carbon Clusters in Implanted Silicon Using Atom Probe Tomography
Paul Dumas
,
Sébastien Duguay
,
Julien Borrel
,
Fanny Hilario
,
Didier Blavette
Article dans une revue
hal-03468019v1
|
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|
Investigation of Sn-containing precursors for in-plane GeSn nanowire growth
Lulu Zheng
,
Edy Azrak
,
Ruiling Gong
,
Celia Castro
,
Sébastien Duguay
et al.
Article dans une revue
hal-03595536v1
|
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|
Uphill phosphorus diffusion in carbon co-implanted silicon
P. Dumas
,
Sébastien Duguay
,
F. Hilario
,
A. Gauthier
,
Didier Blavette
Article dans une revue
hal-03616394v1
|
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|
Low temperature carbon co-implantation in silicon: Defects suppression and diffusion modeling
P. Dumas
,
P.-L. Julliard
,
J. Borrel
,
Sébastien Duguay
,
F. Hilario
et al.
Article dans une revue
hal-03249547v1
|
|
|
Atom probe tomography quantification of carbon in silicon
P. Dumas
,
S. Duguay
,
J. Borrel
,
F. Hilario
,
D. Blavette
Article dans une revue
hal-03468007v1
|
|
|
Reliability and failure analysis in power GaN-HEMTs during S-band pulsed-RF operating
Niemat Moultif
,
Sébastien Duguay
,
O. Latry
,
M. Ndiaye
,
Eric Joubert
Article dans une revue
hal-03469148v1
|
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|
Controlling solid–liquid–solid GeSn nanowire growth modes by changing deposition sequences of a-Ge:H layer and SnO 2 nanoparticles
Ruiling Gong
,
Edy Azrak
,
Celia Castro
,
Sébastien Duguay
,
Philippe Pareige
et al.
Article dans une revue
hal-03249563v1
|
|
|
Atom probe tomography quantification of carbon in silicon
P. Dumas
,
Sébastien Duguay
,
J. Borrel
,
F. Hilario
,
Didier Blavette
Article dans une revue
hal-03249568v1
|
|
|
Low temperature carbon co-implantation in silicon: Defects suppression and diffusion modeling
P. Dumas
,
P.-L. Julliard
,
J. Borrel
,
S. Duguay
,
F. Hilario
et al.
Article dans une revue
hal-03468001v1
|
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|
Hydrogen Plasma-Assisted Growth of Gold Nanowires
Ruiling Gong
,
Zhen Zheng
,
Junyang An
,
Jean-Luc Maurice
,
Edy Azrak
et al.
Article dans une revue
hal-03030277v1
|
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|
Low-Temperature Plasma-Assisted Growth of Core–Shell GeSn Nanowires with 30% Sn
Edy Azrak
,
Wanghua Chen
,
Simona Moldovan
,
Sébastien Duguay
,
Philippe Pareige
et al.
Article dans une revue
hal-02433462v1
|
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|
Heavy Alkali Treatment of Cu(In,Ga)Se 2 Solar Cells: Surface versus Bulk Effects
Susanne Siebentritt
,
Enrico Avancini
,
Marcus Bär
,
Jakob Bombsch
,
Emilie Bourgeois
et al.
Article dans une revue
hal-02461969v1
|
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|
Influence of RbF post deposition treatment on heterojunction and grain boundaries in high efficient (21.1%) Cu(In,Ga)Se2 solar cells
Mohit Raghuwanshi
,
Arantxa Vilalta-Clemente
,
Celia Castro
,
Sébastien Duguay
,
Emmanuel Cadel
et al.
Article dans une revue
hal-02108142v1
|
|
|
Evidence of Mg segregation to threading dislocation in normally-off GaN-HEMT
Sébastien Duguay
,
Andres Echeverri
,
Celia Castro
,
Olivier Latry
Article dans une revue
hal-02299201v1
|
|
|
3D atomic-scale investigation of carbon segregation in phosphorus co-implanted silicon
P. Dumas
,
Sébastien Duguay
,
J. Borrel
,
A. Gauthier
,
E. Ghegin
et al.
Article dans une revue
hal-02298943v1
|
|
|
Atomic-Scale Characterization of N-Doped Si Nanocrystals Embedded in SiO2 by Atom Probe Tomography
Rémi Demoulin
,
Manuel Roussel
,
Sébastien Duguay
,
Dominique Muller
,
Daniel Mathiot
et al.
Article dans une revue
hal-02082140v1
|
|
|
Effect of the thermal annealing and the nominal composition in the elemental distribution of InxAl1-xAsySb1-y for triple junction solar cells
J. Hernández-Saz
,
M. Herrera
,
J. Pizarro
,
M. Gonzalez
,
J. Abell
et al.
Article dans une revue
hal-02108138v1
|
|
|
Rubidium distribution at atomic scale in high efficient Cu(In,Ga)Se2thin-film solar cells
Arantxa Vilalta-Clemente
,
Mohit Raghuwanshi
,
Sébastien Duguay
,
Celia Castro
,
Emmanuel Cadel
et al.
Article dans une revue
hal-01929133v1
|
|
|
Influence of the growth temperature on the composition distribution at sub-nm scale of InAlAsSb for solar cells
J. Hernández-Saz
,
M. Herrera
,
J. Pizarro
,
P.L. Galindo
,
M. Gonzalez
et al.
Article dans une revue
hal-02108144v1
|
|
|
Growth of In-Plane Ge 1– x Sn x Nanowires with 22 at. % Sn Using a Solid–Liquid–Solid Mechanism
Edy Azrak
,
Wanghua Chen
,
Simona Moldovan
,
Shiwen Gao
,
Sébastien Duguay
et al.
Article dans une revue
hal-02108143v1
|
|
|
Assessment of High Sn Incorporation in Ge NanoWires Synthesized via In Plane Solid-Liquid-Solid Mechanism by In-Situ TEM
Simona Moldovan
,
Edy Azrak
,
Wanghua Chen
,
Shiwen Gao
,
Sébastien Duguay
et al.
Article dans une revue
hal-02183481v1
|
|
|
Atom probe tomography for advanced nanoelectronic devices: Current status and perspectives
J. Barnes
,
A. Grenier
,
I. Mouton
,
S. Barraud
,
G. Audoit
et al.
Article dans une revue
istex
hal-01765929v1
|
|
|
New Atom Probe Tomography Reconstruction Algorithm for Multilayered Samples: Beyond the Hemispherical Constraint
Nicolas Rolland
,
François Vurpillot
,
Sébastien Duguay
,
Baishakhi Mazumder
,
James Speck
et al.
Article dans une revue
hal-01766098v1
|
|
|
Influence of Na on grain boundary and properties of Cu(In,Ga)Se 2 solar cells
Mohit Raghuwanshi
,
Emmanuel Cadel
,
Sébastien Duguay
,
Ludovic Arzel
,
Nicolas Barreau
et al.
Article dans une revue
hal-01720935v1
|
|
|
Accuracy of analyses of microelectronics nanostructures in atom probe tomography
François Vurpillot
,
Nicolas Rolland
,
Robert Estivill
,
Sébastien Duguay
,
D. Blavette
Article dans une revue
hal-01928850v1
|
|
|
Investigation of dopant clustering and segregation to defects in semiconductors using atom probe tomography
D. Blavette
,
Sébastien Duguay
Article dans une revue
hal-01928847v1
|
|
|
Atom-Scale Compositional Distribution in InAlAsSb-Based Triple Junction Solar Cells by Atom Probe Tomography
J Hernández-Saz
,
M Herrera
,
F J Delgado
,
Sébastien Duguay
,
T Philippe
et al.
Article dans une revue
hal-01954209v1
|
|
|
Atom Probe Tomography Analysis of InAlGaAs Capped InAs/GaAs Stacked Quantum Dots with Variable Barrier Layer Thickness
J. Hernández-Saz
,
M. Herrera
,
S.I. Molina
,
C.R. Stanley
,
Sébastien Duguay
Article dans une revue
hal-01954206v1
|
|
|
Quantitative analysis of Si/SiGeC superlattices using atom probe tomography
Robert Estivill
,
Adeline Grenier
,
Sébastien Duguay
,
François Vurpillot
,
Tanguy Terlier
et al.
Article dans une revue
hal-02107589v1
|
|
|
Effect of doping on the morphology of GaSb/GaAs nanostructures for solar cells
N. Fernández-Delgado
,
M. Herrera
,
S.I. Molina
,
Celia Castro
,
Sébastien Duguay
et al.
Article dans une revue
istex
hal-02111986v1
|
|
|
Three dimensional imaging and analysis of a single nano-device at the ultimate scale using correlative microscopy techniques
A. Grenier
,
Sébastien Duguay
,
J. P. Barnes
,
R. Serra
,
Nicolas Rolland
et al.
Article dans une revue
hal-01928856v1
|
|
|
An analytical model accounting for tip shape evolution during atom probe analysis of heterogeneous materials
Nicolas Rolland
,
D. J. Larson
,
B. P. Geiser
,
Sébastien Duguay
,
François Vurpillot
et al.
Article dans une revue
istex
hal-01928854v1
|
|
|
3D compositional analysis at atomic scale of InAlGaAs capped InAs/GaAs QDs
J. Hernández-Saz
,
M. Herrera
,
S.I. Molina
,
C.R. Stanley
,
Sébastien Duguay
Article dans une revue
istex
hal-02177759v1
|
|
|
Quantitative investigation of SiGeC layers using atom probe tomography
Robert Estivill
,
Adeline Grenier
,
Sébastien Duguay
,
François Vurpillot
,
Tanguy Terlier
et al.
Article dans une revue
istex
hal-01928855v1
|
|
|
A Meshless Algorithm to Model Field Evaporation in Atom Probe Tomography
Nicolas Rolland
,
François Vurpillot
,
Sébastien Duguay
,
Didier Blavette
Article dans une revue
hal-02107013v1
|
|
|
Atomic scale characterization of SiO<inf>2</inf>/4H-SiC interfaces in MOSFETs devices
Anna Maria Beltrán
,
Sébastien Duguay
,
Christian Strenger
,
Anton J Bauer
,
Fuccio Cristiano
et al.
Article dans une revue
hal-01720451v1
|
|
|
Dynamic evolution and fracture of multilayer field emitters in atom probe tomography: a new interpretation
Nicolas Rolland
,
François Vurpillot
,
Sébastien Duguay
,
Didier Blavette
Article dans une revue
istex
hal-02107622v1
|
|
|
Influence of boron clustering on the emitter quality of implanted silicon solar cells: An atom probe tomography study
Mohit Raghuwanshi
,
Adeline Lanterne
,
Jérôme Le Perchec
,
Philippe Pareige
,
Emmanuel Cadel
et al.
Article dans une revue
istex
hal-01929136v1
|
|
|
Influence of grain boundary modification on limited performance of wide bandgap Cu(In,Ga)Se2solar cells
M. Raghuwanshi
,
E. Cadel
,
Philippe Pareige
,
S. Duguay
,
F. Couzinie-Devy
et al.
Article dans une revue
hal-01929138v1
|
|
|
Extended Defects Formation in Nanosecond Laser-Annealed Ion Implanted Silicon
Yang Qiu
,
Fuccio Cristiano
,
Karim Huet
,
Fulvio Mazzamuto
,
Giuseppe Fisicaro
et al.
Article dans une revue
hal-01659180v1
|
|
|
Atom-probe tomography study of boron precipitation in highly implanted silicon
Didier Blavette
,
Huiyuan Wang
,
Manon Bonvalet
,
Florian Hüe
,
Sébastien Duguay
Article dans une revue
istex
hal-01928861v1
|
|
|
3D analysis of advanced nano-devices using electron and atom probe tomography
A. Grenier
,
Sébastien Duguay
,
J. P. Barnes
,
R. Serra
,
G. Haberfehlner
et al.
Article dans une revue
hal-01929139v1
|
|
|
Atom probe tomography in nanoelectronics
Didier Blavette
,
Sébastien Duguay
Article dans une revue
hal-01928859v1
|
|
|
Efficient n-type doping of Si nanocrystals embedded in SiO<sub>2</sub> by ion beam synthesis
R. Khelifi
,
D. Mathiot
,
Rajiv Gupta
,
D. Muller
,
M. Roussel
et al.
Applied Physics Letters, 2013, 102, pp.013116_1-4
Article dans une revue
hal-00799830v1
|
|
|
Point process statistics in atom probe tomography
Thomas Philippe
,
Sébastien Duguay
,
G. Grancher
,
D. Blavette
Article dans une revue
istex
hal-01928863v1
|
|
|
Temperature dependence of nucleation rate in a binary solid solution
Huiyuan Wang
,
T. Philippe
,
S. Duguay
,
D. Blavette
Article dans une revue
hal-01928868v1
|
|
|
Advance in multi-hit detection and quantization in atom probe tomography
Gérald da Costa
,
H. Wang
,
Sébastien Duguay
,
A. Bostel
,
D. Blavette
et al.
Article dans une revue
hal-01928866v1
|
|
|
Atomic scale evidence of the suppression of boron clustering in implanted silicon by carbon coimplantation
T. Philippe
,
S. Duguay
,
D. Mathiot
,
D. Blavette
Journal of Applied Physics, 2011, 109, pp. 023501_1-4
Article dans une revue
hal-00597120v1
|
|
|
Atomic-scale study of the role of carbon on boron clustering
Thomas Philippe
,
Sébastien Duguay
,
J.J. Grob
,
D. Mathiot
,
D. Blavette
Article dans une revue
istex
hal-00464139v1
|
|
|
Atomic scale study of a MOS structure with an ultra-low energy boron-implanted silicon substrate
Sébastien Duguay
,
M. Ngamo
,
P. F Fazzini
,
Fuccio Cristiano
,
K. Daoud
et al.
Article dans une revue
istex
hal-01922657v1
|
|
|
Direct imaging of boron segregation to extended defects in silicon
Sébastien Duguay
,
Thomas Philippe
,
Fuccio Cristiano
,
D. Blavette
Article dans une revue
hal-01922903v1
|
|
|
Atomic-scale redistribution of dopants in polycrystalline silicon layers
S. Duguay
,
A. Colin
,
D. Mathiot
,
Pascal Morin
,
D. Blavette
Applied Physics, 2010, 108, pp.034911_1-7
Article dans une revue
hal-00526353v1
|
|
|
Clustering and nearest neighbour distances in atom probe tomography: The influence of the interfaces
Thomas Philippe
,
O. Cojocaru-Mirédin
,
Sébastien Duguay
,
D. Blavette
Article dans une revue
hal-01928875v1
|
|
|
Clustering and pair correlation function in atom probe tomography
Thomas Philippe
,
Sébastien Duguay
,
D. Blavette
Article dans une revue
istex
hal-01928874v1
|
|
|
Clustering and nearest neighbour distances in atom-probe tomography
Thomas Philippe
,
F. de Geuser
,
Sébastien Duguay
,
Williams Lefebvre
,
O. Cojocaru-Mirédin
et al.
Article dans une revue
istex
hal-00457542v1
|
|
|
Depth resolution function of the laser assisted tomographic atom probe in the investigation of semiconductors
Emmanuel Cadel
,
François Vurpillot
,
Rodrigue Lardé
,
Sébastien Duguay
,
Bernard Deconihout
Article dans une revue
hal-01929144v1
|
|
|
Evidence of atomic-scale arsenic clustering in highly doped silicon
Sébastien Duguay
,
François Vurpillot
,
Thomas Philippe
,
E. Cadel
,
Rodrigue Lardé
et al.
Article dans une revue
hal-01929143v1
|
|
|
Structural analysis of annealed amorphous SiO/SiO2 superlattice
B. Pivac
,
P. Dubcek
,
I. Capan
,
H. Zorc
,
S. Bernstorff
et al.
Thin Solid Films, 2008, 516, pp. 6796-6799
Article dans une revue
hal-00300610v1
|
|
|
Silicon nanoparticles formation in annealed SiO/SiO2 multilayers
I. Kovacevic
,
P. Dubcek
,
S. Duguay
,
H. Zorc
,
N. Radic
et al.
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2007, 38, pp. 50-53
Article dans une revue
hal-00349867v1
|
|
|
Retention in metal-oxide-semiconductor structures with two embedded self-aligned Ge-nanocrystal layers
S. Duguay
,
S. Burignat
,
P. Kern
,
J.J. Grob
,
A. Souifi
et al.
Semicond. Sci. Technol., 2007, 22, pp. 837-842
Article dans une revue
hal-00250270v1
|
|
|
Dielectric function of germanium nanocrystals between 0.6 and 6.5 eV by spectroscopic ellipsometry
M. Mansour
,
A. En Naciri
,
L. Johann
,
S. Duguay
,
J.J. Grob
et al.
Journal of Physics and Chemistry of Solids, 2006, 67, pp.1291-1294
Article dans une revue
hal-00207770v1
|
|
|
Structural and electrical properties of Ge nanocrystals embedded in SiO2 by ion implantation and annealing
Sébastien Duguay
,
J.J. Grob
,
A. Slaoui
,
Y. Le Gall
,
M. Amann-Liess
Journal of Applied Physics, 2005, 97, pp.104330_1-5
Article dans une revue
hal-00134846v1
|
|
|
Structural properties of Ge-implanted SiO2 layers and related MOS memory effects
S. Duguay
,
A. Slaoui
,
Grob J.J.
,
M. Kanoun
,
S. Burignat
et al.
Mater. Sci. Eng. B, 2005, 124-125, pp.488-493
Article dans une revue
hal-00207848v1
|