
David Trémouilles
88%
Libre accès
68
Documents
Affiliations actuelles
- Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS)
- Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie (LAAS-ISGE)
Identifiants chercheurs
Publications
Publications
|
Static vs. Dynamic Characterization of p-GaN HEMTs: Discrepancies in Electrical Characteristics and their Dependence on Bias HistoryThe 26th European Conference on Power Electronics and Applications, GDR SEEDS France & EPE Association, Mar 2025, Paris, France. ⟨10.34746/epe2025-0309⟩
Communication dans un congrès
hal-05079887
v1
|
|
Analysis of Failure Mechanisms Occuring at Breakdown Voltage in power p-GaN HEMT31st edition of the IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA 2024), Jul 2024, Singapore (SG), Singapore
Communication dans un congrès
hal-04687318
v1
|
|
Low-Voltage Schottky p-GaN HEMT Properties under Extreme Repetitive Short-Circuit Operation Conditions : 2DEG Pinch-off, Stability, Aging, Robustness and Failure-Modes Analysis [Abstract]35th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis - ESREF 2024, Sep 2024, Parma, Italy
Communication dans un congrès
hal-04713127
v1
|
|
Dynamic RDS-on degradation analysis on power GaN HEMT by means of TCAD simulations and experimental measurementWOCSDICE - EXMATEC 2023 6th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe 17th Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies, May 2023, Palerme, Italy
Communication dans un congrès
hal-04128305
v1
|
|
Backside Fault Localization and Defect Physical Analysis of Degraded Power HEMT p-GaN Transistors Stressed in DC and AC Switching Modes49th International Symposium for Testing and Failure Analysis ISTFA 2023), Nov 2023, Phoenix, United States. pp.491-499, ⟨10.31399/asm.cp.istfa2023p0491⟩
Communication dans un congrès
hal-04307540
v1
|
|
Méthode de préconditionnement du HEMT GaN pour une mesure reproductible de VthSYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2023), Jul 2023, Lille, France. https://sge2023.sciencesconf.org/resource/page/id/35
Communication dans un congrès
hal-04157673
v1
|
|
Over-Voltage and Cross-Conduction Hard Switching Stress on Schottky Gate-Type p-GaN HEMT in Half-Bridge Operation Experimental and Physical Approaches [ESREF'23]34th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Oct 2023, Toulouse, France. ⟨10.1016/j.microrel.2023.115172⟩
Communication dans un congrès
hal-04252379
v1
|
|
Study of GaN HEMTs Robustness to Application-Like, Software-Controlled Overshoots Emulating Different Gate Routings in Original 50 Ohms EnvironmentWorkshop on Wide Bandgap Power Devices & Applications (WiPDA) 2023, Dec 2023, Charlotte (North Carolina), United States. ⟨10.1109/WiPDA58524.2023.10382216⟩
Communication dans un congrès
hal-04239100
v1
|
|
Transmission Line Approach for the PCB Gate Interconnection Design in GaN-Based High-Frequency Power ConvertersPCIM Europe digital days 2021; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, May 2021, on line, France
Communication dans un congrès
hal-03370453
v1
|
|
Experimental Comparison of Discrete Cascode GaN-GaN and Single e-GaN in High-Frequency Power ConverterPCIM Europe digital days 2020; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, Jul 2020, Nuremberg (Virtual), Germany
Communication dans un congrès
hal-02998007
v1
|
|
Performance Analysis of RL Damper in GaN-Based High-Frequency Boost Converter22nd European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'20 ECCE Europe), Sep 2020, Lyon (virtuel), France. ⟨10.23919/EPE20ECCEEurope43536.2020.9215645⟩
Communication dans un congrès
hal-02987332
v1
|
|
Développement technologique d'un HEMT normally-off avec une grille à barrière P-GaNJournées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique (JNRDM), Jun 2019, Montpellier, France
Communication dans un congrès
hal-02278808
v1
|
|
Première démonstration expérimentale d’un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterréeSymposium de Génie Electrique (SGE 2018), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. pp.3 - 5
Communication dans un congrès
hal-02981903
v2
|
|
Variation de la résistance de contact métal/semi-conducteur dans une structure HEMT GaN sous illumination UVSymposium de Génie Electrique (SGE 2018), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. 4p
Communication dans un congrès
hal-02981923
v2
|
Investigation on damaged planar-oxide of 1200V SiC Power Mosfets in non-destructive short-circuit operation28th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2017), Sept. 25-28, 2017, Bordeaux (FRANCE), 2017, Bordeaux, France
Communication dans un congrès
hal-03937651
v1
|
|
|
Mesure de résistance dynamique de HEMT en GaN à l'échelle de la centaine de nanosecondesSymposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-01361669
v1
|
|
Robustesse de MESFET SiC face aux décharges électrostatiquesSGE Symposium de Génie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-01310299
v1
|
|
Fiabilité de MESFET SiC face aux décharges électrostatiquesSymposium de Genie Electrique, Jun 2016, Grenoble, France
Communication dans un congrès
hal-01361658
v1
|
|
Dynamic of power-GaN-HEMT electrical parameters: Why DC characterization might be misleading18th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'2016), Sep 2016, Karlsruhe, Germany. ⟨10.1109/EPE.2016.7695492⟩
Communication dans un congrès
hal-01556254
v1
|
|
An Electrostatic-Discharge-Protection Solution for Silicon-Carbide MESFETEOS/ESD Symposium, Sep 2015, Reno, United States
Communication dans un congrès
hal-01178266
v1
|
|
Analyse du mécanisme d'un défaut ESD sur un MESFET en SiCJournées Nationales du Réseau de Doctorants en Microélectronique, Jun 2015, Bordeaux, France
Communication dans un congrès
hal-01339803
v1
|
|
Tackling the challenges of System level ESD: from efficient ICs ESD protection to system level predictive modelingTaiwan ESD and Reliability Conference, Nov 2013, Hsinchu, Taiwan
Communication dans un congrès
hal-00957728
v1
|
|
Transient-TLP (T-TLP): a simple method for accurate ESD protection transient behavior measurementEOS/ESD Symposium, Sep 2013, LAS VEGAS, United States. pp.258-267
Communication dans un congrès
hal-01056511
v1
|
|
High-temperature operation MOS-IGBT power clamp for improved ESD protection in smart power technologyElectrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD 2011), Sep 2011, ANAHEIM, United States. pp.1B.2-1B.8
Communication dans un congrès
hal-00722642
v1
|
Life Cycle Assessment on a 765 kV Venezuelan Transmission SystemiREED, Mar 2011, Lille, France. pp.CD
Communication dans un congrès
hal-00765489
v1
|
|
|
Behavioral-Modeling Methodology to Predict Electrostatic-Discharge Susceptibility Failures at System Level : an IBIS ImprovementInt. Symposium on Electromagnetic Compatibility (EMC Europe 2011), Sep 2011, YORK, United Kingdom. pp.457-463
Communication dans un congrès
hal-00722643
v1
|
|
Advanced ESD power clamp design for SOI FinFET CMOS technologyInternational Conference on IC Design and Technology (ICICDT 2010), Jun 2010, Grenoble, France. pp.43-46, ⟨10.1109/ICICDT.2010.5510299⟩
Communication dans un congrès
hal-00677458
v1
|
|
Accurate Transient Behavior Measurement of High- Voltage ESD Protections Based on a Very Fast Transmission-Line Pulse System31st Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium, 2009. EOS/ESD Symposium, Aug 2009, ANAHEIM, United States. pp.165-172
Communication dans un congrès
hal-00445676
v1
|
|
Pushing away the silicon limits of ESD protection structures: exploration of crystallographic orientationBIPOLAR/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), Oct 2008, Monterey, United States. pp.200-203
Communication dans un congrès
hal-00383353
v1
|
Different failure signatures of multiple TLP and HBM Stresses in an ESD robust protection structureEuropean Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and analysis (ESREF), 2005, arcachon, France. pp.1415-1420
Communication dans un congrès
hal-00401483
v1
|
|
|
ESD Induced Latent Defects In CMOS ICs And Reliability ImpactElectrical Overstress and Electrostatic Discharge (EOS/ESD) Symposium, Sep 2004, Dallas, United States. pp.174-181
Communication dans un congrès
hal-00385694
v1
|
|
Design Guidelines to Achieve a Very High ESD Robustness in a Self-Biased NPNElectrical Overstress and Electrostatic Discharge Symposium, Oct 2002, Charlotte, United States. pp.281-288
Communication dans un congrès
hal-00383352
v1
|
|
The Decisive Role of Gate Voltage Overshoots on the Ron of p-GaN HEMTs in Realistic Dynamic Operation2025
Pré-publication, Document de travail
hal-04980326
v1
|
|
Driving of GaN HEMT2022
Pré-publication, Document de travail
hal-03874986
v1
|
|
Parseval’s Theorem Used for the Inductor Analysis in High-Frequency Boost ConvertersELECTRIMACS 2019 Selected Papers, pp.347-362, 2020, 978-3-030-56970-9. ⟨10.1007/978-3-030-56970-9_26⟩
Chapitre d'ouvrage
hal-03100915
v1
|
|
IMPULSIONS ÉLECTRIQUES DE FORTE PUISSANCE , DE LA NANOSECONDE À LA MICROSECONDE , DU WATT AU KILOWATTMicro et nanotechnologies/Microélectronique. UT3 : Université Toulouse 3 Paul Sabatier, 2019
HDR
tel-04879617
v1
|
|
Protection ESD pour MESFET SiCJournées Intégration et Systèmes de Puissance 3D (ISP3D), Mar 2015, Tours, France. 2015
Poster de conférence
hal-01339804
v1
|
|
Optimisation et modélisation de protection intégrées contre les décharges électrostatique, par l'analyse de la physique mise en jeuMicro et nanotechnologies/Microélectronique. INSA de Toulouse, 2004. Français. ⟨NNT : ⟩
Thèse
tel-00010263
v1
|
Chargement...
Chargement...